Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Yakimov, Evgeniy Borisovich
Doctor of physico-mathematical sciences (1987)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)

https://www.mathnet.ru/eng/person162999
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=23311
https://www.researchgate.net/profile/Eugene-Yakimov

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. V. I. Nikolaev, A. Ya. Polyakov, S. I. Stepanov, A. I. Pechnikov, V. V. Nikolaev, E. B. Yakimov, M. P. Scheglov, A. V. Chikiryaka, L. I. Guzilova, R. B. Timashov, S. V. Shapenkov, P. N. Butenko, “Record thick $\kappa(\varepsilon)$-Ga$_2$O$_3$ epitaxial layers grown on GaN/$c$-sapphire”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 93:3 (2023),  403–408  mathnet  elib
2021
2. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, “Effect of compressive and stretching strains on the dislocation luminescence spectrum in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:7 (2021),  550–553  mathnet  elib; Semiconductors, 55:7 (2021), 633–636 2
2019
3. V. I. Orlov, N. A. Yarykin, E. B. Yakimov, “Effect of nickel and copper introduced at room temperature on the recombination properties of extended defects in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:4 (2019),  433–436  mathnet  elib; Semiconductors, 53:4 (2019), 411–414 3
4. S. K. Brantov, E. B. Yakimov, “Thermoresistive semiconductor SiC/Si composite material”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  231–234  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 220–223 5
5. A. A. Svincov, E. B. Yakimov, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, Yu. M. Kuznetsov, “Simulation of the parameters of a titanium-tritide-based beta-voltaic cell”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:1 (2019),  101–103  mathnet  elib; Semiconductors, 53:1 (2019), 96–98 4
6. S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, V. I. Orlov, O. V. Feklisova, L. A. Pavlova, R. V. Presnyakov, “Dependence of the bulk electrical properties of multisilicon on the grain misorientation parameters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:1 (2019),  59–64  mathnet  elib; Semiconductors, 53:1 (2019), 55–59 1
2018
7. S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, L. A. Pavlova, O. V. Feklisova, R. V. Presnyakov, “Electrical activity of extended defects in multicrystalline silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:2 (2018),  266–271  mathnet  elib; Semiconductors, 52:2 (2018), 254–259 4
2017
8. T. N. Fursova, V. V. Kedrov, O. G. Rybchenko, S. Z. Shmurak, E. B. Yakimov, A. A. Mazilkin, “Comparative study of the spectral and structural properties of EuAl$_{3}$(BO$_{3}$)$_{4}$ single crystals with different morphologies”, Fizika Tverdogo Tela, 59:12 (2017),  2396–2402  mathnet  elib; Phys. Solid State, 59:12 (2017), 2423–2429 1
2016
9. S. K. Brantov, A. N. Tereshchenko, E. A. Steinman, E. B. Yakimov, “Physical properties of carbon films obtained by methane pyrolysis in an electric field”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 86:3 (2016),  110–113  mathnet  elib; Tech. Phys., 61:3 (2016), 428–431 1
2015
10. T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. K. Shestakov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 85:4 (2015),  67–73  mathnet  elib; Tech. Phys., 60:3 (2015), 546–552 3
11. T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “Increase in the diffusion length of minority carriers in Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:10 (2015),  1329–1334  mathnet  elib; Semiconductors, 49:10 (2015), 1285–1289 6
12. M. A. Polikarpov, E. B. Yakimov, “Study of the properties of silicon-based semiconductor converters for betavoltaic cells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:6 (2015),  763–766  mathnet  elib; Semiconductors, 49:6 (2015), 746–748 14
13. Ya. L. Shabelnikova, E. B. Yakimov, D. P. Nikolaev, M. V. Chukalina, “Quantitative description of the properties of extended defects in silicon by means of electron- and laser-beam-induced currents”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:6 (2015),  758–762  mathnet  elib; Semiconductors, 49:6 (2015), 741–745 2
14. S. M. Peshcherova, E. B. Yakimov, A. I. Nepomnyashchikh, L. A. Pavlova, O. V. Feklisova, “Recombination activity of interfaces in multicrystalline silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:6 (2015),  741–745  mathnet  elib; Semiconductors, 49:6 (2015), 724–728 6
15. V. I. Orlov, O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, “EBIC and LBIC studies of the properties of extended defects in plastically deformed silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:6 (2015),  737–740  mathnet  elib; Semiconductors, 49:6 (2015), 720–723 3
16. O. V. Feklisova, E. B. Yakimov, “Effect of copper on the recombination activity of extended defects in silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:6 (2015),  732–736  mathnet  elib; Semiconductors, 49:6 (2015), 716–719 3
17. P. S. Vergeles, E. B. Yakimov, “Effect of low-energy electron irradiation on the optical properties of structures containing multiple InGaN/GaN quantum well”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  149–154  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 143–148 5
2013
18. O. V. Feklisova, X. Yu, D. Yang, E. B. Yakimov, “Influence of metal impurities on recombination activity of dislocations in multicrystalline silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:2 (2013),  195–198  mathnet  elib; Semiconductors, 47:2 (2013), 232–234 6
2012
19. O. A. Soltanovich, E. B. Yakimov, “Analysis of temperature dependence of capacitance–voltage characteristics for InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:12 (2012),  1597–1603  mathnet  elib
20. Ya. L. Shabelnikova, E. B. Yakimov, M. V. Grigor'ev, R. R. Fakhrtdinov, V. A. Bushuev, “Calculating the extended defect contrast for the X-ray-beam-induced current method”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:20 (2012),  1–7  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 913–916 9
1989
21. G. N. Panin, E. B. Yakimov, “Изменение свойств приповерхностных слоев кристаллов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te под воздействием электронного пучка”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:8 (1989),  1351–1355  mathnet
1988
22. O. Braitenshtain, O. V. Kononchuk, G. N. Panin, I. Khaidenraikh, E. B. Yakimov, “Исследование теллурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1687–1688  mathnet
23. S. V. Koveshnikov, S. V. Nosenko, E. B. Yakimov, “Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:5 (1988),  922–924  mathnet
1986
24. V. V. Aristov, P. Verner, I. I. Snigireva, I. I. Khodos, E. B. Yakimov, N. A. Yarykin, “Effect of Annealing on Electron-Microscopic Image and DLTS Spectrum of Dislocations in Deformed Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  907–910  mathnet
1985
25. A. I. Evstigneev, V. F. Kuleshov, G. A. Lubochkova, M. V. Pashkovskii, E. B. Yakimov, “Effect of Hydrogen on the Concentration of Centers with Deep Levels in Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te Crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  915–916  mathnet
1984
26. V. N. Zagorodnev, N. V. Lichkova, E. B. Yakimov, “Electric properties of superionic conductor $\mathrm{RbAg}_{4}\mathrm{I}_{5}$ doped with $\mathrm{AgS}$”, Fizika Tverdogo Tela, 26:12 (1984),  3672–3673  mathnet
1983
27. V. G. Eremenko, B. Y. Farber, E. B. Yakimov, “Исследование электрических свойств плотных дислокационных рядов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1313–1315  mathnet

Organisations