|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, М. Н. Солован, Э. В. Майструк, Д. П. Козярский, “Электрические и оптические свойства пленок Cu$_{2}$Zn(Fe,Mn)SnS$_{4}$, изготовленных спрей-пиролизом”, ЖТФ, 88:2 (2018), 251–257   ; I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, M. N. Solovan, E. V. Maistruk, D. P. Kozyarskii, “Electrical and optical properties of Cu$_{2}$Zn(Fe,Mn)SnS$_{4}$ films prepared by spray pyrolysis”, Tech. Phys., 63:2 (2018), 243–249 |
2
|
| 2. |
И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, О. А. Парфенюк, Э. В. Майструк, С. В. Ничий, “Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1049–1055 ; I. G. Orletskii, M. I. Ilashschuk, M. N. Solovan, P. D. Mar'yanchuk, O. A. Parfenyuk, E. V. Maistruk, S. V. Nichyi, “Electrical properties and energy parameters of $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te heterojunctions”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1171–1177 |
10
|
| 3. |
Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, “Электрические свойства гетероструктур $p$-NiO/$n$-Si на основе наноструктурированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 718–722 ; H. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical properties of $p$-NiO/$n$-Si heterostructures based on nanostructured silicon”, Semiconductors, 52:7 (2018), 859–863 |
12
|
| 4. |
М. Н. Солован, Г. О. Андрущак, А. И. Мостовой, Т. Т. Ковалюк, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Диоды Шоттки графит/$p$-SiC, полученные методом переноса нарисованной пленки графита на SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 248–253 ; M. N. Solovan, G. O. Andrushchak, A. I. Mostovyi, T. T. Kovaliuk, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Graphite/$p$-SiC Schottky diodes prepared by transferring drawn graphite films onto SiC”, Semiconductors, 52:2 (2018), 236–241 |
6
|
|
2017 |
| 5. |
М. Н. Солован, А. И. Мостовой, С. В. Биличук, F. Pinna, Т. Т. Ковалюк, В. В. Брус, Э. В. Майструк, И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, “Структурные и оптические свойства пленок Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$, полученных методом магнетронного распыления мишени из сплава Cu$_{2}$ZnSn”, Физика твердого тела, 59:8 (2017), 1619–1623 ; M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, S. V. Bilichuk, F. Pinna, T. T. Kovaliuk, V. V. Brus, E. V. Maistruk, I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, “Structural and optical properties of Cu$_{2}$ZnSn(S,Se)$_{4}$ films obtained by magnetron sputtering of a Cu$_{2}$ZnSn alloy target”, Phys. Solid State, 59:8 (2017), 1643–1647 |
5
|
| 6. |
И. Г. Орлецкий, М. Н. Солован, F. Pinna, G. Cicero, П. Д. Марьянчук, Э. В. Майструк, E. Tresso, “Структурные, оптические и электрические свойства тонких пленок Cu$_{2}$SnS$_{3}$, полученных золь-гель-методом”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 783–789 ; I. G. Orletskii, M. N. Solovan, F. Pinna, G. Cicero, P. D. Mar'yanchuk, E. V. Maistruk, E. Tresso, “Structural, optical, and electrical properties of Cu$_{2}$SnS$_{3}$ thin films produced by sol gel method”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 801–807 |
19
|
| 7. |
M. M. Solovan, V. V. Brus, A. I. Mostovyi, P. D. Mar'yanchuk, I. G. Orletskyi, T. T. Kovaliuk, S. L. Abashin, “Silicon nanowire array architecture for heterojunction electronics”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 569 ; Semiconductors, 51:4 (2017), 542–548 |
1
|
| 8. |
Г. П. Пархоменко, М. Н. Солован, А. И. Мостовой, К. С. Ульяницкий, П. Д. Марьянчук, “Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 358–362 ; H. P. Parkhomenko, M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, K. S. Ulyanytsky, P. D. Mar'yanchuk, “Temperature dependences of the electrical parameters of anisotype NiO/CdTe heterojunctions”, Semiconductors, 51:3 (2017), 344–348 |
9
|
|
2016 |
| 9. |
И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, М. Н. Солован, В. В. Брус, Э. В. Майструк, Д. П. Козярский, С. Л. Абашин, “Оптические свойства и механизмы протекания тока в пленках Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$, полученных спрей–пиролизом”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 1024–1029 ; I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, M. N. Solovan, V. V. Brus, E. V. Maistruk, D. P. Kozyarskii, S. L. Abashin, “Optical properties and mechanisms of current flow in Cu$_{2}$ZnSnS$_{4}$ films prepared by spray pyrolysis”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 1058–1064 |
