|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков, “Исследование распределения встроенных электрических полей в светодиодных гетероструктурах c множественными квантовыми ямами GaN/InGaN методом электроотражения”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 493–499   ; A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, A. V. Chervyakov, “Investigation into the distribution of built-in electric fields in LED heterostructures with multiple GaN/InGaN quantum wells by electroreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 53:4 (2019), 477–483 |
2
|
|
2018 |
| 2. |
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, М. А. Базалевский, П. М. Деев, А. В. Червяков, “Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 708–711 ; L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, I. P. Kazakov, M. A. Bazalevsky, P. M. Deev, A. V. Chervyakov, “Photoreflectance spectroscopy study of LT-GaAs layers grown on Si and GaAs substrates”, Semiconductors, 52:7 (2018), 849–852 |
1
|
|
2017 |
| 3. |
Л. П. Авакянц, А. Э. Асланян, П. Ю. Боков, К. Ю. Положенцев, А. В. Червяков, “Спектры электроотражения множественных квантовых ям InGaN/GaN, помещенных в неоднородное электрическое поле $p$–$n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 198–201 ; L. P. Avakyants, A. È. Aslanyan, P. Yu. Bokov, K. Yu. Polozhentsev, A. V. Chervyakov, “Electroreflectance spectra from multiple InGaN/GaN quantum wells in the nonuniform electric field of a $p$–$n$ junction”, Semiconductors, 51:2 (2017), 189–192 |
1
|
| 4. |
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков, “Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 177–181 ; L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, A. V. Chervyakov, “Raman scattering in InP doped by Be$^+$-ion implantation”, Semiconductors, 51:2 (2017), 168–172 |
1
|
|
2015 |
| 5. |
Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, Г. Б. Галиев, И. П. Казаков, А. В. Червяков, “Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1238–1242 ; L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, G. B. Galiev, I. P. Kazakov, A. V. Chervyakov, “Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1202–1206 |
1
|
|
2013 |
| 6. |
Р. А. Хабибуллин, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, П. Ю. Боков, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, П. П. Мальцев, “Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1215–1220 ; R. A. Khabibullin, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, V. A. Kul'bachinskii, P. Yu. Bokov, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, P. P. Maltsev, “Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1203–1208 |
8
|
|
