|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, “Температурная зависимость дислокационной электролюминесценции в кремниевых светодиодах с кислородными преципитатами”, Физика и техника полупроводников, 57:4 (2023), 289–294   |
1
|
|
2022 |
| 2. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, “Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией, сформированные с участием кислородных преципитатов”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 904–907 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, “Silicon light-emitting diodes with dislocation-related luminescence fabricated with participation of oxygen precipitates”, Semiconductors, 57:7 (2023), 343–346 |
2
|
| 3. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, “Эффективность возбуждения центров дислокационной люминесценции в кремнии с кислородными преципитатами”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022), 542–545 |
1
|
|
2021 |
| 4. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, “Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 928–931 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, E. I. Shek, “Effect of additional implantation with oxygen ions on the dislocation-related luminescence in silicon-containing oxygen precipitates”, Semiconductors, 55:12 (2021), 891–894 |
6
|
|
2020 |
| 5. |
А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, К. В. Карабешкин, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 580–584 ; A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, K. V. Karabeshkin, E. I. Shek, N. A. Sobolev, “Silicon light-emitting diodes with luminescence from (113) defects”, Semiconductors, 54:6 (2020), 687–690 |
5
|
|
2019 |
| 6. |
Н. А. Соболев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, А. Д. Бондарев, К. В. Карабешкин, Е. В. Фомин, А. Е. Калядин, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, “Образование дефектов в структурах GaAs с непокрытой и покрытой пленкой AlN поверхностями при имплантации ионов азота и последующем отжиге”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 437–440 ; N. A. Sobolev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, A. D. Bondarev, K. V. Karabeshkin, E. V. Fomin, A. E. Kalyadin, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, “Defect formation under nitrogen-ion implantation and subsequent annealing in GaAs structures with an uncovered surface and a surface covered with an AlN film”, Semiconductors, 53:4 (2019), 415–418 |
2
|
| 7. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, С. Г. Симакин, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 165–168 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. O. Parshin, N. S. Melesov, S. G. Simakin, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 156–159 |
2
|
| 8. |
Н. А. Соболев, О. В. Александров, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, А. Е. Калядин, Е. О. Паршин, Н. С. Мелесов, “Влияние температуры отжига на электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами германия”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 161–164 ; N. A. Sobolev, O. V. Aleksandrov, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, A. E. Kalyadin, E. O. Parshin, N. S. Melesov, “Influence of annealing temperature on electrically active centers in silicon implanted with germanium ions”, Semiconductors, 53:2 (2019), 153–155 |
1
|
|
2018 |
| 9. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, Р. Н. Кютт, В. М. Микушкин, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, В. И. Вдовин, “Дефектная структура слоев GaAs, имплантированных ионами азота”, Письма в ЖТФ, 44:18 (2018), 24–30 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, R. N. Kyutt, V. M. Mikushkin, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, V. I. Vdovin, “Defect structure of GaAs layers implanted with nitrogen ions”, Tech. Phys. Lett., 44:9 (2018), 817–819 |
3
|
| 10. |
Н. А. Соболев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Е. Калядин, К. В. Карабешкин, В. М. Микушкин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, Е. В. Шерстнев, Н. М. Шмидт, “Влияние дозы имплантации ионов азота на концентрацию точечных дефектов, введенных в слои GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 44–50 ; N. A. Sobolev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. E. Kalyadin, K. V. Karabeshkin, V. M. Mikushkin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, E. V. Sherstnev, N. M. Shmidt, “The effect of dose of nitrogen-ion implantation on the concentration of point defects introduced into GaAs layers”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 574–576 |
6
|
|
2017 |
| 11. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, “Влияние температуры измерения на люминесцентные свойства (113) дефектов в кремнии, имплантированном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1182–1184 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, “Influence of measurement temperature on the luminescence properties of (113) defects in oxygen-implanted silicon”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1133–1135 |
3
|
