|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
З. Н. Соколова, Л. В. Асрян, “Анализ устойчивости генерации в лазерах на квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 684–692   |
|
2022 |
| 2. |
М. Е. Муретова, Ф. И. Зубов, Л. В. Асрян, Ю. М. Шерняков, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Конструкции блокирующих слоев для подавления паразитной рекомбинации в мощных диодных лазерах с GaAs волноводом”, Физика и техника полупроводников, 56:3 (2022), 363–369 |
|
2021 |
| 3. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, Л. В. Асрян, “Рабочие характеристики полупроводниковых лазеров на квантовых ямах в зависимости от ширины волноводной области”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1229–1235 |
|
2020 |
| 4. |
Ф. И. Зубов, М. Е. Муретова, А. С. Паюсов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, “Паразитная рекомбинация в лазере с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 296–303 ; F. I. Zubov, M. E. Muretova, A. S. Payusov, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, L. V. Asryan, “Parasitic recombination in a laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 54:3 (2020), 366–373 |
4
|
|
2019 |
| 5. |
Л. В. Асрян, “Лазеры на квантовых точках с асимметричными барьерными слоями: близкие к идеальным пороговые и мощностные характеристики”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 522–528 [L. V. Asryan, “Quantum dot lasers with asymmetric barrier layers: Close-to-ideal threshold and power characteristics”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 522–528   ] |
8
|
|
2018 |
| 6. |
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Ю. С. Балезина (Полубавкина), Э. И. Моисеев, М. Е. Муретова, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Нарушение локальной электронейтральности в квантовой яме полупроводникового лазера с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1518–1526 ; L. V. Asryan, F. I. Zubov, Yu. S. Balezina (Polubavkina), È. I. Moiseev, M. E. Muretova, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Violation of local electroneutrality in the quantum well of a semiconductor laser with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1621–1629 |
4
|
|
2017 |
| 7. |
З. Н. Соколова, Д. А. Веселов, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 998–1003 ; Z. N. Sokolova, D. A. Veselov, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Increase in the internal optical loss with increasing pump current and the output power of quantum well lasers”, Semiconductors, 51:7 (2017), 959–964 |
16
|
| 8. |
Ю. С. Полубавкина, Ф. И. Зубов, Э. И. Моисеев, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, Е. С. Семенова, K. Yvind, Л. В. Асрян, А. Е. Жуков, “Особенности волноводной рекомбинации в лазерных структурах с асимметричными барьерными слоями”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 263–268 ; Yu. S. Polubavkina, F. I. Zubov, È. I. Moiseev, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, E. S. Semenova, K. Yvind, L. V. Asryan, A. E. Zhukov, “Specific features of waveguide recombination in laser structures with asymmetric barrier layers”, Semiconductors, 51:2 (2017), 254–259 |
2
|
|
2016 |
| 9. |
Л. В. Асрян, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Теория мощностных характеристик лазеров на квантовой яме с асимметричными барьерными слоями: учет асимметрии заполнения электронных и дырочных состояний”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1380–1386 ; L. V. Asryan, F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, “Theory of the power characteristics of quantum-well lasers with asymmetric barrier layers: Inclusion of asymmetry in electron- and hole-state filling”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1362–1368 |
12
|
| 10. |
З. Н. Соколова, К. В. Бахвалов, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Скорость захвата электронов в зависимости от глубины квантовой ямы в полупроводниковых лазерах”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 679–682 ; Z. N. Sokolova, K. V. Bakhvalov, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Dependence of the electron capture velocity on the quantum-well depth in semiconductor lasers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 667–670 |
5
|
| 11. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводникового лазера на квантовых ямах: учёт глобальной электронейтральности структуры”, Квантовая электроника, 46:9 (2016), 777–781 [Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of a semiconductor quantum-well laser: inclusion of global electroneutrality in the structure”, Quantum Electron., 46:9 (2016), 777–781 ] |
6
|
|
2015 |
| 12. |
