Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Леньшин Александр Сергеевич
доктор физико-математических наук (2020)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)

Научная биография:

Леньшин, Александр Сергеевич. Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10; [Место защиты: Воронеж. гос. ун-т]. - Воронеж, 2009. - 155 с.

Леньшин, Александр Сергеевич. Формирование и функциональные свойства наноструктур на основе пористого кремния : дис. ... докт. физ.-мат. наук : 01.04.10; [Место защиты: Воронежский гос. университет]. - Воронеж, 2020. - 382 с.

https://www.mathnet.ru/rus/person148470
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=562868
https://www.researchgate.net/profile/A-Lenshin

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. П. В. Середин, А. М. Мизеров, Н. А. Курило, С. А. Кукушкин, Д. Л. Голощапов, Н. С. Буйлов, А. С. Леньшин, Д. Н. Нестеров, М. С. Соболев, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, “Исследования наноразмерных колончатых гетероструктур Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, выращенных на подложках кремния с различными модификациями поверхности”, ЖТФ, 94:1 (2024),  138–150  mathnet  elib
2023
2. А. С. Леньшин, Я. А. Пешков, О. В. Черноусова, К. А. Барков, С. В. Канныкин, “Влияние режимов травления на морфологию и состав поверхности многослойного пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  613–616  mathnet  elib
2022
3. П. В. Середин, Али Обаид Радам, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Н. С. Буйлов, К. А. Барков, Д. Н. Нестеров, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Ш. Шарофидинов, Л. С. Вавилова, С. А. Кукушкин, И. А. Касаткин, “Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 56:6 (2022),  547–552  mathnet  elib
2021
4. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Abduljabbar Riyad Khuder, Д. Л. Голощапов, М. А. Хараджиди, И. Н. Арсентьев, И. А. Касаткин, “Свойства податливых подложек на основе пористого кремния, сформированных двухстадийным травлением”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1021–1026  mathnet  elib
5. П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710  mathnet  elib; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001
2020
6. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020),  491–503  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 3
7. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  346–354  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 2
2019
8. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и морфологичеcкие свойства гибридных гетероструктур на основе GaN, выращенного на “податливой” подложке por-Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019),  1141–1151  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130
9. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. С. Золотухин, Д. Л. Голощапов, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, “Исследование влияния переходного слоя нанопористого кремния на атомное и электронное строение, а также оптические свойства гетероструктур A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si, выращенных методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  1010–1016  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 2
10. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. М. Мизеров, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  70–76  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71
11. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, Г. Ляйсте, М. Ринке, “Электронные и оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/por-Si(111)”, Квантовая электроника, 49:6 (2019),  545–551  mathnet  elib [P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551  isi  scopus] 2
2018
12. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, М. А. Кондрашин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, M. Rinke, “Влияние буферного слоя $por$-Si на структуру и морфологию эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1553–1562  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 2
13. П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, “Влияние режимов электрохимического травления на морфологию, структурные и оптические свойства пористого арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1041–1048  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, “Effect of conditions of electrochemical etching on the morphological, structural, and optical properties of porous gallium arsenide”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170 1
14. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, “Влияние разориентации подложки и ее предварительного травления на структурные и оптические свойства интегрированных гетероструктур GaAs/Si(100), полученных методом газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  881–890  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 3
15. А. С. Леньшин, “Особенности оптических характеристик пористого кремния и их модификация с использованием химической обработки поверхности”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  342–348  mathnet  elib; A. S. Len'shin, “Specific features of the optical characteristics of porous silicon and their modification by chemical treatment of the surface”, Semiconductors, 52:3 (2018), 324–330 1
16. П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, Harald Leiste, Monika Rinke, “Влияние разориентации подложки на состав, структурные и фотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев, выращенных на GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  118–124  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 5
2017
17. А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, П. В. Середин, А. Н. Бельтюков, Ф. З. Гильмутдинов, “Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления”, Физика твердого тела, 59:4 (2017),  773–782  mathnet  elib; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, È. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Beltyukov, F. Z. Gilmutdinov, “Composition of nanocomposites of thin tin layers on porous silicon, formed by magnetron sputtering”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 791–800
18. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1160–1167  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P on their optical properties”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1111–1118 1
19. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Д. Н. Николаев, T. Prutskij, “Экспериментальные исследования влияния эффектов атомного упорядочения в эпитаксиальных твердых растворах Ga$_{x}$In$_{1-x}$P на их структурные и морфологические свойства”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1131–1137  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P alloys on their structural and morphological properties”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1087–1092 2
20. А. С. Леньшин, П. В. Середин, И. В. Кавецкая, Д. А. Минаков, В. М. Кашкаров, “Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  193–197  mathnet  elib; A. S. Len'shin, P. V. Seredin, I. V. Kavetskaya, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, “Study of the deposition features of the organic dye Rhodamine B on the porous surface of silicon with different pore sizes”, Semiconductors, 51:2 (2017), 184–188
21. П. В. Середин, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, А. В. Жаботинский, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  124–132  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130
2016
22. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, А. Н. Лукин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, Я. В. Лубянский, И. С. Тарасов, “Особенности роста и структурно-спектроскопические исследования нанопрофилированных пленок AlN, выращенных на разориентированных подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016),  1283–1294  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, Ya. V. Lubyanskiy, I. S. Tarasov, “Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1261–1272
