Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Tereshchenko, Oleg Evgen'evich
Doctor of physico-mathematical sciences (2013)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person54683
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=39889
https://orcid.org/0000-0002-6157-5874
https://www.researchgate.net/profile/Oleg-Tereshchenko

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. N. P. Stepina, A. O. Bazhenov, A. V. Shumilin, E. Yu. Zhdanov, D. V. Ishchenko, V. V. Kirienko, M. S. Aksenov, O. E. Tereshchenko, “Nonlinear Hall coefficient in films of a three-dimensional topological insulator”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 120:3 (2024),  208–213  mathnet; JETP Letters, 120:3 (2024), 199–204
2. D. V. Belyaev, Yu. E. Kovalenko, A. A. Titov, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, R. G. Chumakov, A. N. Titov, T. V. Kuznetsova, “Electronic structure of janus layers based on Ti$_{1-y}$Cr$_y$(Se$_{1-x}$S$_x$)$_2$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:7 (2024),  365–369  mathnet  elib
3. Yu. E. Kovalenko, M. V. Yakushev, V. I. Grebennikov, M. Orlita, S. G. Titova, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, T. V. Kuznetsova, “Electronic properties of the topological insulator Sb$_2$Te$_2$Se”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:4 (2024),  192–195  mathnet  elib
4. E. R. Zakirov, G. Yu. Sidorov, I. A. Krasnova, V. A. Golyashov, S. A. Ponomarev, O. E. Tereshchenko, I. V. Marchishin, “Passivation of CdHgTe surface using low-temperature plasma-enhanced atomic layer deposition of HfO$_2$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 50:16 (2024),  7–10  mathnet  elib
2023
5. M. S. Aksenov, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, “Oxide/InAs(001) interface passivation with fluorine”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 49:5 (2023),  6–9  mathnet  elib
6. A. E. Klimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, G. Yu. Sidorov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, E. V. Fedosenko, O. E. Tereshchenko, “Photosensitivity of a metal-insulator-semiconductor field-effect transistor based on PbSnTe:In film with a composition close to the bands inversion”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 49:3 (2023),  22–25  mathnet  elib 1
2022
7. D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, A. A. Rybkina, I. A. Golovchanskiy, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, I. V. Shchetinin, V. A. Golyashov, A. M. Shikin, “Mixed type of the magnetic order in intrinsic magnetic topological insulators Mn(Bi,Sb)$_2$Te$_4$”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 116:11 (2022),  793–800  mathnet; JETP Letters, 116:11 (2022), 817–824 6
8. D. A. Glazkova, D. A. Estyunin, I. I. Klimovskikh, T. P. Makarova, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. A. Golyashov, A. V. Koroleva, A. M. Shikin, “Electronic structure of magnetic topological insulators Mn(Bi$_{1-x}$Sb$_{x})_2$Te$_4$ with various concentration of sb atoms”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 115:5 (2022),  315–321  mathnet; JETP Letters, 115:5 (2022), 286–291 12
9. A. K. Kaveev, O. E. Tereshchenko, “Optimization of the buffer dielectric layer for the creation of low-defect epitaxial films of the topological insulator Pb$_{1-x}$Sn$_x$Te with $x\ge$ 0.4”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:7 (2022),  642–645  mathnet  elib
10. A. E. Klimov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, O. E. Tereshchenko, “MIS transistor based on PbSnTe : In film with an Al$_2$O$_3$ gate dielectric”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:2 (2022),  243–249  mathnet  elib
2021
11. A. B. Talochkin, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, “Optical phonon spectrum of the Ge$_2$Sb$_2$Te$_5$ single crystal”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 113:10 (2021),  683–688  mathnet  elib; JETP Letters, 113:10 (2021), 651–656  isi  scopus 2
12. A. S. Tarasov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, R. V. Menshchikov, I. N. Uzhakov, A. S. Kozhukhov, E. V. Fedosenko, O. E. Tereshchenko, “Preparation atomically clean and structurally ordered surfaces of epitaxial CdTe films for subsequent epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  748–753  mathnet  elib; Semiconductors, 55 (2021), s62–s66 6
13. A. K. Kaveev, D. N. Bondarenko, O. E. Tereshchenko, “Structural characterization of Pb$_{0.7}$Sn$_{0.3}$Te crystalline topological insulator thin films grown on Si(111)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  625–628  mathnet  elib; Semiconductors, 55:8 (2021), 682–685 2
