Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Sobolev, Maxim Sergeevich
Candidate of physico-mathematical sciences

https://www.mathnet.ru/eng/person183482
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. P. V. Seredin, A. M. Mizerov, N. A. Kurilo, S. A. Kukushkin, D. L. Goloshchapov, N. S. Builov, A. S. Len'shin, D. N. Nesterov, M. S. Sobolev, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, “Studies of Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, nanosized columnar heterostructures grown on silicon substrates with various surface modifications”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 94:1 (2024),  138–150  mathnet  elib
2. E. I. Vasil'kova, O. V. Barantsev, A. I. Baranov, E. V. Pirogov, K. O. Voropaev, A. A. Vasiliev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, M. S. Sobolev, “Temperature analysis of dark current in pin-photodiodes based on In$_{0.83}$Ga$_{0.17}$As/InP epitaxial heterostructures with metamorphic buffer layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:7 (2024),  358–364  mathnet  elib
2022
3. A. V. Babichev, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, D. V. Denisov, N. A. Fominykh, A. I. Baranov, A. S. Gudovskikh, I. A. Melnichenko, P. A. Yunin, V. N. Nevedomskiy, M. V. Tokarev, B. Ya. Ber, A. G. Gladyshev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. Yu. Egorov, “Study of active regions based on multiperiod GaAsN/InAs superlattice”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:10 (2022),  1002–1010  mathnet  elib
4. S. N. Timoshnev, G. V. Benemanskaya, A. M. Mizerov, M. S. Sobolev, Ya. B. Enns, “Changes in the electronic properties of the GaN/Si(111) surface under Li adsorption”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:10 (2022),  961–965  mathnet  elib
2021
5. A. Lazarenko, K. Yu. Shubina, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. M. Mizerov, M. S. Sobolev, “Influence of rapid thermal annealing on the distribution of nitrogen atoms in GaAsN/GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  1077–1080  mathnet  elib
6. L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. V. Svechnikov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, L. G. Gerchikov, E. V. Nikitina, A. S. Dashkov, M. M. Borisov, S. N. Yakunin, A. D. Bouravlev, “High-precision characterization of super-multiperiod AlGaAs/GaAs superlattices using X-ray reflectometry on a synchrotron source”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:15 (2021),  7–10  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 757–760 7
2020
7. L. I. Goray, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, N. K. Polyakov, A. S. Dashkov, M. V. Svechnikov, A. D. Bouravlev, “Deep X-ray reflectometry of supermultiperiod A$_3$B$_5$ structures with quantum wells grown by molecular-beam epitaxy”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:11 (2020),  1906–1912  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:11 (2020), 1822–1827 7
2019
8. A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1212–1217  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 5
9. S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  190–198  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 4
2018
10. A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1425–1429  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 18
11. Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina, “Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:5 (2018),  524  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 660–663 5
2017
12. E. V. Nikitina, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, T. N. Berezovskaya, “The influence of metamorphic-buffer layer design on the retention of characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic HEMT”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:18 (2017),  97–102  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 863–865 1
2016
13. E. V. Nikitina, A. S. Gudovskikh, A. Lazarenko, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, K. S. Zelentsov, I. A. Morozov, A. Yu. Egorov, “GaAs/InGaAsN heterostructures for multi-junction solar cells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:5 (2016),  663–667  mathnet  elib; Semiconductors, 50:5 (2016), 652–655 3
14. A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “The influence of an In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As transition layer design on the transport characteristics of a metamorphic high-electron-mobility transistor”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:6 (2016),  14–19  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 284–286 3
2015
15. A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, A. V. Babichev, D. A. Kudriashov, A. S. Gudovskikh, I. A. Morozov, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, “Study of multiple InAs/GaAs quantum-well structures by electroreflectance spectroscopy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:11 (2015),  1448–1452  mathnet  elib; Semiconductors, 49:11 (2015), 1400–1404 2
16. M. S. Sobolev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. S. Gudovskikh, A. Yu. Egorov, “MBE growth of GaP on a Si substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:4 (2015),  569–572  mathnet  elib; Semiconductors, 49:4 (2015), 559–562 22
17. A. Lazarenko, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, D. V. Denisov, A. Yu. Egorov, “Photoluminescence of heterostructures with GaP$_{1-x}$N$_x$ and GaP$_{1-x-y}$N$_x$As$_y$ layers grown on GaP and Si substrates by molecular-beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:4 (2015),  489–493  mathnet  elib; Semiconductors, 49:4 (2015), 479–482 7
2014
18. A. Yu. Egorov, P. N. Brunkov, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Lazarenko, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, S. G. Konnikov, “Multiperiod quantum-cascade nanoheterostructures: Epitaxy and diagnostics”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:12 (2014),  1640–1645  mathnet  elib; Semiconductors, 48:12 (2014), 1600–1604 8
19. A. V. Babichev, A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Ultra-wide electroluminescence spectrum of LED heterostructures based on GaPAsN semiconductor alloys”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:4 (2014),  518–522  mathnet  elib; Semiconductors, 48:4 (2014), 501–504 8
20. A. Lazarenko, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Yu. Egorov, “Molecular beam epitaxy of GaPN, GaPAsN, and InGaPN nitride solid solutions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:3 (2014),  407–411  mathnet  elib; Semiconductors, 48:3 (2014), 392–396 7
2013
21. E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, E. V. Pirogov, A. Yu. Egorov, “Dependence of the hybridization parameter on nitrogen molar fraction in nitrogen-containing GaPN solid solutions”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 39:24 (2013),  81–87  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1114–1116
2012
22. A. V. Babichev, V. Yu. Butko, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, N. V. Kryzhanovskaya, A. Yu. Egorov, “Electroluminescence of GaP$_x$N$_y$As$_{1-x-y}$ nanoheterostructures through a transparent electrode made of CVD graphene”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:6 (2012),  815–819  mathnet  elib; Semiconductors, 46:6 (2012), 796–800 8

Organisations