|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. А. Алексеев, А. К. Кавеев, Г. В. Ли, Ш. А. Юсупова, М. И. Векслер, “Эпитаксиальное выращивание тонких пленок Ca$_{1-x}$Ba$_x$F$_2$ на Si(111) и исследование электрофизических характеристик структур металл–диэлектрик–полупроводник на их основе”, Письма в ЖТФ, 51:22 (2025), 26–30   |
|
2024 |
| 2. |
А. Ф. Кардо-Сысоев, М. Н. Черенёв, А. Г. Люблинский, И. А. Смирнова, Ш. А. Юсупова, Е. И. Белякова, М. И. Векслер, “Влияние внешних параметров на процесс переключения при задержанной ионизации в кремниевой $p^+$–$n$–$n^+$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 58:6 (2024), 326–332 |
| 3. |
М. И. Векслер, Ю. Ю. Илларионов, А. Г. Банщиков, T. Knobloch, И. А. Иванов, T. Grasser, Н. С. Соколов, Ш. А. Юсупова, “Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен–CaF$_2$–Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 272–277 |
| 4. |
Ю. Ю. Илларионов, А. Г. Банщиков, T. Knobloch, И. А. Иванов, T. Grasser, Н. С. Соколов, М. И. Векслер, “Полевой транзистор с графеновым каналом и эпитаксиальным слоем фторида кальция в роли подзатворного диэлектрика”, Письма в ЖТФ, 50:4 (2024), 27–30 |
|
2022 |
| 5. |
А. Г. Банщиков, М. И. Векслер, И. А. Иванов, Ю. Ю. Илларионов, Н. С. Соколов, С. М. Сутурин, “Пленки фторида кальция толщиной 2–10 нм на кремнии-(111): выращивание, диагностика, изучение сквозного токопереноса”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 888–892 ; A. G. Banshchikov, M. I. Vexler, I. A. Ivanov, Yu. Yu. Illarionov, N. S. Sokolov, S. M. Suturin, “Calcium fluoride films with 2–10 nm thickness on Silicon-(111): growth, diagnostics, study of the through current transport”, Semiconductors, 57:4 (2023), 211–215 |
1
|
|
2019 |
| 6. |
А. Г. Банщиков, Ю. Ю. Илларионов, М. И. Векслер, S. Wachter, Н. С. Соколов, “Характер изменения обратного тока в туннельных МДП-диодах с фторидом кальция на Si(111) при создании дополнительного оксидного слоя”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 844–849 ; A. G. Banshchikov, Yu. Yu. Illarionov, M. I. Vexler, S. Wachter, N. S. Sokolov, “Trends in reverse-current change in tunnel MIS diodes with calcium fluoride on Si(111) upon the formation of an extra oxide layer”, Semiconductors, 53:6 (2019), 833–837 |
|
2018 |
| 7. |
С. Э. Тягинов, А. А. Макаров, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, М. И. Векслер, D. Linten, T. Grasser, “О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1631–1635 ; S. È. Tyaginov, A. A. Makarov, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, M. I. Vexler, D. Linten, T. Grasser, “Impact of the device geometric parameters on hot-carrier degradation in FinFETs”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1738–1742 |
3
|
| 8. |
А. А. Макаров, С. Э. Тягинов, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, М. И. Векслер, D. Linten, T. Grasser, “Анализ особенностей деградации, вызываемой горячими носителями, в транзисторах с каналом в форме плавника”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1177–1182 ; A. A. Makarov, S. È. Tyaginov, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, M. I. Vexler, D. Linten, T. Grasser, “Analysis of the features of hot-carrier degradation in FinFETs”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1298–1302 |
3
|
| 9. |
М. И. Векслер, “Моделирование туннельного переноса электронов в системе полупроводник–кристаллический диэлектрик–Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 900–905 ; M. I. Vexler, “Simulating tunneling electron transport in the semiconductor–crystalline insulator–Si(111) system”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1031–1036 |
| 10. |
С. Э. Тягинов, А. А. Макаров, M. Jech, М. И. Векслер, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser, “Физические основы самосогласованного моделирования процессов генерации интерфейсных состояний и транспорта горячих носителей в транзисторах на базе структур металл–диэлектрик–кремний”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 254–259 ; S. È. Tyaginov, A. A. Makarov, M. Jech, M. I. Vexler, J. Franco, B. Kaczer, T. Grasser, “Physical principles of self-consistent simulation of the generation of interface states and the transport of hot charge carriers in field-effect transistors based on metal–oxide–semiconductor structures”, Semiconductors, 52:2 (2018), 242–247 |
2
|
| 11. |