2020
14. A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov, “Features of MIS structures based on insulating PbSnTe:In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1122–1128  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331 1
15. A. V. Ikonnikov, V. S. Dudin, A. I. Artamkin, A. N. Akimov, A. E. Klimov, O. E. Tereshchenko, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Optical and transport properties of epitaxial Pb$_{0.74}$Sn$_{0.26}$Te(In) films with a modifiable surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  896–901  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1086–1091 5
16. A. K. Kaveev, A. G. Banshchikov, A. N. Terpitsky, V. A. Golyashov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, D. A. Estyunin, A. M. Shikin, “Energy-gap opening near the Dirac point after the deposition of cobalt on the (0001) surface of the topological insulator BiSbTeSe$_{2}$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:9 (2020),  859–864  mathnet  elib; Semiconductors, 54:9 (2020), 1051–1055 3
17. A. N. Akimov, I. O. Akhundov, D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, N. S. Pschin, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, “Sign-alternating photoconductivity in PbSnTe : In films in the space-charge-limited current regime”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  796–800  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 951–955 2
2019
18. A. S. Tarasov, D. V. Ishchenko, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, A. E. Klimov, N. S. Pschin, S. P. Suprun, E. V. Fedosenko, V. N. Sherstyakova, O. E. Tereshchenko, “Modification of the surface properties of PbSnTe$\langle$In$\rangle$ epitaxial layers with composition near band inversion”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 89:11 (2019),  1795–1799  mathnet  elib; Tech. Phys., 64:11 (2019), 1704–1708 8
19. A. V. Ikonnikov, V. I. Chernichkin, V. S. Dudin, D. A. Akopian, A. N. Akimov, A. E. Klimov, O. E. Tereshchenko, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Features of the impurity-photoconductivity spectra of PbSnTe(In) epitaxial films with temperature changes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1303–1308  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1272–1277 2
20. A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, V. S. Epov, O. E. Tereshchenko, “Surface ñonductivity dynamics in PbSnTe : In films in the vicinity of a band inversion”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1207–1211  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1182–1186 2
2018
21. A. K. Kaveev, S. M. Suturin, N. S. Sokolov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, “A study of the crystal structure of Co$_{40}$Fe$_{40}$B$_{20}$ epitaxial films on a Bi$_{2}$Te$_{3}$ topological insulator”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:5 (2018),  10–15  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 184–186 5
2017
22. K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  395–402  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 5
2016
23. A. M. Shikin, I. I. Klimovskikh, M. V. Filianina, A. A. Rybkina, D. A. Pudikov, K. A. Kokh, O. E. Tereshchenko, “Surface spin-polarized currents generated in topological insulators by circularly polarized synchrotron radiation and their photoelectron spectroscopy indication”, Fizika Tverdogo Tela, 58:8 (2016),  1617–1628  mathnet  elib; Phys. Solid State, 58:8 (2016), 1675–1686 16
24. I. I. Klimovskikh, M. V. Filianina, S. V. Eremeev, A. A. Rybkina, A. G. Rybkin, E. V. Zhizhin, A. E. Petukhov, I. P. Rusinov, K. A. Kokh, E. V. Chulkov, O. E. Tereshchenko, A. M. Shikin, “Specific features of the electronic, spin, and atomic structures of a topological insulator Bi$_{2}$Te$_{2.4}$Se$_{0.6}$”, Fizika Tverdogo Tela, 58:4 (2016),  754–762  mathnet  elib; Phys. Solid State, 58:4 (2016), 779–787 5
2015
25. I. P. Rusinov, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, A. R. Shakhmametova, I. A. Azarov, E. V. Chulkov, “Role of anisotropy and spin-orbit interaction in the optical and dielectric properties of BiTeI and BiTeCl compounds”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 101:8 (2015),  563–568  mathnet  elib; JETP Letters, 101:8 (2015), 507–512  isi  elib  scopus 13
2014
26. M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, T. A. Levtsova, O. E. Tereshchenko, “Effect of fluorine on the electrical properties of anodic oxide/InAs(111)A interface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:3 (2014),  322–326  mathnet  elib; Semiconductors, 48:3 (2014), 307–311 4
2013
