|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. Н. Лапушкин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура валентной зоны нитрида галлия при адсорбции натрия”, Физика твердого тела, 67:4 (2025), 617–623  |
|
2024 |
| 2. |
П. В. Середин, А. М. Мизеров, Н. А. Курило, С. А. Кукушкин, Д. Л. Голощапов, Н. С. Буйлов, А. С. Леньшин, Д. Н. Нестеров, М. С. Соболев, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, “Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности”, ЖТФ, 94:1 (2024), 138–150  |
|
2022 |
| 3. |
С. Н. Тимошнев, Г. В. Бенеманская, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, Я. Б. Эннс, “Изменение электронной структуры поверхности GaN/Si(111) при адсорбции Li”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 961–965 |
| 4. |
П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин, “Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 547–552 |
|
2021 |
| 5. |
А. А. Лазаренко, К. Ю. Шубина, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, А. М. Мизеров, М. С. Соболев, “Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1077–1080 |
| 6. |
П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 704–710 ; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001 |
|
2020 |
| 7. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 491–503 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 |
3
|
| 8. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 346–354 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 |
2
|
|
2019 |
| 9. |
С. Н. Тимошнев, А. М. Мизеров, Г. В. Бенеманская, С. А. Кукушкин, А. Д. Буравлев, “Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2294–2297 ; S. N. Timoshnev, A. M. Mizerov, G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, A. D. Bouravlev, “Photoemission studies of the electronic structure of GaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2282–2285 |
4
|
| 10. |
А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2289–2293 ; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 |
4
|
| 11. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, А. М. Мизеров, А. Д. Буравлев, “Металл-усиленное фотохимическое травление N- и Ga-полярных эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1726–1732 ; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, A. M. Mizerov, A. D. Bouravlev, “The metal-assisted photochemical etching of N- and Ga-face GaN epitaxial layers”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1717–1723 |
3
|
| 12. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, К. Ю. Шубин, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Д. Буравлев, “Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1212–1217 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 |
5
|
| 13. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1141–1151 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130 |
| 14. |
П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1010–1016 ; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 |
2
|
| 15. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
| 16. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 70–76 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71 |
| 17. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке, “Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 545–551 [P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551   ] |
2
|
|
2018 |
| 18. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1553–1562 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 |
2
|
| 19. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1425–1429 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 |
18
|
| 20. |
Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina, “Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 524 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 660–663 |
5
|
|
2017 |
| 21. |
К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, “Влияние параметров нитридизации и начальных ростовых условий на полярность эпитаксиальных слоев GaN, выращенных молекулярно-пучковой эпитаксией с плазменной активацией азота на подложках Si(111)”, Письма в ЖТФ, 43:21 (2017), 47–54 ; K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, “The effect of nitridation parameters and initial growth conditions on the polarity of GaN epitaxial layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 976–978 |
5
|
|
2015 |
| 22. |
А. М. Мизеров, П. Н. Кладько, Е. В. Никитина, А. Ю. Егоров, “Управление морфологией AlN при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложках Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 283–286 ; A. M. Mizerov, P. N. Kladko, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Control over the morphology of AlN during molecular beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen on Si (111) substrates”, Semiconductors, 49:2 (2015), 274–277 |
3
|
|
2012 |
| 23. |
Е. А. Шевченко, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, А. А. Ситникова, С. В. Иванов, А. А. Торопов, “Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N c различной морфологией”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1022–1026 ; E. A. Shevchenko, V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Quantum-confined stark effect and localization of charge carriers in Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N quantum wells with different morphologies”, Semiconductors, 46:8 (2012), 998–1002 |
6
|
| 24. |
Д. В. Нечаев, В. Н. Жмерик, А. М. Мизеров, П. С. Копьев, С. В. Иванов, “Контроль упругих напряжений в гетероструктурах III–N методом дифракции отраженных быстрых электронов в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 96–102 ; D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “RHEED monitoring of elastic stresses during MBE growth of group III nitride heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 443–445 |
4
|
| 25. |
M. Р. Айнбунд, А. Н. Алексеев, О. В. Алымов, В. Н. Жмерик, Л. В. Лапушкина, А. М. Мизеров, С. В. Иванов, А. В. Пашук, С. И. Петров, “Солнечно-слепые УФ-фотокатоды на основе гетероструктур AlGaN с границей спектральной чувствительности в диапазоне 300–330 nm”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012), 88–95 ; M. R. Ainbund, A. N. Alekseev, O. V. Alymov, V. N. Zhmerik, L. V. Lapushkina, A. M. Mizerov, S. V. Ivanov, A. V. Pashuk, S. I. Petrov, “Solar-blind UV photocathodes based on AlGaN heterostructures with a 300- to 330-nm spectral sensitivity threshold”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 439–442 |
35
|
|
