|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
С. Н. Гарибова, А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. У. Атаева, Р. И. Алекперов, “Влияние режима получения образцов и термообработки на локальную структуру халькогенидного полупроводника Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 291–296   |
|
2020 |
| 2. |
А. И. Исаев, Х. И. Мамедова, С. И. Мехтиева, Р. И. Алекберов, “Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As–Ge–Te”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1052–1057 ; A. I. Isayev, H. I. Mammadova, S. I. Mekhtieva, R. I. Alekberov, “Structure and optical properties of chalcogenide glassy As–Ge–Te semiconductor”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1241–1246 |
3
|
|
2019 |
| 3. |
С. У. Атаева, С. И. Мехтиева, А. И. Исаев, С. Н. Гарибова, А. С. Гусейнова, “Влияние примеси самария на локальную структуру халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$ и механизм прохождения тока через структуры Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1655–1663 ; S. U. Atayeva, S. I. Mekhtieva, A. I. Isayev, S. N. Garibova, A. S. Huseynova, “Effect of the samarium impurity on the local structure of Se$_{95}$Te$_{5}$ chalcogenide glassy semiconductor and current passage through Al–Se$_{95}$Te$_{5}\langle\mathrm{Sm}\rangle$–Te structures”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1637–1645 |
1
|
| 4. |
С. Н. Гарибова, А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. У. Атаева, “Структура халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_{5}$, легированного примесью EuF$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1540–1543 ; S. N. Garibova, A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. U. Atayeva, “Structure of Se$_{95}$As$_{5}$ chalcogenide glassy semiconductor doped by EuF$_3$ impurity”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1507–1510 |
4
|
| 5. |
А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, Х. И. Мамедова, Р. И. Алекберов, “Cтруктура и оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников системы As–Ge–Se”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1532–1539 ; A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, H. I. Mammadova, R. I. Alekberov, “Structure and optical properties of chalcogenide glassy semiconductors of the As–Ge–Se system”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1500–1506 |
3
|
|
2017 |
| 6. |
С. И. Мехтиева, С. У. Атаева, А. И. Исаев, В. З. Зейналов, “Влияние примеси самария на структуру и морфологию поверхности халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_{5}$”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 809–814 ; S. I. Mekhtieva, S. U. Atayeva, A. I. Isayev, V. Z. Zeynalov, “Influence of the samarium impurity on the structure and surface morphology of Se$_{95}$Te$_{5}$ chalcogenide glassy semiconductor”, Semiconductors, 51:6 (2017), 777–782 |
|
2015 |
| 7. |
С. У. Атаева, С. И. Мехтиева, А. И. Исаев, “Дисперсия показателя преломления халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 971–974 ; S. U. Atayeva, S. I. Mekhtieva, A. I. Isayev, “Dispersion of the refractive index of a samarium-doped Se$_{95}$Te$_5$ chalcogenide glassy semiconductor”, Semiconductors, 49:7 (2015), 949–952 |
2
|
|
2014 |
| 8. |
С. И. Мехтиева, А. И. Исаев, С. У. Атаева, В. З. Зейналов, “Особенности локальной структуры халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$Te$_5$, легированного самарием”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1182–1185 ; S. I. Mekhtieva, A. I. Isayev, S. U. Atayeva, V. Z. Zeynalov, “Features of the local structure of the Se$_{95}$Te$_5$ chalcogenide vitreous semiconductor doped with samarium”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1151–1154 |
1
|
| 9. |
Р. И. Алекберов, С. И. Мехтиева, Г. А. Исаева, А. И. Исаев, “Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As–Se–S и As–Se–Te”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 823–826 ; R. I. Alekberov, S. I. Mekhtieva, G. A. Isaeva, A. I. Isayev, “Raman scattering in As–Se–S and As–Se–Te Chalcogenide vitreous semiconductors”, Semiconductors, 48:6 (2014), 800–803 |
11
|
| 10. |
Р. И. Алекберов, А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, Г. А. Исаева, “Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As–Se–S”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 818–822 ; R. I. Alekberov, A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, G. A. Isaeva, “Role of samarium atoms in the formation of the structure of As–Se–S chalcogenide vitreous semiconductors”, Semiconductors, 48:6 (2014), 796–799 |
6
|
| 11. |
А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, В. З. Зейналов, “Роль заряженных дефектов в фотопроводимости халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$ с примесью EuF$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 158–162 ; A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. N. Garibova, V. Z. Zeynalov, “Role of charged defects in the photoconductivity of Se$_{95}$As$_5$ chalcogenide glassy semiconductor with the EuF$_3$ impurity”, Semiconductors, 48:2 (2014), 148–151 |
|
2012 |
| 12. |
А. И. Исаев, С. И. Мехтиева, С. Н. Гарибова, В. З. Зейналов, “Электропроводность слоев халькогенидного стеклообразного полупроводника Se$_{95}$As$_5$, содержащего примеси редкоземельных атомов EuF$_3$, в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1138–1142 ; A. I. Isayev, S. I. Mekhtieva, S. N. Garibova, V. Z. Zeynalov, “Conductivity of Se$_{95}$As$_5$ chalcogenide glassy semiconductor layers containing the EuF$_3$ rare-earth impurity in high electric fields”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1114–1118 |
2
|
|