| 12. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, К. В. Карабешкин, П. А. Карасев, А. И. Титов, “Дислокационная фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами фтора”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 14–20 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, K. V. Karabeshkin, P. A. Karaseov, A. I. Titov, “Dislocation-related photoluminescence in silicon implanted with fluorine ions”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 50–52 |
4
|
|
2016 |
| 13. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2411–2414 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, K. V. Karabeshkin, “Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502 |
4
|
| 14. |
Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, D. Yang, “Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 254–258 ; N. A. Sobolev, K. F. Shtel'makh, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, D. Yang, “Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated $p$-Si”, Semiconductors, 50:2 (2016), 252–256 |
2
|
| 15. |
А. Е. Калядин, Н. А. Соболев, А. М. Стрельчук, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, “Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 250–253 ; A. E. Kalyadin, N. A. Sobolev, A. M. Strel'chuk, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, “Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties”, Semiconductors, 50:2 (2016), 249–251 |
2
|
| 16. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, М. В. Коновалов, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 241–244 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, M. V. Konovalov, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence”, Semiconductors, 50:2 (2016), 240–243 |
11
|
|
2015 |
| 17. |
Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, Е. И. Шек, “Температурные зависимости интенсивностей фотолюминесценции центров в кремнии, имплантированном ионами эрбия и кислорода”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1700–1703 ; N. A. Sobolev, K. F. Shtel'makh, A. E. Kalyadin, E. I. Shek, “Temperature dependences of the photoluminescence intensities of centers in silicon implanted with erbium and oxygen ions”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1651–1654 |
1
|
| 18. |
Н. А. Соболев, Д. В. Данилов, О. В. Александров, А. С. Лошаченко, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, Е. И. Шек, И. Н. Трапезникова, “Образование донорных центров при отжиге кремниевых светоизлучающих структур, имплантированных ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 418–420 ; N. A. Sobolev, D. V. Danilov, O. V. Aleksandrov, A. S. Loshachenko, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, E. I. Shek, I. N. Trapeznikova, “Formation of donor centers upon the annealing of silicon light-emitting structures implanted with oxygen ions”, Semiconductors, 49:3 (2015), 406–408 |
1
|
|
2014 |
| 19. |
А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. О. Тимофеева, В. К. Васильев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Е. И. Шек, “Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 212–216 ; A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, D. S. Korolev, A. O. Timofeeva, V. K. Vasil'ev, A. N. Shushonov, A. I. Bobrov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. I. Shek, “Effect of ion doping on the dislocation-related photoluminescence in Si$^+$-implanted silicon”, Semiconductors, 48:2 (2014), 199–203 |
7
|
|
2013 |
| 20. |
Б. А. Андреев, Н. А. Соболев, Д. В. Денисов, Е. И. Шек, “Влияние температуры отжига на низкотемпературную фотолюминесценцию в светоизлучающих структурах Si:Er, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1344–1346 ; B. A. Andreev, N. A. Sobolev, D. V. Denisov, E. I. Shek, “Effect of the annealing temperature on the low-temperature photoluminescence in Si:Er light-emitting structures grown by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1333–1335 |
| 21. |
Н. А. Соболев, А. С. Лошаченко, Д. С. Полоскин, Е. И. Шек, “Электрически активные центры, образующиеся в кремнии в процессе высокотемпературной диффузии бора и алюминия”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 255–257 ; N. A. Sobolev, A. S. Loshachenko, D. S. Poloskin, E. I. Shek, “Electrically active centers formed in silicon during the high-temperature diffusion of boron and aluminum”, Semiconductors, 47:2 (2013), 289–291 |
1
|
| 22. |
А. С. Лошаченко, О. Ф. Вывенко, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013), 251–254 ; A. S. Loshachenko, O. F. Vyvenko, E. I. Shek, N. A. Sobolev, “The electrically active centers in oxygen-implanted silicon”, Semiconductors, 47:2 (2013), 285–288 |
|
1992 |
| 23. |
Н. А. Соболев, А. И. Курбаков, Р. Н. Кютт, Э. Э. Рубинова, А. Е. Соколов, Е. И. Шек, “Исследование кремния методами диффузного рассеяния гамма и рентгеновских лучей”, Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2548–2554  |
| 24. |
Ю. В. Выжигин, Н. А. Соболев, Б. Н. Грессеров, Е. И. Шек, “Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование
электрически активных центров в кремниевых $p{-}n$-структурах при
термообработке”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1938–1944 |
|
1985 |
| 25. |
Н. А. Соболев, Е. И. Шек, С. И. Дудавский, А. А. Кравцов, “Подавление свирл-дефектов при термообработке пластин бестигельного
кремния в хлорсодержащей атмосфере”, ЖТФ, 55:7 (1985), 1457–1459 |
|
