|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Д. А. Колосовский, Д. В. Дмитриев, С. А. Пономарев, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 646–650   |
|
2021 |
| 2. |
К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021), 1158–1163 ; K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  |
4
|
| 3. |
Д. В. Дмитриев, Д. А. Колосовский, Е. В. Федосенко, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 877–881 ; D. V. Dmitriev, D. A. Kolosovsky, E. V. Fedosenko, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “Substitution of phosphorus at the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux”, Semiconductors, 55:11 (2021), 823–837 |
5
|
|
2019 |
| 4. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Неклассические источники света на основе селективно позиционированных микролинзовых структур и (111) In(Ga)As квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1338–1342 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Non-classical light sources based on selectively positioned deterministic microlenses structures and (111) In(Ga)As quantum dots”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1304–1307 |
3
|
| 5. |
А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, “Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019), 52–54 ; A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 |
12
|
| 6. |
И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 59–62 ; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184 |
2
|
|
2018 |
| 7. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Спектроскопия одиночных AlInAs- и (111)InGaAs-квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1326–1330 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Spectroscopy of single AlInAs and (111)-oriented InGaAs quantum dots”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1437–1441 |
1
|
| 8. |
A. V. Vasev, M. A. Putyato, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Kinetics of structural changes on GaSb(001) singular and vicinal surfaces during the UHV annealing”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 525 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 664–666 |
2
|
| 9. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018), 48–56 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
4
|
| 10. |
Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. В. Ерофеев, К. С. Журавлев, “Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 77–84 ; D. Yu. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. V. Erofeev, K. S. Zhuravlev, “Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped phemt heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262 |
7
|
|
2017 |
| 11. |
А. В. Гайслер, И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, А. С. Кожухов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Квантовые точки AlInAs”, Письма в ЖЭТФ, 105:2 (2017), 93–99 ; A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109  |
5
|
| 12. |
А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017), 900–904 ; A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 |
11
|
| 13. |
Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017), 1696 ; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 |
4
|
| 14. |
И. А. Деребезов, В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Сверхминиатюрные излучатели на основе одиночной (111) In(Ga)As квантовой точки и гибридного микрорезонатора”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1451–1455 ; I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Subminiature emitters based on a single (111) In(Ga)As quantum dot and hybrid microcavity”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1399–1402 |
|
2016 |
| 15. |
А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016), 41–47 ; A. A. Borisov, K. S. Zhuravlev, S. S. Zyrin, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, A. I. Toropov, N. D. Ursulyak, S. V. Sherbakov, “Studying average electron drift velocity in pHEMT structures”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851 |
5
|
|
2015 |
| 16. |
Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 230–235 ; D. V. Gulyaev, K. S. Zhuravlev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Identification of photoluminescence bands in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT heterostructures with donor-acceptor-doped barriers”, Semiconductors, 49:2 (2015), 224–228 |
3
|
| 17. |
В. А. Гайслер, А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, М. М. Качанова, Ю. А. Живодков, Т. А. Гаврилова, А. С. Медведев, Л. А. Ненашева, К. В. Грачев, В. К. Сандырев, А. С. Кожухов, В. М. Шаяхметов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Эффективные излучатели одиночных фотонов на основе селективно-позиционированных InAs-квантовых точек и брэгговских микрорезонаторов”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 35–40 ; V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, M. M. Kachanova, Yu. A. Zhivodkov, T. A. Gavrilova, A. S. Medvedev, L. A. Nenasheva, K. V. Grachev, V. K. Sandyrev, A. S. Kozhukhov, V. M. Shayakhmetov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Efficient single-photon emitters based on Bragg microcavities containing selectively positioned InAs quantum dots”, Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38 |
4
|