16
|
| 10. |
И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, Э. В. Майструк, М. Н. Солован, В. В. Брус, “Низкотемпературный спрей-пиролиз пленок FeS$_{2}$, их электрические и оптические свойства”, Физика твердого тела, 58:1 (2016), 39–43 ; I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, E. V. Maistruk, M. N. Solovan, V. V. Brus, “Low-temperature spray-pyrolysis of FeS$_2$ films and their electrical and optical properties”, Phys. Solid State, 58:1 (2016), 37–41 |
17
|
| 11. |
М. Н. Солован, А. И. Мостовой, В. В. Брус, Э. В. Майструк, П. Д. Марьянчук, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктуры $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1041–1046 ; M. N. Solovan, A. I. Mostovyi, V. V. Brus, E. V. Maistruk, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical and photoelectric properties of $n$-ТiN/$p$-Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$ heterostructures”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1020–1024 |
3
|
| 12. |
И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, М. М. Солован, З. Д. Ковалюк, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 339–343 ; I. G. Orletskii, M. I. Ilashschuk, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, M. M. Solovan, Z. D. Kovalyuk, “Electrical and photoelectric properties of the TiN/$p$-InSe heterojunction”, Semiconductors, 50:3 (2016), 334–338 |
7
|
| 13. |
И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, М. Н. Солован, Э. В. Майструк, Д. П. Козярский, “Особенности электрических и оптических свойств пленок Cu$_{2}$Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$SnS$_{4}$, полученных спрей-пиролизом”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 27–34 ; I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, M. N. Solovan, E. V. Maistruk, D. P. Kozyarskii, “Peculiarities in electrical and optical properties of Cu$_{2}$Zn$_{1-x}$Mn$_{x}$SnS$_{4}$ films obtained by spray pyrolysis”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 291–294 |
17
|
|
2014 |
| 14. |
В. В. Брус, М. Н. Солован, Э. В. Майструк, И. П. Козярский, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий, J. Rappich, “Особенности оптических и электрических свойств поликристаллических пленок CdTe, изготовленных методом термического испарения”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 1886–1890 ; V. V. Brus, M. N. Solovan, E. V. Maistruk, I. P. Kozyarskii, P. D. Mar'yanchuk, K. S. Ulyanytsky, J. Rappich, “Specific features of the optical and electrical properties of polycrystalline CdTe films grown by the thermal evaporation method”, Phys. Solid State, 56:10 (2014), 1947–1951 |
33
|
| 15. |
Т. Т. Ковалюк, Э. В. Майструк, П. Д. Марьянчук, “Влияние отжига на кинетические свойства и зонные параметры полупроводниковых кристаллов Hg$_{1-x-y}$Cd$_x$Eu$_y$Se”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1719–1723 ; T. T. Kovaliuk, E. V. Maistruk, P. D. Mar'yanchuk, “Effect of annealing on the kinetic properties and band parameters of Hg$_{1-x-y}$Cd$_x$Eu$_y$Se semiconductor crystals”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1680–1684 |
| 16. |
М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Особенности рекомбинационных потерь фототока в анизотипных гетеропереходах $n$-TiN/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1540–1542 ; M. N. Solovan, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Specific features of the recombination loss of the photocurrent in $n$-TiN/$p$-Si anisotype heterojunctions”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1504–1506 |
4
|
| 17. |
А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Механизмы токопереноса в гетероструктурах на основе тонких пленок TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1205–1208 ; A. I. Mostovyi, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Charge-transport mechanisms in heterostructures based on TiO$_2$ : Cr$_2$O$_3$ thin films”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1174–1177 |
