|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Влияние деформации сжатия и растяжения на спектр дислокационной люминесценции в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 550–553   ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, “Effect of compressive and stretching strains on the dislocation luminescence spectrum in silicon”, Semiconductors, 55:7 (2021), 633–636 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Л. А. Павлова, Р. В. Пресняков, “Зависимость объемных электрофизических свойств мультикремния от параметров разориентации зерен”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 59–64 ; S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, V. I. Orlov, O. V. Feklisova, L. A. Pavlova, R. V. Presnyakov, “Dependence of the bulk electrical properties of multisilicon on the grain misorientation parameters”, Semiconductors, 53:1 (2019), 55–59 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, О. В. Феклисова, Р. В. Пресняков, “Электрическая активность протяженных дефектов в мультикремнии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 266–271 ; S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, L. A. Pavlova, O. V. Feklisova, R. V. Presnyakov, “Electrical activity of extended defects in multicrystalline silicon”, Semiconductors, 52:2 (2018), 254–259 |
4
|
|
2015 |
| 4. |
С. М. Пещерова, Е. Б. Якимов, А. И. Непомнящих, Л. А. Павлова, О. В. Феклисова, “Рекомбинационная активность границ раздела в мультикристаллическом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 741–745 ; S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, L. A. Pavlova, O. V. Feklisova, “Recombination activity of interfaces in multicrystalline silicon”, Semiconductors, 49:6 (2015), 724–728 |
6
|
| 5. |
В. И. Орлов, О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Исследование свойств протяженных дефектов в пластически деформированном кремнии методами EBIC и LBIC”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 737–740 ; V. I. Orlov, O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, “EBIC and LBIC studies of the properties of extended defects in plastically deformed silicon”, Semiconductors, 49:6 (2015), 720–723 |
3
|
| 6. |
О. В. Феклисова, Е. Б. Якимов, “Влияние меди на рекомбинационную активность протяженных дефектов в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 732–736 ; O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, “Effect of copper on the recombination activity of extended defects in silicon”, Semiconductors, 49:6 (2015), 716–719 |
3
|
|
2013 |
| 7. |
О. В. Феклисова, X. Yu, D. Yang, Е. Б. Якимов, “Влияние примесей металлов на рекомбинационную активность дислокаций в мультикристаллическом кремнии”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 195–198 ; O. V. Feklisova, X. Yu, D. Yang, E. B. Yakimov, “Influence of metal impurities on recombination activity of dislocations in multicrystalline silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 232–234 |
6
|
| 8. |
О. В. Феклисова, Н. А. Ярыкин, J. Weber, “Кинетика отжига борсодержащих центров в кремнии, облученном электронами”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 192–194 ; O. V. Feklisova, N. A. Yarykin, J. Weber, “Annealing kinetics of boron-containing centers in electron-irradiated silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 228–231 |
13
|
|
