|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
П. Б. Болдыревский, Д. О. Филатов, В. А. Беляков, А. П. Горшков, И. В. Макарцев, А. В. Нежданов, М. В. Ревин, А. Д. Филатов, П. А. Юнин, “Влияние разориентации подложки на свойства $p$-НЕМТ наногетероструктур на основе GaAs, формируемых в процессе MOCVD эпитаксии”, ЖТФ, 92:10 (2022), 1582–1587   |
| 2. |
А. И. Бобров, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, А. П. Горшков, К. В. Сидоренко, А. Н. Шушунов, Н. В. Малехонова, А. В. Нежданов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Е. В. Убыйвовк, А. И. Охапкин, Д. С. Клементьев, З. Ш. Гасайниев, А. В. Харламов, “Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 833–838 |
| 3. |
М. Н. Коряжкина, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO$_2$(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022), 723–727 |
1
|
|
2021 |
| 4. |
Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, И. А. Роженцов, М. Н. Коряжкина, А. С. Новиков, И. Н. Антонов, А. В. Ершов, А. П. Горшков, О. Н. Горшков, “Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au”, Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 754–757 ; D. O. Filatov, M. E. Shenina, I. A. Rozhentsov, M. N. Koryazhkina, A. S. Novikov, I. N. Antonov, A. V. Ershov, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, “Effect of optical illumination on resistive switching in MOS stacks based on ZrO$_2$(Y) films with Au nanoparticles”, Semiconductors, 55:9 (2021), 731–734 |
|
2018 |
| 5. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Relation between the electronic properties and structure of InAs/GaAs quantum dots grown by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528 |
| 6. |
М. М. Иванова, А. Н. Качемцев, А. Н. Михайлов, Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, В. Ю. Чалков, В. Г. Шенгуров, “Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 651–655 ; M. M. Ivanova, A. N. Kachemtsev, A. N. Mikhaylov, D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, V. Yu. Chalkov, V. G. Shengurov, “Effect of pulsed gamma-neutron irradiation on the photosensitivity of Si-based photodiodes with GeSi nanoislands and Ge epitaxial layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 797–801 |
2
|
| 7. |
D. O. Filatov, I. N. Antonov, D. Yu. Sinutkin, D. A. Liskin, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, V. E. Kotomina, M. E. Shenina, S. V. Tikhov, I. S. Korotaeva, “Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 470 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 465–467 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398 |
| 9. |
Д. О. Филатов, И. А. Казанцева, В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, А. П. Горшков, В. П. Мишкин, “Исследование пространственного распределения фототока в плоскости Si–$p$–$n$-фотодиода с наноостровками GeSi методом сканирующей ближнепольной оптической микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 563–568 ; D. O. Filatov, I. A. Kazantseva, V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, A. P. Gorshkov, V. P. Mishkin, “Investigation of spatial distribution of photocurrent in the plane of a Si $p$–$n$ photodiode with GeSi nanoislands by scanning near-field optical microscopy”, Semiconductors, 51:4 (2017), 536–541 |
1
|
|
2015 |
| 10. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Влияние нанесения кобальта на оптоэлектронные свойства квантово-размерных гетеронаноструктур In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1640–1643 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Effect of the deposition of cobalt on the optoelectronic properties of quantum-confined In(Ga)As/GaAs heteronanostructures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1592–1595 |
3
|
| 11. |
В. Г. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, Н. А. Алябина, Д. В. Гусейнов, В. Н. Трушин, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, М. М. Иванова, А. В. Круглов, Д. О. Филатов, “Фотодетекторы на базе гетероструктур Ge/Si(001), выращенных методом горячей проволоки”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1411–1414 ; V. G. Shengurov, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, N. A. Alyabina, D. V. Guseinov, V. N. Trushin, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, M. M. Ivanova, A. V. Kruglov, D. O. Filatov, “Photodetectors on the basis of Ge/Si(001) heterostructures grown by the hot-wire CVD technique”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1365–1368 |
9
|
| 12. |
Д. О. Филатов, А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. В. Гусейнов, Н. А. Алябина, М. М. Иванова, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов, В. Г. Шенгуров, “Фотодиоды на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi/Si(001), выращенных методом комбинированной сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и газофазной эпитаксии Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 399–405 ; D. O. Filatov, A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. V. Guseinov, N. A. Alyabina, M. M. Ivanova, V. Yu. Chalkov, S. A. Denisov, V. G. Shengurov, “Photodiodes based on self-assembled GeSi/Si(001) nanoisland arrays grown by the combined sublimation molecular-beam epitaxy of silicon and vapor-phase epitaxy of germanium”, Semiconductors, 49:3 (2015), 387–393 |
5
|
| 13. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Д. О. Филатов, “Влияние пространственного расположения $\delta$-слоя Si на оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 145–148 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, S. V. Tikhov, N. V. Baidus, S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, D. O. Filatov, “Influence of the spatial arrangement of the Si $\delta$ layer on the optoelectronic properties of InGaAs/GaAs quantum-well nanoheterostructures”, Semiconductors, 49:2 (2015), 139–142 |
|
2014 |
| 14. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, Д. О. Филатов, Д. С. Абрамкин, “Эмиссия фотовозбужденных носителей из квантовых точек
InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией”, Письма в ЖЭТФ, 100:3 (2014), 175–180 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, D. O. Filatov, D. S. Abramkin, “Emission of photoexcited charge carriers from InAs/GaAs quantum dots grown by gas-phase epitaxy”, JETP Letters, 100:3 (2014), 156–161   |
11
|
|
2013 |
| 15. |
Е. Д. Павлова, А. П. Горшков, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Б. Н. Звонков, “Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1617–1620 ; E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov, “Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn $\delta$ layer”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1591–1594 |
3
|
| 16. |
Н. С. Волкова, А. П. Горшков, А. В. Здоровейщев, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, “Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1609–1612 ; N. S. Volkova, A. P. Gorshkov, A. V. Zdoroveyshchev, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, “Optoelectronic properties of heteronanostructures with combined layers of In(Ga)As/GaAs quantum wells and dots”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1583–1586 |
|
2012 |
| 17. |
А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, Н. С. Волкова, “Влияние облучения ионами He$^+$ на спектры фоточувствительности гетероструктур с квантовыми ямами и точками In(Ga)As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1542–1545 ; A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, N. S. Volkova, “Effect of He$^+$ ion irradiation on the photosensitivity spectra of In(Ga)As/GaAs quantum well and quantum dot heterostructures”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1506–1509 |
2
|
| 18. |
А. П. Горшков, И. А. Карпович, Е. Д. Павлова, И. Л. Калентьева, “Влияние дефектообразования при встраивании $\delta$-слоя Mn на спектр фоточувствительности от квантовых ям InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 194–197 ; A. P. Gorshkov, I. A. Karpovich, E. D. Pavlova, I. L. Kalentyeva, “Influence of defect formation as a result of incorporation of a Mn $\delta$ layer on the photosensitiviy spectrum of InGaAs/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 46:2 (2012), 184–187 |
7
|
|