З. Н. Соколова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Сравнительный анализ влияния электронного и дырочного захвата на мощностные характеристики полупроводникового лазера”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1553–1557 ; Z. N. Sokolova, N. A. Pikhtin, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Comparative analysis of the effects of electron and hole capture on the power characteristics of a semiconductor quantum-well laser”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1506–1510 |
1
|
| 13. |
А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, Е. С. Семенова, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, М. В. Максимов, “Оптимизация асимметричных барьерных слоев в лазерных гетероструктурах InAlGaAs/AlGaAs на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 956–960 ; A. E. Zhukov, L. V. Asryan, E. S. Semenova, F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, M. V. Maksimov, “On the optimization of asymmetric barrier layers in InAlGaAs/AlGaAs laser heterostructures on GaAs substrates”, Semiconductors, 49:7 (2015), 935–938 |
7
|
| 14. |
Ф. И. Зубов, А. Е. Жуков, Ю. М. Шерняков, М. В. Максимов, Н. В. Крыжановская, K. Yvind, Е. С. Семенова, Л. В. Асрян, “Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на мощностные характеристики лазеров на квантовой яме”, Письма в ЖТФ, 41:9 (2015), 61–70 ; F. I. Zubov, A. E. Zhukov, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maksimov, N. V. Kryzhanovskaya, K. Yvind, E. S. Semenova, L. V. Asryan, “The effect of asymmetric barrier layers in the waveguide region on power characteristics of QW lasers”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 439–442 |
6
|
|
2014 |
| 15. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Расчет мощностных характеристик полупроводниковых лазеров с квантовыми ямами при одновременном учете электронов и дырок”, Квантовая электроника, 44:9 (2014), 801–805 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Calculation of output characteristics of semiconductor quantum-well lasers with account for both electrons and holes”, Quantum Electron., 44:9 (2014), 801–805 ] |
3
|
|
2013 |
| 16. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Пороговые характеристики полупроводниковых лазеров при нарушении электронейтральности в квантовых ямах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 428–432 [Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Threshold characteristics of semiconductor lasers under conditions of violation of electroneutrality in quantum wells”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 428–432 ] |
2
|
|
2012 |
| 17. |
В. Г. Талалаев, А. А. Тонких, Н. Д. Захаров, А. В. Сеничев, J. W. Tomm, P. Werner, Б. В. Новиков, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, А. Д. Буравлев, Ю. Б. Самсоненко, А. И. Хребтов, И. П. Сошников, Г. Э. Цырлин, “Светоизлучающие туннельные наноструктуры на основе квантовых точек в матрице кремния и арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 46:11 (2012), 1492–1503 ; V. G. Talalaev, A. A. Tonkikh, N. D. Zakharov, A. V. Senichev, J. W. Tomm, P. Werner, B. V. Novikov, L. V. Asryan, B. Fuhrmann, J. Schilling, H. S. Leipner, A. D. Bouravlev, Yu. B. Samsonenko, A. I. Khrebtov, I. P. Sotnikov, G. È. Cirlin, “Light-emitting tunneling nanostructures based on quantum dots in a Si and GaAs matrix”, Semiconductors, 46:11 (2012), 1460–1470 |
9
|
| 18. |
З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Л. В. Асрян, “Влияние числа квантовых ям в активной области на линейность ватт-амперной характеристики полупроводникового лазера”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1067–1073 ; Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, L. V. Asryan, “Effect of the number of quantum wells in the active region on the linearity of the light-current characteristic of a semiconductor laser”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1044–1050 |
7
|
| 19. |
А. Е. Жуков, Л. В. Асрян, Ю. М. Шерняков, М. В. Максимов, Ф. И. Зубов, Н. В. Крыжановская, K. Yvind, Е. С. Семенова, “Влияние асимметричных барьерных слоев в волноводной области на температурные характеристики лазеров на квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1049–1053 ; A. E. Zhukov, L. V. Asryan, Yu. M. Shernyakov, M. V. Maksimov, F. I. Zubov, N. V. Kryzhanovskaya, K. Yvind, E. S. Semenova, “Effect of asymmetric barrier layers in the waveguide region on the temperature characteristics of quantum-well lasers”, Semiconductors, 46:8 (2012), 2017–1031 |
6
|
|
2005 |
| 20. |
Л. В. Асрян, “Спонтанная излучательная рекомбинация и безызлучательная оже-рекомбинация в квантоворазмерных гетероструктурах”, Квантовая электроника, 35:12 (2005), 1117–1120 [L. V. Asryan, “Spontaneous radiative recombination and nonradiative Auger recombination in quantum-confined heterostructures”, Quantum Electron., 35:12 (2005), 1117–1120 ] |
37
|
|