3
|
| 18. |
В. В. Брус, И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, П. Д. Марьянчук, “Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1075–1079 ; V. V. Brus, I. G. Orletskii, M. I. Ilashschuk, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical properties of thin-film semiconductor heterojunctions $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1046–1050 |
5
|
| 19. |
М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdO/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 926–931 ; M. N. Solovan, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical properties of anisotype $n$-CdO/$p$-Si heterojunctions”, Semiconductors, 48:7 (2014), 899–904 |
3
|
| 20. |
В. В. Брус, М. И. Илащук, И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий, “Электрические свойства МОП диодов In/TiO$_2$/$p$-CdTe”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 504–508 ; V. V. Brus, M. I. Ilashschuk, I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, K. S. Ulyanytsky, “Electrical properties of MOS diodes In/TiO$_2$/$p$-CdTe”, Semiconductors, 48:4 (2014), 487–491 |
6
|
| 21. |
М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Изотипная поверхностно-барьерная гетероструктура $n$-TiN/$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 232–236 ; M. N. Solovan, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Isotype surface-barrier $n$-TiN/$n$-Si heterostructure”, Semiconductors, 48:2 (2014), 219–223 |
13
|
| 22. |
М. Н. Солован, Э. В. Майструк, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Hg$_3$In$_2$Te$_6$”, Письма в ЖТФ, 40:6 (2014), 1–6 ; M. N. Solovan, E. V. Maistruk, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical properties of anisotype $n$-TiN/$p$-Hg$_3$In$_2$Te$_6$ heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 40:3 (2014), 231–233 |
4
|
|
2013 |
| 23. |
М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, Т. Т. Ковалюк, J. Rappich, M. Gluba, “Кинетические свойства тонких пленок ТiN, полученных методом реактивного магнетронного распыления”, Физика твердого тела, 55:11 (2013), 2123–2127 ; M. N. Solovan, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, T. T. Kovaliuk, J. Rappich, M. Gluba, “Kinetic properties of TiN thin films prepared by reactive magnetron sputtering”, Phys. Solid State, 55:11 (2013), 2234–2238 |
22
|
| 24. |
М. Н. Солован, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-TiN/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1185–1190 ; M. N. Solovan, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical and photoelectric properties of anisotype $n$-TiN/$p$-Si heterojunctions”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1174–1179 |
23
|
| 25. |
А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, “Механизмы токопереноса в анизотипных гетероструктурах $n$-ТiО$_2$/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 788–792 ; A. I. Mostovyi, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, “Charge transport mechanisms in anisotype $n$-ТiО$_2$/$p$-Si heterostructures”, Semiconductors, 47:6 (2013), 799–803 |
14
|
|
2012 |
| 26. |
В. В. Брус, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук, “Оптические свойства тонких пленок TiO$_2$–MnO$_2$, изготовленных по методу электронно-лучевого испарения”, ЖТФ, 82:8 (2012), 110–113 ; V. V. Brus, Z. D. Kovalyuk, P. D. Mar'yanchuk, “Optical properties of TiО$_2$–MnO$_2$ thin films prepared by electron-beam evaporation”, Tech. Phys., 57:8 (2012), 1148–1151 |
22
|
| 27. |
В. В. Брус, М. И. Илащук, В. В. Хомяк, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий, “Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdZnO/$p$-CdTe”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1175–1180 ; V. V. Brus, M. I. Ilashschuk, V. V. Khomyak, Z. D. Kovalyuk, P. D. Mar'yanchuk, K. S. Ulyanytsky, “Electrical properties of anisotype heterojunctions $n$-CdZnO/$p$-CdTe”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1152–1157 |
18
|
|
1984 |
| 28. |
Н. П. Гавалешко, И. И. Ляпилин, П. Д. Марьянчук, А. И. Пономарев, Г. И. Харус, “Влияние обменного взаимодействия на $g$-фактор
электронов проводимости в HgMnSe”, Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984), 990–993 |
|
