|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. К. Романчук, А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 209–213  |
|
2024 |
| 2. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Взаимосвязь конструкций и эффективности инфракрасных светоизлучающих диодов на основе квантово-размерных гетероструктур AlGaAs”, ЖТФ, 94:4 (2024), 632–637  |
| 3. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Н. А. Калюжный, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 50:19 (2024), 5–8 |
| 4. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Г. В. Климко, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, П. В. Покровский, М. З. Шварц, “Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем”, Письма в ЖТФ, 50:17 (2024), 38–41 |
| 5. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Д. А. Малевский, К. К. Прудченко, И. А. Толкачев, “Исследование деградации параметров субнаносекундного фотоэлектрического модуля при термоциклировании”, Письма в ЖТФ, 50:6 (2024), 44–46 |
|
2023 |
| 6. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, В. М. Андреев, “Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель”, ЖТФ, 93:1 (2023), 170–174 |
3
|
|
2021 |
| 7. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Е. А. Гребенщикова, В. М. Андреев, “Архитектура мезы и эффективность InGaP/Ga(In)As/Ge солнечных элементов”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1067–1074 |
| 8. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, Д. А. Малевский, “К 125-летию со дня рождения лауреата Нобелевской премии академика Николая Николаевича Семенова. Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, ЖТФ, 91:6 (2021), 915–921 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, D. A. Malevskii, “High-efficiency photovoltaic modules with solar concentrators”, Tech. Phys., 66:7 (2021), 857–863  |
4
|
| 9. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1218–1222 |
2
|
| 10. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Ф. Ю. Солдатенков, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 699–703 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
6
|
| 11. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 614–617 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
7
|
| 12. |
Д. А. Малевский, А. В. Малевская, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Динамика влажности воздуха в концентраторном фотоэлектрическом модуле с устройством осушения”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 52–54 ; D. A. Malevskii, A. V. Malevskaya, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Dynamics of air humidity in a concentrator photovoltaic module with a drying device”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 208–210 |
1
|
| 13. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Плазмохимическое и жидкостное травление в постростовой технологии каскадных солнечных элементов на основе гетероструктуры GaInP/GaInAs/Ge”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021), 14–17 ; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Plasmachemical and wet etching in the postgrowth technology of solar cells based on the GaInP/GaInAs/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 114–117 |
3
|
|
2020 |
| 14. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, Г. В. Климко, С. В. Иванов, В. С. Юферев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Разработка и исследование туннельных $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs для многопереходных преобразователей мощного лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 285–291 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, G. V. Klimko, S. V. Ivanov, V. S. Yuferev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “Development and study of the $p$–$i$–$n$-диодов GaAs/AlGaAs tunnel diodes for multijunction converters of high-power laser radiation”, Semiconductors, 54:3 (2020), 355–361 |
4
|
| 15. |
А. В. Малевская, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. М. Андреев, “Исследование методов пассивации и защиты каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 35–37 ; A. V. Malevskaya, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. M. Andreev, “Investigation of passivating and protecting methods for multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 976–978 |
1
|
| 16. |
А. В. Чекалин, А. В. Андреева, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, Н. А. Садчиков, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлектрические модули с концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:13 (2020), 24–26 ; A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, N. A. Sadchikov, V. M. Andreev, “High-efficiency photoelectric units with sunlight concentrators”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 646–648 |
| 17. |
Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, А. В. Малевская, В. М. Андреев, “Система контроля точности слежения за Солнцем концентраторных фотоэнергоустановок”, Письма в ЖТФ, 46:11 (2020), 11–13 ; D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. R. Larionov, A. V. Malevskaya, V. M. Andreev, “Control system of Sun-tracking accuracy for concentration photovoltaic installations”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 523–525 |
2
|
| 18. |