| 18. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова, “Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015), 81–87 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, V. G. Lapin, S. V. Sherbakov, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, A. A. Kapralova, “Adjusting the position of the optimum operating point of a power heterostructure field-effect transistor by forming a gate potential barrier based on a donor-acceptor structure”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 142–145 |
2
|
|
2014 |
| 19. |
А. А. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Т. С. Шамирзаев, “Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые
точки–металлические кластеры, полученных методом МЛЭ”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014), 245–249 ; A. A. Lyamkina, S. P. Moshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, T. S. Shamirzaev, “Exciton-plasmon interaction in hybrid quantum dot/metal cluster structures fabricated by molecular-beam epitaxy”, JETP Letters, 99:4 (2014), 219–223 |
7
|
| 20. |
М. В. Буданцев, Д. А. Похабов, А. Г. Погосов, Е. Ю. Жданов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Гистерезисные явления в ДЭГ в режиме квантового эффекта Холла, исследованные в транспортном эксперименте”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1458–1466 ; M. V. Budantsev, D. A. Pokhabov, A. G. Pogosov, E. Yu. Zhdanov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Hysteretic phenomena in a 2DEG in the quantum Hall effect regime, studied in a transport experiment”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1423–1431 |
7
|
| 21. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 684–692 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, E. I. Golant, A. A. Kapralova, “Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping”, Semiconductors, 48:5 (2014), 666–674 |
26
|
|
2013 |
| 22. |
А. В. Гайслер, А. С. Ярошевич, И. А. Деребезов, А. К. Калагин, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. В. Щеглов, В. А. Гайслер, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, “Тонкая структура экситонных состояний InAs квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 97:5 (2013), 313–318 ; A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, V. A. Gaisler, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Fine structure of the exciton states in InAs quantum dots”, JETP Letters, 97:5 (2013), 274–278 |
12
|
| 23. |
З. Д. Квон, Д. А. Козлов, С. Н. Данилов, К. Цот, П. Вирлинг, С. Стэчел, В. В. Бельков, А. К. Бакаров, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Д. Ганичев, “Индуцированные терагерцовым излучением осцилляции магнитосопротивления
двумерного электронного газа с высокой концентрацией и подвижностью”, Письма в ЖЭТФ, 97:1 (2013), 45–48 ; Z. D. Kvon, D. A. Kozlov, S. N. Danilov, C. Zoth, P. Vierling, S. Stachel, V. V. Bel'kov, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. D. Ganichev, “Terahertz radiation-induced magnetoresistance oscillations of a high-density and high-mobility two-dimensional electron gas”, JETP Letters, 97:1 (2013), 41–44 |
16
|
|
2012 |
| 24. |
В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, А. Б. Соколов, “Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 38:17 (2012), 84–89 ; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, A. B. Sokolov, “Decreasing the role of transverse spatial electron transport and increasing the output power of heterostructure field-effect transistors”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 819–821 |
13
|
| 25. |
О. Е. Терещенко, А. Г. Паулиш, М. А. Неклюдова, Т. С. Шамирзаев, А. С. Ярошевич, И. П. Просвирин, И. Э. Жаксылыкова, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. Н. Варнаков, М. В. Рауцкий, Н. В. Волков, С. Г. Овчинников, А. В. Латышев, “Формирование границы раздела структуры Pd/Fe/GaAs/InGaAs для оптической регистрации спина свободных электронов”, Письма в ЖТФ, 38:1 (2012), 27–36 ; O. E. Tereshchenko, A. G. Paulish, M. A. Neklyudova, T. S. Shamirzaev, A. S. Yaroshevich, I. P. Prosvirin, I. E. Zhaksylykova, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. N. Varnakov, M. V. Rautskii, N. V. Volkov, S. G. Ovchinnikov, A. V. Latyshev, “Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin”, Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 12–16 |
2
|
|
2011 |
| 26. |
О. Е. Терещенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, С. В. Еремеев, С. Е. Кулькова, “Сурфактантные свойства цезия в молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs(100)”, Письма в ЖЭТФ, 93:10 (2011), 647–652 ; O. E. Tereshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “Surfactant properties of cesium in molecular beam epitaxy of GaAs(100)”, JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590 |
|
2009 |
| 27. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Резонансный пробой кулоновской блокады механическими колебаниями квантовой точки”, Письма в ЖЭТФ, 90:8 (2009), 626–629 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, A. A. Shevyrin, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Resonance breakdown of a Coulomb blockade due to the mechanical vibrations of a quantum dot”, JETP Letters, 90:8 (2009), 574–577 |
5
|
| 28. |
