Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Baidus, Nikolai Vladimirovich
Senior Researcher
Candidate of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person183447
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. K. S. Zhidyaev, A. B. Chigineva, N. V. Baidus, I. V. Samartsev, A. V. Kudrin, “Influence of emitter region doping level on the turn-on dynamics of low-voltage GaAs dynistors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:1 (2025),  48–52  mathnet
2. M. V. Dorokhin, M. V. Ved', P. B. Demina, Yu. M. Kuznetsov, A. V. Kudrin, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Zdoroveyshchev, N. V. Baidus, I. L. Kalentyeva, “Magnetically controlled spin light-emitting diode”, UFN, 195:5 (2025),  543–556  mathnet; Phys. Usp., 68:5 (2025), 512–524  isi  scopus
2024
3. E. I. Malysheva, P. B. Demina, M. V. Ved, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, N. V. Baidus, V. N. Trushin, “Modification of the functional characteristics of InGaAs/GaAs/Al$_2$O$_3$/CoPt spin light-emitting diodes”, Fizika Tverdogo Tela, 66:2 (2024),  184–189  mathnet  elib
4. I. V. Samartsev, N. V. Baidus, S. Yu. Zubkov, D. M. Balyasnikov, K. S. Zhidyaev, A. V. Zdoroveyshchev, A. I. Bobrov, K. V. Sidorenko, A. V. Nezhdanov, D. S. Klement'ev, “Metamorphic InGaAs photodiode with wavelength 1.55 $\mu$m, grown on GaAs substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:12 (2024),  709–713  mathnet  elib
5. K. S. Zhidyaev, A. B. Chigineva, N. V. Baidus, I. V. Samartsev, A. V. Kudrin, “Influence of strip mesastructure topology on a low-voltage GaAs thyristor main parameters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:3 (2024),  156–160  mathnet  elib
2023
6. I. V. Samartsev, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, A. B. Chigineva, K. S. Zhidyaev, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, S. M. Plankina, A. V. Nezhdanov, A. V. Ershov, “MOCVD growth of InGaAs metamorphic heterostructures for photodiodes with low dark current”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:6 (2023),  495–500  mathnet  elib
2022
7. A. I. Bobrov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, A. P. Gorshkov, K. V. Sidorenko, A. N. Shushonov, N. V. Malekhonova, A. V. Nezhdanov, A. V. Zdoroveyshchev, V. N. Trushin, E. V. Ubyivovk, A. I. Okhapkin, D. S. Klement'ev, Z. Sh. Gasainiev, A. V. Kharlamov, “Design of tunnel-coupled quantum wells for a Mach–Zehnder scheme modulator construction”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:9 (2022),  833–838  mathnet  elib
8. A. B. Chigineva, N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, K. S. Zhidyaev, V. E. Kotomina, I. V. Samartsev, “Influence of chemical treatment and surface topology on the blocking voltage of GaAs thyristor mesastructures, grown by MOCVD”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:1 (2022),  134–138  mathnet  elib
2021
9. M. B. Semenov, V. D. Krevchik, D. O. Filatov, A. V. Shorokhov, A. P. Shkurinov, I. A. Ozheredov, P. V. Krevchik, Y. H. Wang, T. R. Li, A. K. Malik, M. O. Marychev, N. V. Baidus, I. M. Semenov, “Dissipative electron tunneling in vertically coupled asymmetric double InAs/GaAs(001) quantum dots”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:10 (2021),  1431–1440  mathnet  elib; Tech. Phys., 67:2 (2022), 115–125 1
10. A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, A. I. Andrianov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, R. N. Kriukov, N. V. Baidus, D. V. Yurasov, A. V. Rykov, “Comparison of À$^{\mathrm{III}}$Â$^{\mathrm{V}}$ heterostructures grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  978–988  mathnet  elib
11. A. V. Rykov, R. N. Kriukov, I. V. Samartsev, P. A. Yunin, V. G. Shengurov, A. V. Zaitsev, N. V. Baidus, “Effect of the algaas seed layer composition on antiphase domains formation in (Al)GaAs structures grown by vapor-phase epitaxy on Ge/Si(100) substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:8 (2021),  37–40  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416 1
2019
12. N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, “GaAs-based laser diode with InGaAs waveguide quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1718–1720  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1709–1711 3
13. A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1271–1274  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 1
14. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1159–1163  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 6
15. N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “MOS-hydride epitaxy growth of InGaAs/GaAs submonolayer quantum dots for the excitation of surface plasmon–polaritons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:3 (2019),  345–350  mathnet  elib; Semiconductors, 53:3 (2019), 326–331
2018
16. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
17. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
2017
18. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
19. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
20. B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. E. Kotomina, “Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1443–1446  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1391–1394
21. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 6
22. S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, “Effect of active-region “volume” on the radiative properties of laser heterostructures with radiation output through the substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  75–78  mathnet  elib; Semiconductors, 51:1 (2017), 73–77
2016
23. N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, “Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1576–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1554–1560 2