Н. Ю. Давидюк, А. В. Андреева, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, В. М. Андреев, “Теплоотводящие электроизолирующие платы для фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 46:9 (2020), 29–31 ; N. Yu. Daviduk, A. V. Andreeva, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, V. M. Andreev, “Electroinsulated heat sinks for concentrated photovoltaic solar cells”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 436–438 |
1
|
|
2019 |
| 19. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 41–43 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Increasing the photocurrent of a Ga(In)As subcell in multijunction solar cells based on GaInP/Ga(In)As/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1258–1261 |
1
|
| 20. |
А. В. Малевская, Н. Д. Ильинская, В. М. Андреев, “Разработка методов жидкостного травления разделительной меза-структуры при создании каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 14–16 ; A. V. Malevskaya, N. D. Il'inskaya, V. M. Andreev, “Development of methods for liquid etching of a separation mesa-structure in creating multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1230–1232 |
6
|
| 21. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, В. М. Андреев, “Тритиевые источники электропитания на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:23 (2019), 30–33 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, V. M. Andreev, “Tritium power supply sources based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1197–1199 |
11
|
| 22. |
А. В. Малевская, Ю. М. Задиранов, А. А. Блохин, В. М. Андреев, “Исследование формирования антиотражающего покрытия каскадных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 15–17 ; A. V. Malevskaya, Yu. M. Zadiranov, A. A. Blokhin, V. M. Andreev, “Studying the formation of antireflection coatings on multijunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1024–1026 |
4
|
| 23. |
В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Андреева, В. М. Андреев, В. В. Малютина-Бронская, В. Б. Залесский, А. М. Лемешевская, В. И. Кузоро, В. И. Халиманович, М. К. Зайцева, “Гибридные солнечные элементы с системой концентрации оптического излучения”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 52–54 ; V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, A. V. Andreeva, V. M. Andreev, V. V. Malyutina-Bronskaya, V. B. Zalesskiy, A. M. Lemeshevskaya, V. I. Kuzoro, V. I. Khalimanovich, M. K. Zayceva, “Hybrid solar cells with a sunlight concentrator system”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 850–852 |
7
|
| 24. |
А. В. Малевская, В. П. Хвостиков, Ф. Ю. Солдатенков, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Исследование омических контактов мощных фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 45:1 (2019), 12–15 ; A. V. Malevskaya, V. P. Khvostikov, F. Yu. Soldatenkov, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “A study of ohmic contacts of power photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1198–1200 |
3
|
|
2018 |
| 25. |
А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215 ; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 |
7
|
| 26. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 |
10
|
| 27. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, В. М. Андреев, “Просветление поверхности субэлемента на основе германия в каскадных GaInP/GaAs/Ge-солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 44:22 (2018), 95–101 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Andreev, “An antireflection coating of a germanium subcell in GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 1042–1044 |
1
|
| 28. |
В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, А. В. Андреева, “Тепловые характеристики высокоэффективных фотоэлектрических преобразователей мощного лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:21 (2018), 105–110 ; V. M. Andreev, N. Yu. Daviduk, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, A. V. Andreeva, “Thermal characteristics of high-efficiency photovoltaic converters of high-power laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:11 (2018), 999–1001 |
| 29. |
В. П. Хвостиков, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, А. Н. Паньчак, В. М. Андреев, “Высокоэффективные AlGaAs/GaAs фотоэлектрические преобразователи с торцевым вводом лазерного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:17 (2018), 42–48 ; V. P. Khvostikov, P. V. Pokrovskii, O. A. Khvostikova, A. N. Panchak, V. M. Andreev, “High-efficiency AlGaAs/GaAs photovoltaic converters with edge input of laser light”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 776–778 |
7
|
|
2016 |
| 30. |
В. М. Андреев, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Д. Румянцев, А. В. Чекалин, “Основные фотоэлектрические характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/InGaAs/Ge в широком диапазоне температур (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1374–1379 ; V. M. Andreev, D. A. Malevskii, P. V. Pokrovskii, V. D. Rumancev, A. V. Chekalin, “On the main photoelectric characteristics of three-junction InGaP/InGaAs/Ge solar cells in a broad temperature range (-197 $\le T\le$ +85$^\circ$C)”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1356–1361 |
| 31. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения ($\lambda$ = 1550 нм) на основе GaSb: метод получения и характеристики”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1358–1362 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, R. V. Levin, B. V. Pushnii, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “GaSb laser-power ($\lambda$ = 1550 nm) converters: Fabrication method and characteristics”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1338–1343 |