2015
23. А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Особенности изменения с течением времени оптических характеристик нано-, мезо- и макропористого кремния”, ЖТФ, 85:7 (2015),  151–155  mathnet  elib; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Variations of the optical characteristics of nano-, meso-, and macroporous silicon with time”, Tech. Phys., 60:7 (2015), 1096–1100 2
24. В. С. Левицкий, А. С. Леньшин, П. В. Середин, Е. И. Теруков, “Исследование процессов деградации оптических свойств мезо- и макропористого кремния при воздействии имитатором солнечного излучения”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015),  1540–1545  mathnet  elib; V. S. Levitskii, A. S. Len'shin, P. V. Seredin, E. I. Terukov, “Study of the processes of degradation of the optical properties of mesoporous and macroporous silicon upon exposure to simulated solar radiation”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1493–1498 4
25. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, В. Е. Терновая, И. Н. Арсентьев, Д. Н. Николаев, И. С. Тарасов, В. В. Шамахов, А. В. Попов, “Гетероструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) с аномально высокой подвижностью носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1043–1049  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, A. V. Popov, “Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) hetermostructures with anomalously high carrier mobility”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1019–1024 1
26. П. В. Середин, А. С. Леньшин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, И. Н. Арсентьев, А. Д. Бондарев, И. С. Тарасов, “Исследования наноразмерных пленок Al$_2$O$_3$, полученных на пористом кремнии методом ионно-плазменного распыления”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  936–941  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Investigations of nanodimensional Al$_2$O$_3$ films deposited by ion-plasma sputtering onto porous silicon”, Semiconductors, 49:7 (2015), 915–920 24
2014
27. А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Б. Л. Агапов, Д. А. Минаков, В. Н. Ципенюк, Э. П. Домашевская, “Оптические характеристики различных структур пористого кремния”, ЖТФ, 84:2 (2014),  70–75  mathnet  elib; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, V. N. Tsipenyuk, È. P. Domashevskaya, “Optical characteristics of porous silicon structures”, Tech. Phys., 59:2 (2014), 224–229 27
28. П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, А. Н. Лукин, А. С. Леньшин, А. Д. Бондарев, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, “Структура и оптические свойства тонких пленок Al$_2$O$_3$, полученных методом реактивного ионно-плазменного распыления на подложках GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1564–1569  mathnet  elib; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, A. S. Len'shin, A. D. Bondarev, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “Structure and optical properties of thin Al$_2$O$_3$ films deposited by the reactive ion-plasma sputtering method on GaAs (100) substrates”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1527–1531 9
29. П. В. Середин, А. С. Леньшин, А. В. Глотов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Структурные и оптические свойства высоколегированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$ : Mg, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1123–1131  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Glotov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Structural and optical properties of heavily doped Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1094–1102 10
30. А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, В. М. Кашкаров, Б. Л. Агапов, Э. П. Домашевская, И. Е. Кононова, В. А. Мошников, Н. С. Теребова, И. Н. Шабанова, “Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  570–575  mathnet  elib; A. S. Len'shin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, I. E. Kononova, V. A. Moshnikov, N. S. Terebova, I. N. Shabanova, “Specific features of the sol–gel formation and optical properties of 3$d$ metal/porous silicon composites”, Semiconductors, 48:4 (2014), 551–555 5
31. П. В. Середин, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структура и оптические свойства гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$, полученных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  23–31  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$ alloys”, Semiconductors, 48:1 (2014), 21–29 26
2013
32. А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, Э. П. Домашевская, В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, “Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в $p^+$-эпитаксиальном слое на $n$-Si(111)”, ЖТФ, 83:3 (2013),  96–100  mathnet  elib; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, D. A. Minakov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, V. V. Ratnikov, L. M. Sorokin, “Structural and optical properties of porous silicon prepared from a $p^+$-epitaxial layer on $n$-Si(111)”, Tech. Phys., 58:3 (2013), 404–407 1
33. А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, В. Н. Ципенюк, П. В. Середин, Б. Л. Агапов, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате”, ЖТФ, 83:2 (2013),  136–140  mathnet  elib; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, V. N. Tsipenyuk, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Optical properties of porous silicon processed in tetraethyl orthosilicate”, Tech. Phys., 58:2 (2013), 284–288 14
2012
34. А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, С. Ю. Турищев, М. С. Смирнов, Э. П. Домашевская, “Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния”, ЖТФ, 82:2 (2012),  150–152  mathnet  elib; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, S. Yu. Turishchev, M. S. Smirnov, È. P. Domashevskaya, “Influence of natural aging on photoluminescence from porous silicon”, Tech. Phys., 57:2 (2012), 305–307 17
35. А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, М. А. Кузнецова, В. А. Мошников, Э. П. Домашевская, “Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012),  1101–1107  mathnet  elib; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, B. L. Agapov, M. A. Kuznetsova, V. A. Moshnikov, È. P. Domashevskaya, “Study of the morphological growth features and optical characteristics of multilayer porous silicon samples grown on $n$-type substrates with an epitaxially deposited $p^+$-layer”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1079–1084 22
36. П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, А. С. Леньшин, М. С. Смирнов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  739–750  mathnet  elib; P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, A. S. Len'shin, M. S. Smirnov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Structural and spectral features of MOCVD Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/GaAs (100) alloys”, Semiconductors, 46:6 (2012), 719–729 18
37. С. Н. Иванников, И. В. Кавецкая, В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, “Особенности фотоэмиссии органических красителей в матрице пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 38:23 (2012),  77–82  mathnet  elib; S. N. Ivannikov, I. V. Kavetskaya, V. M. Kashkarov, A. S. Len'shin, “Photoemission features of organic dyes in matrix of porous silicon”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 9–11 2
2013
38. П. В. Середин, В. Е. Терновая, А. В. Глотов, А. С. Леньшин, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, H. Leiste, T. Prutskij, “Рентгеноструктурные исследования гетероструктур на основе твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2046–2049  mathnet  elib; P. V. Seredin, V. E. Ternovaya, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, H. Leiste, T. Prutskij, “X-ray diffraction studies of heterostructures based on solid solutions Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2161–2164 16

Организации