24. N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, D. A. Kolpakov, A. V. Ershov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1509–1512  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1488–1492
25. A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1455–1458  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 3
2015
26. V. A. Kukushkin, N. V. Baidus, A. V. Zdoroveyshchev, “Diagnostics of the efficiency of surface plasmon-polariton excitation by quantum dots via polarization measurements of the output radiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:6 (2015),  804–809  mathnet  elib; Semiconductors, 49:6 (2015), 785–790 1
27. N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, E. I. Malysheva, A. N. Trufanov, “Emission properties of InGaAs/GaAs heterostructures with quantum wells and dots after irradiation with neutrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:3 (2015),  370–375  mathnet  elib; Semiconductors, 49:3 (2015), 358–363 3
28. S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. P. Kalinin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Exchange enhancement of the electron $g$ factor in strained InGaAs/InP heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  196–203  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 191–198 6
29. N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, D. O. Filatov, “Influence of the spatial arrangement of the Si $\delta$ layer on the optoelectronic properties of InGaAs/GaAs quantum-well nanoheterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  145–148  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 139–142
30. Yu. Yu. Romanova, E. P. Dodin, Yu. N. Nozdrin, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, D. A. Pavlov, N. V. Malekhonova, “Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:1 (2015),  122–127  mathnet  elib; Semiconductors, 49:1 (2015), 118–123 2
31. S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, N. V. Baidus, “Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:1 (2015),  58–62  mathnet  elib; Semiconductors, 49:1 (2015), 55–59 1
32. S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, “Simulation of the effective concentration profiles in InGaAs/GaAs heterostructures containing $\delta$-doped layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:1 (2015),  53–57  mathnet  elib; Semiconductors, 49:1 (2015), 50–54 5
33. D. A. Pavlov, N. V. Baidus, A. I. Bobrov, O. V. Vikhrova, E. I. Volkova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, D. S. Sorokin, “Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:1 (2015),  3–5  mathnet  elib; Semiconductors, 49:1 (2015), 1–3 2
2014
34. P. A. Belevskii, M. N. Vinoslavskii, V. N. Poroshin, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Far-infrared radiation from $n$-InGaAs/GaAs quantum-well heterostructures in high lateral electric fields under injection conditions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:5 (2014),  643–647  mathnet  elib; Semiconductors, 48:5 (2014), 625–629 2
2013
35. K. P. Kalinin, S. S. Krishtopenko, K. V. Marem'yanin, K. E. Spirin, V. I. Gavrilenko, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Rashba spin splitting and cyclotron resonance in strained InGaAs/InP heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:11 (2013),  1497–1503  mathnet  elib; Semiconductors, 47:11 (2013), 1485–1491 7
2012
36. V. V. Vainberg, V. M. Vasetskii, Yu. N. Gudenko, V. N. Poroshin, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, “Long-term decay of photoconductivity in $n$-InGaAs/GaAs heterostructures with coupled quantum wells under band-to-band excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:12 (2012),  1609–1612  mathnet  elib
37. N. V. Baidus, A. A. Biryukov, E. P. Dodin, Yu. N. Drozdov, M. N. Drozdov, Yu. N. Nozdrin, A. A. Andronov, “Heterostructures with GaAs/AlGaAs superlattices grown by MOCVD: growth features, optical and transport characteristics”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:12 (2012),  1593–1596  mathnet  elib
38. S. V. Tikhov, N. V. Baidus, A. A. Biryukov, V. E. Degtyarov, “Admittance spectroscopy of ring diode InGaAs/InAlAs/InP quantum-well structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:12 (2012),  1561–1565  mathnet  elib; Semiconductors, 46:12 (2012), 1524–1528 1
39. S. V. Tikhov, N. V. Baidus, A. A. Biryukov, S. V. Khazanova, “Determination of the electron concentration and mobility in the vicinity of a quantum well and $\delta$-doped layer in InGaAs/GaAs heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:12 (2012),  1532–1536  mathnet  elib; Semiconductors, 46:12 (2012), 1497–1501 2
40. S. V. Khazanova, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, D. A. Pavlov, N. V. Malekhonova, V. E. Degtyarov, D. S. Smotrin, I. A. Bobrov, “Tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:12 (2012),  1510–1514  mathnet  elib; Semiconductors, 46:12 (2012), 1476–1480 4
41. N. V. Baidus, V. V. Vainberg, B. N. Zvonkov, A. S. Pilipchuk, V. N. Poroshin, O. G. Sarbeĭ, “Transport properties of InGaAs/GaAs Heterostructures with $\delta$-doped quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:5 (2012),  649–654  mathnet  elib; Semiconductors, 46:5 (2012), 631–636 10
1992
42. B. I. Bednyi, L. A. Suslov, N. V. Baidus, I. A. Karpovich, “Electron states of InP surface modified by treatment in sulphur vapours”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1983–1985  mathnet
43. I. A. Karpovich, V. Ya. Aleshkin, A. V. Anshon, N. V. Baidus, L. M. Batukova, B. N. Zvonkov, S. M. Plankina, “Photoelectron effects in GaAs layers with quantum heteropit built-in on the surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:11 (1992),  1886–1893  mathnet
44. B. I. Bednyi, N. V. Baidus, T. V. Belich, I. A. Karpovich, “Effect of sulphidation on surface state and photoelectric properties of InP and GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992),  1383–1389  mathnet

Organisations