Ю. Ю. Илларионов, А. Г. Банщиков, Н. С. Соколов, S. Wachter, М. И. Векслер, “Немонотонное изменение туннельной проводимости МДП-структуры с двухслойным диэлектриком при увеличении его толщины (на примере системы металл/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si)”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 150–157 ; Yu. Yu. Illarionov, A. G. Banshchikov, N. S. Sokolov, S. Wachter, M. I. Vexler, “Nonmonotonic change in the tunnel conductivity of an MIS structure with a two-layer insulator with an increase in its thickness (by the example of the metal/SiO$_{2}$/CaF$_{2}$/Si system)”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1188–1191 |
2
|
|
2017 |
| 12. |
М. И. Векслер, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов, “Заряд квантовой ямы и распределение напряжения в структуре металл–диэлектрик–кремний при резонансном туннелировании электронов”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 467–471 ; M. I. Vexler, Yu. Yu. Illarionov, I. V. Grekhov, “Quantum-well charge and voltage distribution in a metal–insulator–semiconductor structure upon resonant electron Tunneling”, Semiconductors, 51:4 (2017), 444–448 |
|
2016 |
| 13. |
М. И. Векслер, И. В. Грехов, “Специфика туннелирования носителей между валентной зоной кремния и металлом в приборах на основе структуры Al/high-$K$-oxide/SiO$_{2}$/Si”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 683–688 ; M. I. Vexler, I. V. Grekhov, “Features of carrier tunneling between the silicon valence band and metal in devices based on the Al/high-$K$-oxide/SiO$_{2}$/Si structure”, Semiconductors, 50:5 (2016), 671–677 |
3
|
| 14. |
М. И. Векслер, Г. Г. Карева, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов, “Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 62–69 ; M. I. Vexler, G. G. Kareva, Yu. Yu. Illarionov, I. V. Grekhov, “Resonant electron tunneling and related charging phenomena in metal–oxide–$p^+$-Si nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1090–1093 |
1
|
|
2015 |
| 15. |
М. И. Векслер, Ю. Ю. Илларионов, С. Э. Тягинов, T. Grasser, “Адаптация модели туннелирования в системе металл/CaF$_2$/Si(111) к использованию в симуляторах МДП-приборов”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 266–270 ; M. I. Vexler, Yu. Yu. Illarionov, S. È. Tyaginov, T. Grasser, “Adaptation of the model of tunneling in a metal/CaF$_2$/Si(111) system for use in industrial simulators of MIS devices”, Semiconductors, 49:2 (2015), 259–263 |
1
|
| 16. |
М. И. Векслер, “Повышение эффективности кремниевого туннельного МДП-инжектора горячих электронов при использовании оксидов с большой диэлектрической проницаемостью”, Письма в ЖТФ, 41:17 (2015), 103–110 ; M. I. Vexler, “Increasing the efficiency of a silicon tunnel MIS injector of hot electrons by using high-K oxides”, Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 863–866 |
3
|
|
2014 |
| 17. |
Г. Г. Карева, М. И. Векслер, “Туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором на базе конденсатора $p^+$-Si/нано-SiO$_2$/$n^+$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1416–1420 ; G. G. Kareva, M. I. Vexler, “$p^+$-Si/nano-SiO$_2$/$n^+$-Si capacitor-based tunnel diode with negative differential resistance and a quartz resonator”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1381–1384 |
|
2013 |
| 18. |
Г. Г. Карева, М. И. Векслер, “Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/$p^+$-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1087–1093 ; G. G. Kareva, M. I. Vexler, “Electrical phenomena in a metal/nanooxide/$p^+$-silicon structure during its transformation to a resonant-tunneling diode”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1084–1089 |
4
|
| 19. |
М. И. Векслер, С. Э. Тягинов, Ю. Ю. Илларионов, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, В. В. Федоров, Д. В. Исаков, “Общая процедура расчета электрических характеристик туннельных МДП-структур”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 675–683 ; M. I. Vexler, S. È. Tyaginov, Yu. Yu. Illarionov, Yew Kwang Sing, Ang Diing Shenp, V. V. Fedorov, D. V. Isakov, “A general simulation procedure for the electrical characteristics of metal-insulator-semiconductor tunnel structures”, Semiconductors, 47:5 (2013), 686–694 |
28
|
| 20. |
Ю. Ю. Илларионов, М. И. Векслер, D. Isakov, В. В. Федоров, Yew Kwang Sing, “Анализ особенностей электролюминесценции кремниевых МДП-структур как средство диагностики инжекционных свойств диэлектрического слоя”, Письма в ЖТФ, 39:19 (2013), 76–85 ; Yu. Yu. Illarionov, M. I. Vexler, D. Isakov, V. V. Fedorov, Yew Kwang Sing, “Analysis of the electroluminescence features of silicon metal-insulator-semiconductor structures as a tool for diagnostics of the injection properties of a dielectric layer”, Tech. Phys. Lett., 39:10 (2013), 878–882 |
|
