|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
С. В. Тихов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. И. Белов, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Резистивное переключение в структурах металл–оксид–полупроводник с наноостровками GeSi на подложке кремния”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1741–1749   ; S. V. Tikhov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, A. I. Belov, D. O. Filatov, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Resistive switching in metal–oxide–semiconductor structures with GeSi nanoislands on a silicon substrate”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1668–1676 |
| 2. |
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304 ; S. V. Tikhov, A. I. Belov, D. S. Korolev, I. N. Antonov, A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Electrophysical characteristics of multilayer memristive nanostructures based on yttria-stabilized zirconia and tantalum oxide”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290 |
5
|
|
2019 |
| 3. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. И. Белов, И. Н. Антонов, А. И. Морозов, М. Н. Коряжкина, А. Н. Михайлов, “Механизмы токопереноса и резистивного переключения в конденсаторах со слоями стабилизированного иттрием диоксида гафния”, ЖТФ, 89:6 (2019), 927–934 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. I. Belov, I. N. Antonov, A. I. Morozov, M. N. Koryazhkina, A. N. Mikhaylov, “Mechanisms of current transport and resistive switching in capacitors with yttria-stabilized hafnia layers”, Tech. Phys., 64:6 (2019), 873–880 |
4
|
|
2018 |
| 4. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. И. Тетельбаум, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. И. Морозов, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Особенности поведения МДП мемристоров с нанослоем Si$_{3}$N$_{4}$, изготовленных на основе проводящей подложки Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1436–1442 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. I. Tetelbaum, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. I. Morozov, P. Karakolis, P. Dimitrakis, “Behavioral features of MIS memristors with a Si$_{3}$N$_{4}$ nanolayer fabricated on a conductive Si substrate”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1540–1546 |
13
|
| 5. |
D. O. Filatov, I. N. Antonov, D. Yu. Sinutkin, D. A. Liskin, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, V. E. Kotomina, M. E. Shenina, S. V. Tikhov, I. S. Korotaeva, “Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 470 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 465–467 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Д. С. Королев, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Изменение иммитанса при электроформовке и резистивном переключении в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_{x}$”, ЖТФ, 86:5 (2016), 107–111 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, D. S. Korolev, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Change of immitance during electroforming and resistive switching in the metal-insulator-metal memristive structures based on SiO$_{x}$”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 745–749 |
16
|
| 7. |
М. Н. Коряжкина, С. В. Тихов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе Si с наночастицами Au на границе раздела диэлектрик/полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1639–1643 ; M. N. Koryazhkina, S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, “Electrical and photoelectric properties of Si-based metal–insulator–semiconductor structures with Au nanoparticles at the insulator–semiconductor interface”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1614–1618 |
1
|
| 8. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, А. П. Касаткин, И. Н. Антонов, О. В. Вихрова, А. И. Морозов, “Электрофизические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе $n$-GaAs с квантовыми точками InAs, выращенными на поверхности слоя $n$-GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1615–1619 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, A. P. Kasatkin, I. N. Antonov, O. V. Vikhrova, A. I. Morozov, “Physical properties of metal–insulator–semiconductor structures based on $n$-GaAs with InAs quantum dots deposited onto the surface of an $n$-GaAs layer”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1589–1594 |
1
|
| 9. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Стимулированное светом резистивное переключение в структурах металл–диэлектрик–полупроводник на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 42:10 (2016), 78–84 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Light-induced resistive switching in silicon-based metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 536–538 |
20
|
| 10. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, М. Н. Коряжкина, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, “Особенности явления неравновесного обеднения, сопровождаемого процессами захвата неосновных носителей поверхностными состояниями, в структурах металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 52–60 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, M. N. Koryazhkina, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, “Specific features of nonequilibrium depletion accompanied by the trapping of minority carriers by surface states in metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 138–142 |
2
|
|
2015 |
| 11. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Д. О. Филатов, “Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 145–148 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, D. O. Filatov, “Influence of the spatial arrangement of the Si $\delta$ layer on the optoelectronic properties of InGaAs/GaAs quantum-well nanoheterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 139–142 |
| 12. |
С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, “Моделирование эффективного профиля концентрации в гетероструктурах InGaAs/GaAs с $\delta$-легированными слоями”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 53–57 ; S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, “Simulation of the effective concentration profiles in InGaAs/GaAs heterostructures containing $\delta$-doped layers”, Semiconductors, 49:1 (2015), 50–54 |
5
|
|
2014 |
| 13. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, “Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл–диэлектрик–полупроводник”, Письма в ЖТФ, 40:19 (2014), 18–26 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, “The forming process in resistive-memory elements based on metal–insulator–semiconductor structures”, Tech. Phys. Lett., 40:10 (2014), 837–840 |
10
|
| 14. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, А. И. Бобров, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, М. Е. Шенина, “Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 9–16 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, A. I. Bobrov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, M. E. Shenina, “Capacitors with nonlinear characteristics based on stabilized zirconia with built-in gold nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 369–371 |
13
|
|
2013 |
| 15. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, “Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония”, Письма в ЖТФ, 39:23 (2013), 72–79 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, “Features of Fermi-level pinning at the interface of Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As with anodic oxide and stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1064–1067 |
5
|
|
2012 |
| 16. |
С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, В. Е. Дегтярев, “Адмиттанс кольцевых диодных структур с квантовыми ямами InGaAs/InAlAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1561–1565 ; S. V. Tikhov, N. V. Baidus, A. A. Biryukov, V. E. Degtyarov, “Admittance spectroscopy of ring diode InGaAs/InAlAs/InP quantum-well structures”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1524–1528 |
1
|
| 17. |
С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, С. В. Хазанова, “Определение концентрации и подвижности электронов в окрестности квантовой ямы и $\delta$-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1532–1536 ; S. V. Tikhov, N. V. Baidus, A. A. Biryukov, S. V. Khazanova, “Determination of the electron concentration and mobility in the vicinity of a quantum well and $\delta$-doped layer in InGaAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1497–1501 |
2
|
| 18. |
С. В. Тихов, “Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1297–1303 ; S. V. Tikhov, “Small-signal field effect in GaAs/InAs quantum-dot heterostructures”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1274–1280 |
2
|
| 19. |
Д. И. Тетельбаум, С. В. Тихов, Е. В. Курильчик, Ю. А. Менделева, “Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 641–643 ; D. I. Tetelbaum, S. V. Tikhov, E. V. Kuril'chik, Yu. A. Mendeleva, “Long-range effect of the irradiation of silicon with light on the Schottky-barrier photovoltage”, Semiconductors, 46:5 (2012), 622–624 |
2
|
|