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Порталь, “Влияние продольного магнитного поля на гистерезис магнетосопротивления двумерного электронного газа в режиме квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 89:2 (2009), 103–106 ; M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Effect of an in-plane magnetic field on magnetoresistance hysteresis of the two-dimensional electron gas in the integer quantum Hall effect regime”, JETP Letters, 89:2 (2009), 92–95 |
4
|
| 29. |
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Неравновесное состояние двумерного электронного газа в режиме целочисленного квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 89:1 (2009), 49–53 ; M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Nonequilibrium state of the two-dimensional electron gas in the integer quantum Hall effect regime”, JETP Letters, 89:1 (2009), 46–49 |
5
|
|
2008 |
| 30. |
А. А. Быков, Д. Р. Исламов, А. В. Горан, А. И. Торопов, “Микроволновое фотосопротивление в двойной квантовой яме при больших факторах заполнения”, Письма в ЖЭТФ, 87:9 (2008), 563–567 ; A. A. Bykov, D. R. Islamov, A. V. Goran, A. I. Toropov, “Microwave photoresistance of a double quantum well at high filling factors”, JETP Letters, 87:9 (2008), 477–481 |
42
|
| 31. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, А. А. Шевырин, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Блокада туннелирования в подвешенном одноэлектронном транзисторе”, Письма в ЖЭТФ, 87:3 (2008), 176–180 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, A. A. Shevyrin, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Blockade of tunneling in a suspended single-electron transistor”, JETP Letters, 87:3 (2008), 150–153 |
23
|
|
2007 |
| 32. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Роль латерального взаимодействия в гомоэпитаксии GaAs на поверхности (001)-$\beta(2\times 4)$”, Письма в ЖЭТФ, 86:7 (2007), 553–557 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Role of lateral interaction in the homoepitaxy of GaAs on the (001)-$\beta(2\times 4)$ surface”, JETP Letters, 86:7 (2007), 482–486 |
9
|
| 33. |
М. В. Буданцев, А. Г. Погосов, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Гигантский гистерезис магнетосопротивления в режиме квантового эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 86:4 (2007), 294–298 ; M. V. Budantsev, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Giant hysteresis of magnetoresistance in the quantum hall effect regime”, JETP Letters, 86:4 (2007), 264–267 |
9
|
|
2006 |
| 34. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Асимметричный реконструкционный фазовый переход $c(4\times4)\to\gamma(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 84:9 (2006), 596–600 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Asymmetric c(4×4) → γ(2×4) reconstruction phase transition on the (001)GaAs surface”, JETP Letters, 84:9 (2006), 505–508 |
9
|
| 35. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, Д. Р. Исламов, А. И. Торопов, “Индуцированные микроволновым излучением гигантские осцилляции магнетосопротивления и состояние с нулевым сопротивлением в двумерной электронной системе со средней величиной подвижности”, Письма в ЖЭТФ, 84:7 (2006), 466–469 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, D. R. Islamov, A. I. Toropov, “Giant magnetoresistance oscillations induced by microwave radiation and a zero-resistance state in a 2D electron system with a moderate mobility”, JETP Letters, 84:7 (2006), 391–394 |
69
|
| 36. |
А. Г. Милехин, А. И. Торопов, А. К. Бакаров, Ш. Шульце, Д. Р. Т. Цан, “Резонансное комбинационное рассеяние света в наноструктурах с квантовыми точками InGaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 83:11 (2006), 596–599 ; A. G. Milekhin, A. I. Toropov, A. K. Bakarov, Sh. Shul'tse, D. R. T. Tsan, “Resonant Raman scattering in nanostructures with InGaAs/AlAs quantum dots”, JETP Letters, 83:11 (2006), 505–508 |
12
|
| 37. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Кулоновская блокада и термоэдс подвешенной квантовой точки”, Письма в ЖЭТФ, 83:3 (2006), 152–156 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Coulomb blockade and the thermopower of a suspended quantum dot”, JETP Letters, 83:3 (2006), 122–126 |
20
|
| 38. |
Е. Б. Ольшанецкий, В. Ренар, З. Д. Квон, И. В. Горный, А. И. Торопов, Дж. С. Портал, “Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe”, УФН, 176:2 (2006), 222–227 ; E. B. Olshanetskii, V. Renard, Z. D. Kvon, I. V. Gornyi, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Interaction effects in the transport and magnetotransport of two-dimensional electrons in AlGaAs/GaAs and Si/SiGe heterojunctions”, Phys. Usp., 49:2 (2006), 211–216 |
1
|
|
2005 |
| 39. |
Ю. Г. Галицын, Д. В. Дмитриев, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов, “Критические явления в реконструкционном переходе $\beta$-$(2\times 4)$ $\to$ $\alpha$-$(2\times4)$ на поверхности (001) GaAs”, Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005), 766–770 ; Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Critical phenomena in the β-(2×4) → α-(2×4) reconstruction transition on the (001) GaAs surface”, JETP Letters, 81:12 (2005), 629–633 |
12
|
| 40. |
Е. Б. Ольшанецкий, З. Д. Квон, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, Ж. К. Портал, “Температурная зависимость осцилляций Ааронова–Бома в малых квазибаллистических интерферометрах”, Письма в ЖЭТФ, 81:12 (2005), 762–765 ; E. B. Olshanetskii, Z. D. Kvon, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, J. C. Portal, “Temperature dependence of Aharonov-Bohm oscillations in small quasi-ballistic interferometers”, JETP Letters, 81:12 (2005), 625–628 |