27. Yu. S. Ponosov, T. V. Kuznetsova, O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, E. V. Chulkov, “Dynamics of the BiTeI lattice at high pressures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 98:9 (2013),  626–630  mathnet  elib; JETP Letters, 98:9 (2013), 557–561  isi  elib  scopus 24
28. N. A. Valisheva, V. N. Kruchinin, O. E. Tereshchenko, A. S. Kozhukhov, T. A. Levtsova, S. V. Rykhlitskii, D. V. Shcheglov, “Study of the morphology and optical properties of anodic oxide layers on InAs (111)III”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:4 (2013),  532–537  mathnet  elib; Semiconductors, 47:4 (2013), 555–560 1
2012
29. I. A. Tarasov, N. N. Kosyrev, S. N. Varnakov, S. G. Ovchinnikov, S. M. Zharkov, V. A. Shvets, S. G. Bondarenko, O. E. Tereshchenko, “Quick ellipsometric technique for determining the thicknesses and optical constant profiles of Fe/SiO$_2$/Si(100) nanostructures during growth”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 82:9 (2012),  44–48  mathnet  elib; Tech. Phys., 57:9 (2012), 1225–1229 8
30. N. A. Valisheva, O. E. Tereshchenko, I. P. Prosvirin, A. V. Kalinkin, V. A. Golyashov, T. A. Levtsova, V. I. Bukhtiyarov, “Formation of anodic layers on InAs (111)III. Study of the chemical composition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:4 (2012),  569–575  mathnet  elib; Semiconductors, 46:4 (2012), 545–551 6
31. S. V. Eremeev, N. A. Valisheva, O. E. Tereshchenko, S. E. Kul'kova, “Change in the electronic properties of an InAs (111)A surface at oxygen and fluorine adsorption”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:1 (2012),  53–59  mathnet  elib; Semiconductors, 46:1 (2012), 49–55 8
32. O. E. Tereshchenko, A. G. Paulish, M. A. Neklyudova, T. S. Shamirzaev, A. S. Yaroshevich, I. P. Prosvirin, I. E. Zhaksylykova, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. N. Varnakov, M. V. Rautskii, N. V. Volkov, S. G. Ovchinnikov, A. V. Latyshev, “Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:1 (2012),  27–36  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 12–16 2
2011
33. O. E. Tereshchenko, K. A. Kokh, V. V. Atuchin, K. N. Romanyuk, S. V. Makarenko, V. A. Golyashov, A. S. Kozhukhov, I. P. Prosvirin, A. A. Shklyaev, “Stability of the (0001) surface of the Bi$^2$Se$^3$ topological insulator”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 94:6 (2011),  500–503  mathnet; JETP Letters, 94:6 (2011), 465–468  isi  scopus 27
34. O. E. Tereshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “Surfactant properties of cesium in molecular beam epitaxy of GaAs(100)”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 93:10 (2011),  647–652  mathnet; JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590  isi  scopus
2010
35. O. E. Tereshchenko, S. V. Eremeev, A. V. Bakulin, S. E. Kul'kova, “Reconstruction dependence of the etching and passivation of the GaAs(001) surface”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 91:9 (2010),  511–516  mathnet; JETP Letters, 91:9 (2010), 466–470  isi  scopus 5
2009
36. O. E. Tereshchenko, K. V. Toropetskiy, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “New Ga-enriched reconstructions on the GaAs(001) surface”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 89:4 (2009),  209–214  mathnet; JETP Letters, 89:4 (2009), 185–190  isi  scopus 3
2008
37. K. V. Toropetskiy, O. E. Tereshchenko, A. S. Terekhov, “Energy threshold of Cs-induced chemisorption of oxygen on a GaAs(Cs, O) surface”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 88:8 (2008),  597–600  mathnet; JETP Letters, 88:8 (2008), 520–523  isi  scopus 5
38. O. E. Tereshchenko, K. V. Toropetskiy, V. L. Alperovich, “Reversible superstructural transitions on the GaAs(001) surface under the selective effect of iodine and cesium”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 87:1 (2008),  41–44  mathnet; JETP Letters, 87:1 (2008), 35–38  isi  scopus 4
2004
39. A. A. Pakhnevich, V. V. Bakin, A. V. Yaz'kov, G. È. Shaibler, S. V. Shevelev, O. E. Tereshchenko, A. S. Yaroshevich, A. S. Terekhov, “Energy distributions of photoelectrons emitted from $p$-GaN(Cs, O) with effective negative electron affinity”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 79:10 (2004),  592–596  mathnet; JETP Letters, 79:10 (2004), 479–483  scopus 21
40. O. E. Tereshchenko, V. L. Alperovich, A. S. Terekhov, “Decrease in the bond energy of arsenic atoms on the GaAs(100)-(2$\times$4)/c(2$\times$8) surface due to the effect of adsorbed cesium”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 79:3 (2004),  163–167  mathnet; JETP Letters, 79:3 (2004), 131–135  scopus 26

Organisations