|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. А. Ланцев, Н. В. Малехонова, А. В. Нохрин, К. Е. Сметанина, А. А. Мурашов, А. В. Воронин, Ю. В. Благовещенский, А. В. Терентьев, “Электроимпульсное (“искровое”) плазменное спекание мелкозернистых вольфрамовых сплавов W + 10%Ni”, ЖТФ, 95:7 (2025), 1346–1355   |
|
2023 |
| 2. |
Е. А. Ланцев, Н. В. Малехонова, А. В. Нохрин, К. Е. Сметанина, А. А. Мурашов, Г. В. Щербак, А. В. Воронин, А. А. Атопшев, “Электроимпульсное (“искровое”) плазменное спекание нанопорошков вольфрама и W+5%Ni, полученных методом высокоэнергетической механоактивации”, ЖТФ, 93:11 (2023), 1550–1560 |
|
2022 |
| 3. |
А. И. Бобров, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, А. П. Горшков, К. В. Сидоренко, А. Н. Шушунов, Н. В. Малехонова, А. В. Нежданов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Е. В. Убыйвовк, А. И. Охапкин, Д. С. Клементьев, З. Ш. Гасайниев, А. В. Харламов, “Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 833–838 |
|
2015 |
| 4. |
Ю. Ю. Романова, Е. П. Додин, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, “Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 122–127 ; Yu. Yu. Romanova, E. P. Dodin, Yu. N. Nozdrin, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, D. A. Pavlov, N. V. Malekhonova, “Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell”, Semiconductors, 49:1 (2015), 118–123 |
2
|
| 5. |
С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Н. В. Малехонова, Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, “Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 58–62 ; S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, N. V. Baidus, “Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 49:1 (2015), 55–59 |
1
|
| 6. |
Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, С. М. Некоркин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, “Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 11–14 ; N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, S. M. Nekorkin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, “Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer”, Semiconductors, 49:1 (2015), 9–12 |
2
|
| 7. |
Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, А. И. Бобров, О. В. Вихрова, Е. И. Волкова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, Д. С. Сорокин, “Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 3–5 ; D. A. Pavlov, N. V. Baidus, A. I. Bobrov, O. V. Vikhrova, E. I. Volkova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, D. S. Sorokin, “Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium”, Semiconductors, 49:1 (2015), 1–3 |
2
|
|
2014 |
| 8. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, Е. И. Малышева, “Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 2062–2065 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, N. V. Malekhonova, E. I. Malysheva, “Epitaxial growth of MnGa/GaAs layers for diodes with spin injection”, Phys. Solid State, 56:10 (2014), 2131–2134 |
3
|
| 9. |
Е. С. Демидов, В. В. Подольский, В. П. Лесников, Е. Д. Павлова, А. И. Бобров, В. В. Карзанов, Н. В. Малехонова, А. А. Тронова, “Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси марганца”, Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014), 818–823 ; E. S. Demidov, V. V. Podol'skii, V. P. Lesnikov, E. D. Pavlova, A. I. Bobrov, V. V. Karzanov, N. V. Malekhonova, A. A. Tronova, “Electron diffraction study of a high-temperature diamond-like silicon ferromagnet with the self-organized superlattice distribution of manganese impurity”, JETP Letters, 100:11 (2014), 719–723   |
4
|
|
2013 |
| 10. |
Д. С. Королев, А. Б. Костюк, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Ю. А. Дудин, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния”, Физика твердого тела, 55:11 (2013), 2243–2249 ; D. S. Korolev, A. B. Kostyuk, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, Yu. A. Dudin, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Influence of the ion synthesis and ion doping regimes on the effect of sensitization of erbium emission by silicon nanoclusters in silicon dioxide films”, Phys. Solid State, 55:11 (2013), 2361–2367 |
| 11. |
Е. Д. Павлова, А. П. Горшков, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Б. Н. Звонков, “Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1617–1620 ; E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov, “Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn $\delta$ layer”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1591–1594 |
3
|
| 12. |
А. И. Бобров, Е. Д. Павлова, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, “Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1613–1616 ; A. I. Bobrov, E. D. Pavlova, A. V. Kudrin, N. V. Malekhonova, “Structural studies of a ferromagnetic GaMnSb layer”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1587–1590 |
7
|
|
2012 |
| 13. |
С. В. Хазанова, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, В. Е. Дегтярев, Д. С. Смотрин, И. А. Бобров, “Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1510–1514 ; S. V. Khazanova, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, D. A. Pavlov, N. V. Malekhonova, V. E. Degtyarov, D. S. Smotrin, I. A. Bobrov, “Tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1476–1480 |
4
|
|
