|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. Э. Ячменев, Д. В. Гарабов, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Д. В. Лаврухин, “Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025), 42–44  |
| 2. |
Д. В. Лаврухин, Р. Р. Галиев, Н. В. Зенченко, Р. А. Хабибуллин, В. Н. Курлов, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, С. В. Гарнов, Д. С. Пономарев, “Повышение эффективности лазерного возбуждения оптоэлектронного терагерцевого источника при помощи массива ближнепольных сапфировых микролинз”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 46–48 |
|
2024 |
| 3. |
Д. С. Пономарев, Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, “Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах”, Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024), 105–110  |
| 4. |
Д. В. Лаврухин, Ю. Г. Гончаров, Р. А. Хабибуллин, К. И. Зайцев, Д. С. Пономарев, “Снижение шума фотопроводящей терагерцевой антенны-детектора на основе упругонапряженной сверхрешеточной InAlAs/InGaAs-гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 50:8 (2024), 12–14 |
| 5. |
Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. М. Солянкин, А. С. Синько, А. Ю. Павлов, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, “Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе”, Квантовая электроника, 54:1 (2024), 43–50 [E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. M. Solyankin, A. S. Sinko, A. Yu. Pavlov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, “Generation of THz radiation by (100), (110), and (111)A-oriented multiple pseudomorphic InGaAs/GaAs quantum wells and photoconductive antennas”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 4 (2024), S316–S325] |
1
|
| 6. |
Д. С. Пономарёв, А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин, Н. В. Черномырдин, И. Е. Спектор, В. Н. Курлов, В. В. Кведер, К. И. Зайцев, “Оптико-терагерцевые преобразователи: современное состояние и новые возможности для мультиспектральной визуализации”, УФН, 194:1 (2024), 2–22 ; D. S. Ponomarev, A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, R. A. Khabibullin, N. V. Chernomyrdin, I. E. Spektor, V. N. Kurlov, V. V. Kveder, K. I. Zaytsev, “Optical-to-terahertz switches: state of the art and new opportunities for multispectral imaging”, Phys. Usp., 67:1 (2024), 3–21   |
6
|
|
2022 |
| 7. |
Д. С. Пономарев, Д. В. Лаврухин, Н. В. Зенченко, И. А. Глинский, Р. А. Хабибуллин, В. Н. Курлов, К. И. Зайцев, “Локализация энергии лазерного излучения в оптико-терагерцевом преобразователе ультракоротких ИК-импульсов при помощи профилированных сапфировых волокон”, Письма в ЖТФ, 48:23 (2022), 11–13 |
1
|
|
2021 |
| 8. |
А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, И. Е. Спектор, К. И. Зайцев, В. А. Соловьев, С. В. Иванов, Д. С. Пономарев, “Фотопроводящий ТГц детектор на основе новых функциональных слоев в многослойных гетероструктурах”, Оптика и спектроскопия, 129:6 (2021), 741–746 ; A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, I. E. Spektor, K. I. Zaitsev, V. A. Solov'ev, S. V. Ivanov, D. S. Ponomarev, “Photoconductive THz detector based on new functional layers in multi-layer heterostructures”, Optics and Spectroscopy, 129:8 (2021), 851–856 |
|
2020 |
| 9. |
Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, И. А. Глинский, Н. В. Зенченко, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, И. Е. Спектор, К. И. Зайцев, Д. С. Пономарев, “Излучательная эффективность терагерцовых антенн с традиционной топологией и металлической метаповерхностью: сравнительный анализ”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 1012–1019 ; D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, I. A. Glinskiy, N. V. Zenchenko, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, I. E. Spektor, K. I. Zaitsev, D. S. Ponomarev, “Emission efficiency of terahertz antennas with conventional topology and metal metasurface: a comparative analysis”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1018–1025 |
5
|
|
2019 |
| 10. |
Д. В. Лаврухин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, А. Э. Ячменев, М. В. Майтама, И. А. Глинский, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, Д. С. Пономарев, “Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 663–669 ; D. V. Lavrukhin, R. R. Galiev, A. Yu. Pavlov, A. E. Yachmenev, M. V. Maytama, I. A. Glinskiy, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, K. I. Zaitsev, D. S. Ponomarev, “Plasmonic photoconductive antennas for terahertz pulsed spectroscopy and imaging systems”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 580–586 |
9
|
| 11. |