10
|
| 41. |
А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Наблюдение соизмеримых осцилляций термоэдс в решетке антиточек”, Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005), 578–582 ; A. G. Pogosov, M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Observation of commensurability oscillations of thermopower in an antidot lattice”, JETP Letters, 81:9 (2005), 462–466 |
6
|
| 42. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. К. Калагин, А. И. Торопов, “Осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовой яме с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами в микроволновом поле”, Письма в ЖЭТФ, 81:6 (2005), 348–350 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. K. Kalagin, A. I. Toropov, “Oscillations of the magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in a GaAs quantum well with AlAs/GaAs superlattice barriers in a microwave field”, JETP Letters, 81:6 (2005), 284–286 |
16
|
|
2004 |
| 43. |
М. В. Буданцев, Р. А. Лавров, А. Г. Погосов, А. Е. Плотников, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. К. Мод, Ж. К. Порталь, “Мезоскопические флуктуации термоэдс в периодической решетке антиточек”, Письма в ЖЭТФ, 79:4 (2004), 201–205 ; M. V. Budantsev, R. A. Lavrov, A. G. Pogosov, A. E. Plotnikov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. K. Maude, J. C. Portal, “Mesoscopic fluctuations of thermopower in a periodic antidot lattice”, JETP Letters, 79:4 (2004), 166–170 |
5
|
| 44. |
В. А. Ткаченко, З. Д. Квон, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, О. А. Ткаченко, Д. Г. Бакшеев, А. Л. Асеев, “Амплитуда осцилляций Ааронова–Бома в малых баллистических интерферометрах”, Письма в ЖЭТФ, 79:3 (2004), 168–172 ; V. A. Tkachenko, Z. D. Kvon, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, O. A. Tkachenko, D. G. Baksheev, A. L. Aseev, “Aharonov–Bohm oscillation amplitude in small ballistic interferometers”, JETP Letters, 79:3 (2004), 136–140 |
20
|
|
2003 |
| 45. |
А. А. Быков, Д. В. Номоконов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, О. Естибаль, Ж. К. Портал, “Кольцевой интерферометр на основе двумерного электронного газа в двойной квантовой яме”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003), 1048–1052 ; A. A. Bykov, D. V. Nomokonov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, O. Estibals, J. C. Portal, “Ring interferometer on the basis of 2D electron gas in a double quantum well”, JETP Letters, 78:9 (2003), 560–563 |
1
|
| 46. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, Н. Д. Аксенова, А. В. Попова, А. И. Торопов, “Квазиклассическое отрицательное магнетосопротивление двумерного электронного газа при рассеянии на короткодействующем и дальнодействующем потенциалах”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 165–169 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. V. Goran, N. D. Aksenova, A. V. Popova, A. I. Toropov, “Semiclassical negative magnetoresistance of a 2D electron gas caused by scattering by short-range and long-range potentials”, JETP Letters, 78:3 (2003), 134–137 |
11
|
| 47. |
А. К. Бакаров, А. А. Быков, Н. Д. Аксенова, Д. В. Щеглов, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Соизмеримые осцилляции магнетосопротивления двумерного электронного газа в GaAs квантовых ямах с корругированными гетерограницами”, Письма в ЖЭТФ, 77:12 (2003), 794–797 ; A. K. Bakarov, A. A. Bykov, N. D. Aksenova, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, “Commensurate oscillations of the magnetoresistance of a two-dimensional electron gas in GaAs quantum wells with corrugated heteroboundaries”, JETP Letters, 77:12 (2003), 662–665 |
6
|
| 48. |
Т. С. Шамирзаев, А. М. Гилинский, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. А. Тэннэ, К. С. Журавлев, К. фон Борцисковски, Д. Цан, “Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003), 459–463 ; T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, C. von Borczyskowski, D. Zahn, “Millisecond photoluminescence kinetics in a system of direct-bandgap InAs quantum dots in an AlAs matrix”, JETP Letters, 77:7 (2003), 389–392 |
30
|
|
2001 |
| 49. |
А. А. Быков, А. К. Бакаров, А. В. Горан, А. В. Латышев, А. И. Торопов, “Анизотропия магнетотранспорта и самоорганизация корругированных гетерограниц в селективно легированных структурах на (100) GaAs подложках”, Письма в ЖЭТФ, 74:3 (2001), 182–185 ; A. A. Bykov, A. K. Bakarov, A. V. Goran, A. V. Latyshev, A. I. Toropov, “Anisotropy of magnetic transport and self-organization of corrugated heterointerfaces in selectively doped structures on GaAs(100) substrates”, JETP Letters, 74:3 (2001), 164–167 |
6
|
|
1992 |
| 50. |
О. А. Шегай, Н. Мошегов, А. М. Палкин, А. И. Торопов, “Спектр состояний мелкого донора в сверхрешетках (GaAs)$_{n}$ (InAs)$_{m}$”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1988–1991 |
| 51. |
О. А. Шегай, Н. Мошегов, А. М. Палкин, А. И. Торопов, “Циклотронный резонанс в сверхрешетках (GaAs)$_{n}$ (InAs)$_{m}$”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1986–1988 |
| 52. |
Г. М. Гусев, З. Д. Квен, В. Б. Бесман, П. П. Вильмс, Н. В. Коваленко, Н. Мошегов, А. И. Торопов, “Осцилляции Шубникова$-$де-Гааза двумерного электронного газа в двумерном периодическом потенциале”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 539–542 |
|
