|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев, “Влияние лучистого теплообмена на температуру роста при молекулярно-лучевой эпитаксии слоев HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 153–159  |
|
2024 |
| 2. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Д. Д. Фирсов, И. В. Чуманов, О. С. Комков, В. С. Варавин, М. В. Якушев, “Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 544–547  |
|
2023 |
| 3. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Температурная зависимость спектров оптических постоянных CdTe в области края поглощения”, Оптика и спектроскопия, 131:9 (2023), 1213–1218 |
| 4. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 640–643 |
| 5. |
М. С. Ружевич, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 491–494 |
| 6. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Эллипсометрический in situ контроль процессов роста буферных слоев ZnTe и CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии кадмий-ртуть-теллура”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 469–475 |
| 7. |
О. С. Комков, М. В. Якушев, “Фотомодуляционная оптическая спектроскопия варизонных гетероструктур CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 426–431 |
|
2021 |
| 8. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Исследование температурной зависимости спектров оптических постоянных пленок Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Оптика и спектроскопия, 129:1 (2021), 33–40 ; V. A. Shvets, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Investigation of the temperature dependence of the spectra of optical constants of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te films grown using molecular beam epitaxy”, Optics and Spectroscopy, 129:1 (2021), 29–36 |
| 9. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1240–1247 |
| 10. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, “Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 34–37 ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, “Admittance of MIS structures based on $nBn$ systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 629–632 |
1
|
| 11. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 33–35 ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, “The effect of As$^+$ ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te films”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 189–192 |
|
2020 |
| 12. |
М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, Д. Г. Икусов, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Возможности характеризации кристаллических параметров структур Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te на подложке из GaAs методом генерации на отражение второй гармоники зондирующего излучения”, Физика твердого тела, 62:2 (2020), 214–221 ; M. F. Stupak, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, D. G. Ikusov, S. N. Makarov, A. G. Yelesin, A. G. Verkhoglyad, “Possibilities of characterizing the crystal parameters of Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures on GaAs substrates by the method of generation of the probe-radiation second harmonic in reflection geometry”, Phys. Solid State, 62:2 (2020), 252–259 |
7
|
| 13. |
В. А. Швец, Д. В. Марин, В. Г. Ремесник, И. А. Азаров, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Параметрическая модель спектров оптических постоянных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te и определение состава соединения”, Оптика и спектроскопия, 128:12 (2020), 1815–1820 ; V. A. Shvets, D. V. Marin, V. G. Remesnik, I. A. Azarov, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Parametric model of the optical constant spectra of Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te and determination of the compound composition”, Optics and Spectroscopy, 128:12 (2020), 1948–1953 |
5
|
| 14. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. М. Смирнов, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, “Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1302–1308 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. M. Smirnov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, “Optical and structural properties of HgCdTe solid solutions with a high CdTe content”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1561–1566 |
3
|
| 15. |
Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 14–17 ; D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, “The effect of the growth temperature on the passivating properties of the Al$_{2}$O$_{3}$ films formed by atomic layer deposition on the CdHgTe surface”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 741–744 |
7
|
|
2019 |
| 16. |
В. А. Швец, И. А. Азаров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, С. В. Рыхлицкий, “Эллипсометрический метод измерения температуры буферных слоев CdTe в технологии молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 137–142 ; V. A. Shvets, I. A. Azarov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, S. V. Rykhlitskii, “Ellipsometric method for measuring the CdTe buffer-layer temperature in the molecular-beam epitaxy of CdHgTe”, Semiconductors, 53:1 (2019), 132–137 |
5
|
| 17. |
В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, И. Н. Трапезникова, Д. А. Андрющенко, Н. Л. Баженов, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, “Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 24–27 ; V. I. Ivanov-Omskii, K. J. Mynbaev, I. N. Trapeznikova, D. A. Andryushchenko, N. L. Bazhenov, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, “An optical study of disordering in cadmium mercury telluride solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 553–556 |
