|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Н. С. Кузьмин, А. С. Ярошевич, Л. С. Брагинский, М. В. Энтин, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, “Микроволновая фотопроводимость бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах”, Письма в ЖЭТФ, 119:12 (2024), 925–931  ; N. S. Kuzmin, A. S. Jaroshevich, L. S. Braginskii, M. V. Entin, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, “Microwave photoconductivity of gapless Dirac fermions in HgTe quantum wells”, JETP Letters, 119:12 (2024), 950–956 |
| 2. |
А. К. Бакаров, М. А. Суханов, А. С. Ярошевич, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024), 33–36  |
|
2023 |
| 3. |
Н. С. Кузьмин, А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, В. А. Ткаченко, А. К. Бакаров, Е. Е. Родякина, “Особенности микроволнового фотокондактанса квантового точечного контакта”, Физика твердого тела, 65:10 (2023), 1842–1847 |
|
2021 |
| 4. |
В. А. Ткаченко, А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, О. А. Ткаченко, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, “СВЧ-отклик квантового точечного контакта”, Письма в ЖЭТФ, 114:2 (2021), 108–113 ; V. A. Tkachenko, A. S. Yaroshevich, Z. D. Kvon, O. A. Tkachenko, E. E. Rodyakina, A. V. Latyshev, “Low-frequency microwave response of a quantum point contact”, JETP Letters, 114:2 (2021), 110–115   |
3
|
| 5. |
В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, О. А. Ткаченко, А. С. Ярошевич, Е. Е. Родякина, Д. Г. Бакшеев, А. В. Латышев, “Фотонно-стимулированный транспорт в квантовом точечном контакте (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 113:5 (2021), 328–340 ; V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, O. A. Tkachenko, A. S. Yaroshevich, E. E. Rodyakina, D. G. Baksheev, A. V. Latyshev, “Photon-stimulated transport in a quantum point contact (brief review)”, JETP Letters, 113:5 (2021), 331–344 |
7
|
|
2020 |
| 6. |
З. Д. Квон, М. Л. Савченко, Д. А. Козлов, Е. Б. Ольшанецкий, А. С. Ярошевич, Н. Н. Михайлов, “Фото- и термоэлектрические явления в двумерных топологических изоляторах и полуметаллах на основе HgTe квантовых ям (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 112:3 (2020), 174–186 ; Z. D. Kvon, M. L. Savchenko, D. A. Kozlov, E. B. Olshanetsky, A. S. Yaroshevich, N. N. Mikhailov, “Photo- and thermoelectric phenomena in two-dimensional topological insulators and semimetals based on HgTe quantum wells (scientific summary)”, JETP Letters, 112:3 (2020), 161–172 |
5
|
| 7. |
А. С. Ярошевич, З. Д. Квон, Г. М. Гусев, Н. Н. Михайлов, “Микроволновое фотосопротивление двумерного топологического изолятора в HgTe квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 111:2 (2020), 107–111 ; A. S. Yaroshevich, Z. D. Kvon, G. M. Gusev, N. N. Mikhailov, “Microwave photoresistance of a two-dimensional topological insulator in a HgTe quantum well”, JETP Letters, 111:2 (2020), 121–125 |
7
|
|
2018 |
| 8. |
М. Л. Савченко, Н. Н. Васильев, А. С. Ярошевич, Д. А. Козлов, З. Д. Квон, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Спектры пропускания квантовых ям и пленок на основе HgTe в дальнем ИК-диапазоне”, Физика твердого тела, 60:4 (2018), 774–778 ; M. L. Savchenko, N. N. Vasil'ev, A. S. Yaroshevich, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, “Transmission spectra of HgTe-based quantum wells and films in the far-infrared range”, Phys. Solid State, 60:4 (2018), 778–782 |
1
|
|
2017 |
| 9. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, А. С. Ярошевич, М. Л. Савченко, В. С. Эпов, Е. В. Федосенко, “Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1574–1578 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, A. S. Yaroshevich, M. L. Savchenko, V. S. Epov, E. V. Fedosenko, “Long-wavelength sensitivity limit in MBE-grown PbSnTe:In films: Correlation with the film structure and composition”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1522–1526 |
2
|
|
2016 |
| 10. |
З. Д. Квон, К. -М. Дантчер, М.-Т. Шерр, А. С. Ярошевич, Н. Н. Михайлов, “Терагерцовый резистивный отклик двумерного топологического изолятора в режиме квазибаллистического транспорта”, Письма в ЖЭТФ, 104:10 (2016), 729–733 ; Z. D. Kvon, K. M. Dantscher, M.-T. Scherr, A. S. Yaroshevich, N. N. Mikhailov, “Terahertz resistive response of a two-dimensional topological insulator in a quasiballistic transport regime”, JETP Letters, 104:10 (2016), 716–720 |
6
|
|
2015 |
| 11. |
В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40 ; V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, M. M. Kachanova, Yu. A. Zhivodkov, T. A. Gavrilova, A. S. Medvedev, L. A. Nenasheva, K. V. Grachev, V. K. Sandyrev, A. S. Kozhukhov, V. M. Shayakhmetov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Efficient single-photon emitters based on Bragg microcavities containing selectively positioned InAs quantum dots”, Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38 |
4
|
|
2013 |
| 12. |
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318 ; A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, V. A. Gaisler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots”, JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278 |
12
|
|
2012 |
| 13. |
О. Е. Терещенко, А. Г. Паулиш, М. А. Неклюдова, Т. С. Шамирзаев, А. С. Ярошевич, И. П. Просвирин, И. Э. Жаксылыкова, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Н. Варнаков, М. В. Рауцкий, Н. В. Волков, С. Г. Овчинников, А. В. Латышев, “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов”, Письма в ЖТФ, 38:1 (2012), 27–36 ; O. E. Tereshchenko, A. G. Paulish, M. A. Neklyudova, T. S. Shamirzaev, A. S. Yaroshevich, I. P. Prosvirin, I. E. Zhaksylykova, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. N. Varnakov, M. V. Rautskii, N. V. Volkov, S. G. Ovchinnikov, A. V. Latyshev, “Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin”, Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 12–16 |
2
|
|
2004 |
| 14. |
А. А. Пахневич, В. В. Бакин, А. В. Язьков, Г. Э. Шайблер, С. В. Шевелев, О. Е. Терещенко, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Энергетические распределения фотоэлектронов, эмитированных из $p$-GaN(Cs,O) с эффективным отрицательным электронным сродством”, Письма в ЖЭТФ, 79:10 (2004), 592–596 ; A. A. Pakhnevich, V. V. Bakin, A. V. Yaz'kov, G. È. Shaibler, S. V. Shevelev, O. E. Tereshchenko, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Energy distributions of photoelectrons emitted from $p$-GaN(Cs, O) with effective negative electron affinity”, JETP Letters, 79:10 (2004), 479–483 |
21
|
|
2003 |
| 15. |
В. В. Бакин, А. А. Пахневич, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Ярошевич, А. С. Терехов, “Преломление термализованных электронов, баллистически эмиттированных в вакуум из $\mathbf{p}^+$-GaAs-(Cs,O)”, Письма в ЖЭТФ, 77:4 (2003), 197–201 ; V. V. Bakin, A. A. Pakhnevich, S. N. Kosolobov, G. È. Shaibler, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Refraction of thermalized electrons emitted ballistically into vacuum from $p^+$-GaAs-(Cs,O)”, JETP Letters, 77:4 (2003), 167–171 |
10
|
|
