|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Р. М. Ёркулов, Р. Х. Ашуров, В. М. Ротштейн, “Состав и морфология поверхности Si(111) с поверхностной пленкой SiO$_{2}$ разной толщины”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1045–1048   |
|
2020 |
| 2. |
С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, “Влияние имплантации ионов Al$^{+}$ на состав, электронную и кристаллическую структуру поверхности GaP(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 716–719 ; S. B. Donaev, B. E. Umirzakov, “Effect of the implantation of Al$^+$ ions on the composition, electronic and crystalline structure of the GaP(111) surface”, Semiconductors, 54:8 (2020), 860–862 |
2
|
| 3. |
С. Б. Донаев, “Получение наноразмерных пленок CoSiO на поверхности СoSi$_{2}$ методом ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 46:16 (2020), 16–18 ; S. B. Donaev, “Nanodimensional CoSiO films obtained by ion implantation on a СoSi$_{2}$ surface”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 796–798 |
4
|
|
2019 |
| 4. |
С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Н. М. Мустафаева, “Эмиссионные свойства сплава Pb–Ba, активированного лазерным облучением”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1626–1629 ; S. B. Donaev, B. E. Umirzakov, N. M. Mustafaeva, “Emissivity of laser-activated Pd–Ba alloy”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1541–1543 |
6
|
| 5. |
Б. Е. Умирзаков, С. Б. Донаев, Н. М. Мустафаева, “Электронные и оптические свойства тонких пленок GaAlAs/GaAs”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1589–1591 ; B. E. Umirzakov, S. B. Donaev, N. M. Mustafaeva, “Electronic and optical properties of GaAlAs/GaAs thin films”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1506–1508 |
8
|
| 6. |
Б. Е. Умирзаков, Р. Х. Ашуров, С. Б. Донаев, “Морфология и электронные свойства наноразмерных структур Si, созданных на поверхности CaF$_{2}$”, ЖТФ, 89:2 (2019), 264–267 ; B. E. Umirzakov, R. Kh. Ashurov, S. B. Donaev, “The morphology and electronic properties of si nanoscale structures on a CaF$_{2}$ surface”, Tech. Phys., 64:2 (2019), 232–235 |
4
|
|
2015 |
| 7. |
С. Б. Донаев, Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, “Электронная структура наноразмерных структур Ga$_{1-x}$Al$_x$As, созданных на поверхности GaAs методом ионной имплантации”, ЖТФ, 85:10 (2015), 148–151 ; S. B. Donaev, B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, “Electronic structure of Ga$_{1-x}$Al$_x$As nanostructures grown on the GaAs surface by ion implantation”, Tech. Phys., 60:10 (2015), 1563–1566 |
13
|
| 8. |
З. А. Исаханов, Ю. Е. Умирзаков, М. К. Рузибаева, С. Б. Донаев, “Влияние бомбардировки ионов O$_2^+$ на состав и структуру TiN”, ЖТФ, 85:2 (2015), 156–158 ; Z. A. Isakhanov, Yu. E. Umirzakov, M. K. Ruzibaeva, S. B. Donaev, “Effect of the O$_2^+$-ion bombardment on the TiN composition and structure”, Tech. Phys., 60:2 (2015), 313–315 |
8
|
|
2013 |
| 9. |
Б. Е. Умирзаков, Д. А. Ташмухамедова, М. К. Рузибаева, А. К. Ташатов, С. Б. Донаев, Б. Б. Мавлянов, “Исследование структуры и свойств гетероструктурных нанопленок, созданных методами эпитаксии и ионной имплантации”, ЖТФ, 83:9 (2013), 146–149 ; B. E. Umirzakov, D. A. Tashmukhamedova, M. K. Ruzibaeva, A. K. Tashatov, S. B. Donaev, B. B. Mavlyanov, “Analysis of the structure and properties of heterostructured nanofilms prepared by epitaxy and ion implantation methods”, Tech. Phys., 58:9 (2013), 1383–1386 |
15
|
|
