|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
И. Е. Тысченко, Е. В. Спесивцев, А. А. Шкляев, В. П. Попов, “Структурные изменения в пленках кремний-на-изоляторе нанометровой толщины при высокотемпературном отжиге”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 320–327   |
| 2. |
И. Е. Тысченко, Р. А. Хмельницкий, В. В. Сарайкин, В. А. Володин, В. П. Попов, “Диффузия германия из захороненного слоя SiO$_2$ и формирование фазы SiGe”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 192–198 |
|
2021 |
| 3. |
И. Е. Тысченко, M. Voelskow, Сы Чжунбинь, В. П. Попов, “Диффузия атомов In в пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами As$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 217–223 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, Si. Zh, V. P. Popov, “Diffusion of In atoms in SiO$_{2}$ films implanted with As$^{+}$ ions”, Semiconductors, 55:3 (2021), 289–295 |
| 4. |
И. Е. Тысченко, Ж. Чжан, “Свойства структуры и оптических фононов в нанокристаллах InSb, синтезированных в Si и SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 55:1 (2021), 59–68 ; I. E. Tyschenko, R. Zhang, “Structural and optical-phonon properties of InSb nanocrystals synthesized in Si and SiO$_2$ matrices”, Semiconductors, 55:1 (2021), 76–85 |
2
|
|
2019 |
| 5. |
И. Е. Тысченко, M. Voelskow, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Диффузия и взаимодействие In и As, имплантированных в пленки SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1023–1029 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Diffusion and interaction of In and As implanted into SiO$_2$ films”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1004–1010 |
3
|
| 6. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. П. Попов, “Комбинационное рассеяние света в сферических нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных в пленках оксида кремния”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 502–507 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, V. P. Popov, “Raman scattering in InSb spherical nanocrystals ion-synthesized in silicon-oxide films”, Semiconductors, 53:4 (2019), 493–498 |
10
|
| 7. |
И. Е. Тысченко, И. В. Попов, Е. В. Спесивцев, “Анодное окисление слоев кремний-на-изоляторе, созданных методом водородного переноса”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 253–257 ; I. E. Tyschenko, I. V. Popov, E. V. Spesivtsev, “Anodic oxidation of hydrogen-transferred silicon-on-insulator layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 241–245 |
| 8. |
И. Е. Тысченко, Э. Д. Жанаев, В. П. Попов, “Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 65–69 ; I. E. Tyschenko, E. D. Zhanaev, V. P. Popov, “Bonding energy of silicon and sapphire wafers at elevated temperatures of joining”, Semiconductors, 53:1 (2019), 60–64 |
3
|
|
2018 |
| 9. |
И. Е. Тысченко, Г. К. Кривякин, В. А. Володин, “Ионный синтез кристаллической фазы Ge в пленках SiO$_{x}$N$_{y}$ при отжиге под высоким давлением”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 280–284 ; I. E. Tyschenko, G. K. Krivyakin, V. A. Volodin, “Ion-beam synthesis of the crystalline Ge phase in SiO$_{x}$N$_{y}$ films upon annealing under high pressure”, Semiconductors, 52:2 (2018), 268–272 |
|
2017 |
| 10. |
И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, “Диффузионно-контролируемый рост нанокристаллов Ge в пленках SiO$_{2}$ в условиях ионного синтеза под высоким давлением”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1414–1419 ; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, “Diffusion-Controlled growth of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ films under conditions of ion synthesis at high pressure”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1364–1369 |
| 11. |
И. Е. Тысченко, А. Г. Черков, В. А. Володин, M. Voelskow, “Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1289–1294 ; I. E. Tyschenko, A. G. Cherkov, V. A. Volodin, M. Voelskow, “Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO$_{2}$ thin films”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1240–1246 |
1
|
|
2015 |
| 12. |
И. Е. Тысченко, “Природа оранжевой (2 эВ) фотолюминесценции в пленках SiO$_2$, имплантированных большими дозами ионов Si$^+$”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1212–1216 ; I. E. Tyschenko, “An origin of orange (2 eV) photoluminescence in SiO$_2$ films implanted with high Si$^+$-ion doses”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1176–1180 |
2
|
|
2014 |
| 13. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. В. Козловский, В. П. Попов, “Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1339–1343 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, V. V. Kozlovsky, V. P. Popov, “Effect of hydrostatic pressure during the annealing of silicon-on-insulator films implanted with a high hydrogen-ion dose”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1303–1307 |
1
|
| 14. |
И. Е. Тысченко, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Ионный синтез нанокристаллов InSb в захороненном слое SiO$_2$ структуры кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1228–1233 ; I. E. Tyschenko, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov, “Ion-beam synthesis of InSb nanocrystals in the buried SiO$_2$ layer of a silicon-on-insulator structure”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1196–1201 |
12
|
|
2013 |
| 15. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, М. Фельсков, А. Г. Черков, В. П. Попов, “Кристаллизация пленок кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода, под действием термических миллисекундных импульсов”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 591–597 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, M. Voelskow, A. G. Cherkov, V. P. Popov, “Crystallization induced by thermal annealing with millisecond pulses in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions”, Semiconductors, 47:5 (2013), 606–611 |
1
|
|
2012 |
| 16. |
И. Е. Тысченко, В. А. Володин, “Квантово-размерный эффект в пленках кремний-на-изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1309–1313 ; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, “Quantum-confinement effect in silicon-on-insulator films implanted with high doses of hydrogen ions”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1286–1290 |
1
|
|
1992 |
| 17. |
Г. А. Качурин, Г. В. Гадияк, В. И. Шатров, И. Е. Тысченко, “Восходящая диффузия примеси при ионном облучении нагретого кремния:
численное моделирование”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1977–1982 |
| 18. |
Г. А. Качурин, И. Е. Тысченко, А. Е. Плотников, В. П. Попов, “Рост монокристаллического $\alpha\text{-Si}_{3}\text{N}_{4}$ в захороненных слоях, полученных низкоинтенсивной имплантацией ионов N$^{+}$ в нагретый кремний”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1390–1393 |
|
