|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, А. М. Оспенников, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 946–951   ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. A. Shutaev, A. M. Ospennikov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 929–934 |
5
|
|
2015 |
| 2. |
И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. А. Пивоварова, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1720–1726 ; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1671–1677 |
5
|
| 3. |
Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 1003–1006 ; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, V. V. Parashchuk, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide”, Semiconductors, 49:7 (2015), 980–983 |
7
|
| 4. |
Е. А. Гребенщикова, В. В. Евстропов, Н. Д. Ильинская, Ю. С. Мельников, О. Ю. Серебренникова, В. Г. Сидоров, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические свойства структур Pd-оксид-InP”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 376–378 ; E. A. Grebenshchikova, V. V. Evstropov, N. D. Il'inskaya, Yu. S. Mel'nikov, O. Yu. Serebrennikova, V. G. Sidorov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Electrical properties of Pd-oxide-InP structures”, Semiconductors, 49:3 (2015), 364–366 |
9
|
| 5. |
А. А. Леонидов, В. В. Шерстнев, Е. А. Гребенщикова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015), 77–83 ; A. A. Leonidov, V. V. Sherstnev, E. A. Grebenshchikova, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Mode synchronization in a laser with coupled disk cavities”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 801–803 |
1
|
|
2014 |
| 6. |
V. Rakovics, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014), 1693–1696 ; V. Rakovics, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “High-power LEDs based on InGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1653–1656 |
1
|
| 7. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, А. А. Леонидов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1434–1438 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, A. A. Leonidov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence properties of a whispering-gallery-mode laser with coupled disk cavities”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1399–1403 |
|
2013 |
| 8. |
А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, И. В. Ковалёв, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 821–824 ; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, I. V. Kovalev, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Temperature dependence of the threshold current in quantum-well WGM lasers (2.0–2.5 $\mu$m)”, Semiconductors, 47:6 (2013), 831–834 |
1
|
| 9. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 690–695 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Improvement in the quantum sensitivity of InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure photodiodes”, Semiconductors, 47:5 (2013), 701–706 |
2
|
| 10. |
А. В. Золотухин, В. В. Шерстнев, К. А. Савельева, Е. А. Гребенщикова, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, С. И. Слобожанюк, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013), 39–45 ; A. V. Zolotukhin, V. V. Sherstnev, K. A. Savel'eva, E. A. Grebenshchikova, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, S. I. Slobozhanyuk, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Increasing output power of LEDs ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) by changing directions of reflected light fluxes in GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 203–205 |
1
|
|
2012 |
| 11. |
А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, А. М. Монахов, И. В. Ковалёв, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Исследование квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, при температурах выше комнатной”, Письма в ЖТФ, 38:14 (2012), 27–31 ; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, A. M. Monakhov, I. V. Kovalev, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Characterization of quantum-confinement whispering-gallery-mode lasers operating above room temperature”, Tech. Phys. Lett., 38:7 (2012), 654–656 |
1
|
| 12. |
Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012), 43–49 ; E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with quantum efficiency increased by changing directions of reflected light fluxes”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 470–473 |
3
|
| 13. |
Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, М. И. Ларченков, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. М. Монахов, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов”, Письма в ЖТФ, 38:7 (2012), 7–13 ; E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, M. I. Larchenkov, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. M. Monakhov, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Mid-infrared radiation sources based on coupled disk cavities”, Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 304–306 |
1
|
| 14. |
А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, А. М. Монахов, Д. С. Тарасов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Анизотропная поляризация излучения в квантово-размерных лазерах, работающих на модах шепчущей галереи”, Письма в ЖТФ, 38:3 (2012), 4–9 ; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, A. M. Monakhov, D. S. Tarasov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Anisotropic polarization of radiation in quantum-confinement whispering-gallery-mode lasers”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 103–105 |
|
2011 |
| 15. |
В. В. Шерстнев, Д. Старостенко, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 37:1 (2011), 11–17 ; V. V. Sherstnev, D. Starostenko, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP heterostructures for 2.5–4.9 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 37:1 (2011), 5–7 |
|
1993 |
| 16. |
Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993), 839–842 [Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, E. V. Stepanov, Ya. Ya. Ponurovskii, “InAsSb/InAsSbP injection lasers for high-resolution spectroscopy”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729  ] |
6
|
|
1992 |
| 17. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. А. Гореленок, Т. С. Лагунова, А. М. Литвак, М. А. Сиповская, С. П. Старосельцева, В. А. Тихомирова, В. В. Шерстнев, “Исследование структурных дефектов в эпитаксиальных слоях арсенида
индия”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1612–1624 |
|
1989 |
| 18. |
Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, С. С. Рувимов, Л. М. Сорокин, В. В. Шерстнев, “Механизмы релаксации напряжений несоответствия в гетероструктурах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As$_{1-y}$Sb$_{y}$/GaSb (${x\sim0.1}$, ${y\sim0.2}$)”, Физика твердого тела, 31:8 (1989), 158–163 |
|
1987 |
| 19. |
А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987), 1103–1108 |
|