2
|
|
2016 |
| 18. |
В. С. Варавин, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 625–629 ; V. S. Varavin, D. V. Marin, M. V. Yakushev, “Electrophysical properties of Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3) films grown by molecular beam epitaxy on Si(013) substrates”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 641–646 |
1
|
| 19. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
| 20. |
К. Д. Мынбаев, С. В. Заблоцкий, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 208–211 ; K. J. Mynbaev, S. V. Zablotsky, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 208–211 |
7
|
|
2015 |
| 21. |
Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Колесников, Е. М. Труханов, И. В. Сабинина, И. Д. Лошкарев, “Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)”, Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2095–2101 ; Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Kolesnikov, E. M. Trukhanov, I. V. Sabinina, I. D. Loshkarev, “Density of dislocations in CdHgTe heteroepitaxial structures on GaAs(013) and Si(013) substrates”, Phys. Solid State, 57:11 (2015), 2151–2158 |
18
|
|
2014 |
| 22. |
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Д. В. Марин, “Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 788–792 ; M. V. Yakushev, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, D. V. Marin, “CdHgTe heterostructures on large-area Si(310) substrates for infrared photodetector arrays of the short-wavelength spectral range”, Semiconductors, 48:6 (2014), 767–771 |
7
|
| 23. |
И. И. Ижнин, А. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, Е. И. Фицыч, М. В. Якушев, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 207–211 ; I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, E. I. Fitsych, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Photoluminescence of CdHgTe solid solutions subjected to low-energy ion treatment”, Semiconductors, 48:2 (2014), 195–198 |
6
|
| 24. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур”, Письма в ЖТФ, 40:16 (2014), 65–72 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, Yu. G. Sidorov, S. A. Dvoretskii, “Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted $p^+$–$n$ photodiode structure formation”, Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 708–711 |
5
|
|
2013 |
| 25. |
Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. С. Варавин, М. В. Якушев, С. А. Дворецкий, “Двухчастотное стимулированное излучение из двухслойной структуры
Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te на длинах волн 2 и 3 мкм”, Письма в ЖЭТФ, 97:6 (2013), 404–408 ; Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, S. A. Dvoretskii, “Dual-wavelength stimulated emission from a double-layer Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te structure at wavelengths of 2 and 3 $\mu$m”, JETP Letters, 97:6 (2013), 358–361   |
2
|
| 26. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. Г. Ремесник, В. С. Варавин, “Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, ЖТФ, 83:10 (2013), 147–150 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, “High-temperature photoluminescence of CdHgTe solid solutions grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 58:10 (2013), 1536–1539 |
5
|
|
2012 |
| 27. |
И. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, М. В. Якушев, А. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, Г. В. Савицкий, R. Jakiela, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1363–1367 ; I. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, M. V. Yakushev, A. I. Izhnin, E. I. Fitsych, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, G. V. Savitskii, R. Jakiela, A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Electrical and optical properties of CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1341–1345 |
5
|
| 28. |
А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, М. В. Якушев, “Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 551–557 ; A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, A. V. Predein, I. V. Sabinina, M. V. Yakushev, “Photoelectric characteristics of diodes in prototype photosensitive pixels for a monolithic array infrared photodetector”, Semiconductors, 46:4 (2012), 535–540 |
3
|
|
2011 |
| 29. |
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков, “Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)”, Письма в ЖТФ, 37:4 (2011), 1–7 ; M. V. Yakushev, V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, S. A. Dvoretskii, A. V. Predein, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, A. V. Sorochkin, A. O. Suslyakov, “Infrared focal plane assemblies based on HgCdTe/Si(310) heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 37:2 (2011), 148–150 |
|
2005 |
| 30. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Латышев, “Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005), 326–330 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Latyshev, “Observation of antiphase domains in Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te films on silicon by the phase contrast method in atomic force microscopy”, JETP Letters, 82:5 (2005), 292–296 |
4
|
|