Н. В. Черномырдин, А. С. Кучерявенко, Е. Н. Римская, И. Н. Долганова, В. А. Желнов, П. А. Каралкин, А. А. Грядунова, И. В. Решетов, Д. В. Лаврухин, Д. С. Пономарев, В. Е. Карасик, К. И. Зайцев, “Терагерцовый микроскоп на основе эффекта твердотельной иммерсии для визуализации биологических тканей”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 642–649 ; N. V. Chernomyrdin, A. S. Kucheryavenko, E. N. Rimskaya, I. N. Dolganova, V. A. Zhelnov, P. A. Karalkin, A. A. Gryadunova, I. V. Reshetov, D. V. Lavrukhin, D. S. Ponomarev, V. E. Karasik, K. I. Zaitsev, “Terahertz microscope based on solid immersion effect for imaging of biological tissues”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 560–567 |
17
|
|
2017 |
| 12. |
Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, А. Ю. Павлов, Д. Н. Слаповский, И. А. Глинский, Д. В. Лаврухин, О. А. Рубан, П. П. Мальцев, “Электрические и тепловые свойства фотопроводящих антенн на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) с метаморфным буферным слоем для генерации терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017), 1267–1272 ; D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, A. Yu. Pavlov, D. N. Slapovskiy, I. A. Glinskiy, D. V. Lavrukhin, O. A. Ruban, P. P. Maltsev, “Electrical and thermal properties of photoconductive antennas based on In$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x>$ 0.3) with a metamorphic buffer layer for the generation of terahertz radiation”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1218–1223 |
14
|
|
2016 |
| 13. |
И. С. Васильевский, С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, А. Н. Виниченко, Д. В. Лаврухин, О. С. Коленцова, “Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 567–573 ; I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 |
8
|
| 14. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, М. М. Грехов, С. С. Пушкарев, Д. В. Лаврухин, П. П. Мальцев, “Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 195–203 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 |
8
|
| 15. |
Р. А. Хабибуллин, А. Э. Ячменев, Д. В. Лаврухин, Д. С. Пономарев, А. С. Бугаев, П. П. Мальцев, “Электронный транспорт и оптические свойства структур с нанонитями из атомов олова на вицинальных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 185–190 ; R. A. Khabibullin, A. E. Yachmenev, D. V. Lavrukhin, D. S. Ponomarev, A. S. Bugaev, P. P. Maltsev, “Electron transport and optical properties of structures with atomic tin nanowires on vicinal GaAs substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 185–190 |
5
|
|
2015 |
| 16. |
Д. В. Лаврухин, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесценция гетероструктур с квантовой ямой In$_x$Ga$_{1-x}$As с высоким содержанием индия при разной мощности возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1254–1257 ; D. V. Lavrukhin, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence of heterostructures containing an In$_x$Ga$_{1-x}$As quantum well with a high in content at different excitation powers”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1218–1221 |
5
|
| 17. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1243–1253 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 |
5
|
| 18. |
Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, “Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 932–935 ; D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, “Investigation of the optical properties of GaAs with $\delta$-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures”, Semiconductors, 49:7 (2015), 911–914 |
17
|
| 19. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 241–248 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 |
12
|
|
2014 |
| 20. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 909–916 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 |
4
|
| 21. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 658–666 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic heterostructures on GaAs substrates”, Semiconductors, 48:5 (2014), 640–648 |
9
|
| 22. |
Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Ю. В. Федоров, П. П. Мальцев, “MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 73–76 ; D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, R. R. Galiev, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, Yu. V. Fedorov, P. P. Maltsev, “MHEMT with a power-gain cut-off frequency of $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 THz on the basis of a In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs nanoheterostructure”, Semiconductors, 48:1 (2014), 69–72 |
18
|
|