10
|
| 32. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, В. М. Емельянов, Н. Х. Тимошина, В. М. Андреев, “Фотоэлектрический преобразователь лазерного излучения на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1242–1246 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, V. M. Emelyanov, N. Kh. Timoshina, V. M. Andreev, “Photovoltaic laser-power converter based on AlGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1220–1224 |
50
|
|
2015 |
| 33. |
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. З. Шварц, Е. П. Марухина, В. П. Хвостиков, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 715–718 ; R. V. Levin, A. E. Marichev, M. Z. Shvarts, E. P. Marukhina, V. P. Khvostikov, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, V. M. Andreev, “Photovoltaic converters of concentrated sunlight, based on InGaAsP(1.0 eV)/InP heterostructures”, Semiconductors, 49:5 (2015), 700–703 |
14
|
|
2014 |
| 34. |
В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Д. А. Малевский, А. Н. Паньчак, В. Д. Румянцев, Н. А. Садчиков, А. В. Чекалин, A. Luque, “Концентраторные модули нового поколения на основе каскадных солнечных элементов: конструкция, оптические и температурные свойства”, ЖТФ, 84:11 (2014), 72–79 ; V. M. Andreev, N. Yu. Davidyk, D. A. Malevskii, A. N. Panchak, V. D. Rumancev, N. A. Sadchikov, A. V. Chekalin, A. Luque, “New-generation concentrator modules based on cascade solar cells: Design and optical and thermal properties”, Tech. Phys., 59:11 (2014), 1650–1657 |
7
|
| 35. |
Н. М. Лебедева, А. А. Усикова, В. В. Евстропов, М. В. Лебедев, В. П. Улин, В. М. Лантратов, В. М. Андреев, “Темновые вольт-амперные характеристики трехпереходных солнечных элементов: связь с эффективностью и влияние пассивирующих обработок”, ЖТФ, 84:6 (2014), 92–97 ; N. M. Lebedeva, A. A. Usikova, V. V. Evstropov, M. V. Lebedev, V. P. Ulin, V. M. Lantratov, V. M. Andreev, “Dark current-voltage characteristic of triple-junction solar cells: Their relation with the efficiency and the influence of passivating treatments”, Tech. Phys., 59:6 (2014), 879–883 |
1
|
| 36. |
В. М. Андреев, Е. А. Гребенщикова, П. А. Дмитриев, Н. Д. Ильинская, В. С. Калиновский, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, А. А. Усикова, “Влияние постростовых технологий на характеристики трехпереходных солнечных элементов InGaP/Ga(In)As/Ge”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014), 1249–1253 ; V. M. Andreev, E. A. Grebenshchikova, P. A. Dmitriev, N. D. Il'inskaya, V. S. Kalinovskii, E. V. Kontrosh, A. V. Malevskaya, A. A. Usikova, “Effect of postgrowth techniques on the characteristics of triple-junction InGaP/Ga(In)As/Ge solar cells”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1217–1221 |
9
|
|
2013 |
| 37. |
В. М. Андреев, Н. Ю. Давидюк, Е. А. Ионова, В. Д. Румянцев, “Фотоэлектрические модули с цилиндрическими световодами в системе вторичного концентрирования солнечного излучения”, ЖТФ, 83:9 (2013), 84–89 ; V. M. Andreev, N. Yu. Davidyk, E. A. Ionova, V. D. Rumancev, “Photovoltaic modules with cylindrical waveguides in a system for the secondary concentration of solar radiation”, Tech. Phys., 58:9 (2013), 1323–1328 |
2
|
| 38. |
А. С. Власов, В. П. Хвостиков, Л. Б. Карлина, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Е. П. Марухина, В. М. Андреев, “Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)”, ЖТФ, 83:7 (2013), 106–110 ; A. S. Vlasov, V. P. Khvostikov, L. B. Karlina, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, E. P. Marukhina, V. M. Andreev, “Spectral-splitting concentrator photovoltaic modules based on AlGaAs/GaAs/GaSb and GaInP/InGaAs(P) solar cells”, Tech. Phys., 58:7 (2013), 1034–1038 |
9
|
| 39. |
В. С. Калиновский, Р. В. Лёвин, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. Д. Румянцев, В. М. Андреев, “Получение и исследование $p$–$n$-структур с кристаллическими включениями в области пространственного заряда”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1677–1680 ; V. S. Kalinovskii, R. V. Levin, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, V. D. Rumancev, V. M. Andreev, “Fabrication and study of $p$–$n$ structures with crystalline inclusions in the space-charge region”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1652–1655 |
2
|
| 40. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, Н. С. Потапович, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. М. Андреев, “Высокоэффективные фотоэлементы на основе GaSb”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 273–279 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, N. S. Potapovich, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. M. Andreev, “High-efficiency GaSb photocells”, Semiconductors, 47:2 (2013), 307–313 |
11
|
|
2012 |
| 41. |
А. А. Андреев, В. М. Андреев, В. С. Калиновский, П. В. Покровский, Е. И. Теруков, “Оценка эффективности преобразования тонкопленочных однопереходных $a$-Si : H и тандема $\mu c$-Si:H + $a$-Si:H солнечных элементов из анализа экспериментальных темновых и нагрузочных I–V-характеристик”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012), 952–959 ; A. A. Andreev, V. M. Andreev, V. S. Kalinovskii, P. V. Pokrovskii, E. I. Terukov, “Evaluation of the conversion efficiency of thin-film single-junction ($a$-Si:H) and tandem ($\mu c$-Si:H + $a$-Si:H) solar cells by analysis of the experimental dark and load current-voltage (I–V) characteristics”, Semiconductors, 46:7 (2012), 929–936 |
3
|
|
