|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. В. Аладов, А. Л. Закгейм, А. Е. Иванов, А. А. Онущенко, А. Е. Черняков, М. З. Шварц, “Фотолюминесценция квантовых точек PbS в матрице неорганического стекла при возбуждении светодиодами: спектры и квантовый выход”, Оптика и спектроскопия, 133:10 (2025), 1068–1070  |
| 2. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния”, Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 328–331 |
| 3. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, С. А. Левина, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 291–293 |
| 4. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 219–222 |
| 5. |
С. А. Левина, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 214–218 |
| 6. |
А. К. Романчук, А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 209–213 |
| 7. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, В. В. Олейник, Р. А. Салий, А. Ф. Скачков, Л. Н. Скачкова, М. З. Шварц, “Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 51:13 (2025), 40–43  |
| 8. |
С. А. Левина, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “От сферы до полусферы: выбор вторичных концентраторных элементов для “micro-CPV”-модуля”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 20–24 |
|
2024 |
| 9. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Эффективность концентраторных фотоэлектрических модулей на основе короткофокусных линз Френеля и A$^3$B$^5$ солнечных элементов”, ЖТФ, 94:10 (2024), 1701–1706 |
| 10. |
О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрический приемник лазерного излучения на основе германия”, ЖТФ, 94:5 (2024), 801–807 |
| 11. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Определение тока насыщения электролюминесценции светодиодов с набором квантовых ям”, Оптика и спектроскопия, 132:12 (2024), 1214–1218 |
| 12. |
С. А. Левина, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Вторичная оптика для системы “micro-CPV”-модуля”, Письма в ЖТФ, 50:23 (2024), 82–84 |
| 13. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Концентраторные фотоэлектрические модули на основе короткофокусных линз Френеля с комбинированным профилем”, Письма в ЖТФ, 50:23 (2024), 77–81 |
| 14. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Н. А. Калюжный, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Мощный субнаносекундный модуль на основе $p$–$i$–$n$ AlGaAs/GaAs-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 50:19 (2024), 5–8 |
| 15. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, “Оптимизационные решения для фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и трех-/пятипереходными солнечными элементами”, Письма в ЖТФ, 50:18 (2024), 7–10 |
| 16. |
В. М. Андреев, В. С. Калиновский, Г. В. Климко, Е. В. Контрош, А. В. Малевская, П. В. Покровский, М. З. Шварц, “Субнаносекундные AlGaAs/GaAs-фотодетекторы с брэгговским отражателем”, Письма в ЖТФ, 50:17 (2024), 38–41 |
| 17. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, “Поиск компромиссных конструктивных решений для модулей с линзовыми концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 8–11 |
| 18. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024), 32–34 |
|
2023 |
| 19. |
Э. Я. Ярчук, Е. А. Вячеславова, М. З. Шварц, А. С. Гудовских, “Исследование возможности повышения годовой выработки электроэнергии за счет использования кремниевых солнечных элементов с наноструктурированной поверхностью”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023), 522–525 |
| 20. |
Д. Ю. Березанов, В. М. Емельянов, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. Р. Ларионов, “Методика контроля соотношения прямой и диффузной компонент солнечного излучения при измерении фотоэлектрических характеристик гибридного модуля”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 69–72 |
| 21. |
Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, Д. Ю. Березанов, М. З. Шварц, “Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 56–58 |
| 22. |
С. А. Левина, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Поиск оптимального решения для оптической системы “micro-CPV”-модуля”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 46–48 |
| 23. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Исследование характеристик гибридных фотоэлектрических модулей в условиях локальной неравномерности облученности и частичного затенения”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 42–45 |
| 24. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Влияние дисбаланса фотогенерированных токов на вольт-амперные характеристики многопереходных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 38–41 |
| 25. |
С. А. Минтаиров, А. В. Малевская, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023), 32–34 |
| 26. |
М. З. Шварц, А. В. Андреева, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, С. А. Яковлев, Д. А. Малевский, “Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами”, Письма в ЖТФ, 49:4 (2023), 15–19 |
|
2022 |
| 27. |
А. Н. Паньчак, М. З. Шварц, “Температурный режим и механические напряжения в корпусированных фотоэлектрических преобразователях концентрированного солнечного излучения”, ЖТФ, 92:3 (2022), 457–461 |
| 28. |
С. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm”, Письма в ЖТФ, 48:5 (2022), 24–26 |
|
2021 |
| 29. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1218–1222 |
2
|
| 30. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 956–959 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, M. V. Nakhimovich, M. Z. Shvarts, “GaSb-based thermophotovoltaic converters of IR selective emitter radiation”, Semiconductors, 55:11 (2021), 840–843 |
5
|
| 31. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Ф. Ю. Солдатенков, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 699–703 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
6
|
| 32. |
Р. А. Салий, М. А. Минтаиров, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 28–31 |
| 33. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 51–54 |
| 34. |
С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 29–31 ; S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Increasing the efficiency of 520- to 540-nm laser radiation photovoltaic converters based on GaInP/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 290–292 |
|
2020 |
| 35. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модули фотоэлектрических преобразователей лазерного ($\lambda$ = 809–850 nm) излучения”, ЖТФ, 90:10 (2020), 1764–1768 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Laser power converter modules with a wavelength of 809–850 nm”, Tech. Phys., 65:10 (2020), 1690–1694 |
| 36. |
Р. А. Салий, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1079–1087 ; R. A. Salii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Comparative analysis of the optical and physical properties of inas and InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As quantum dots and solar cells based on them”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1267–1275 |
4
|
| 37. |
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 400–407 ; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, “Effects of doping of bragg reflector layers on the electrical characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic photovoltaic converters”, Semiconductors, 54:4 (2020), 476–483 |
2
|
| 38. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, М. З. Шварц, С. А. Левина, А. В. Николаев, “Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, M. Z. Shvarts, S. A. Levina, A. V. Nikolaev, “Effect of temperature on the characteristics of 4$H$-SiC UV photodetectors”, Semiconductors, 54:2 (2020), 246–252 |
4
|
| 39. |
С. А. Минтаиров, И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 11–14 ; S. A. Mintairov, I. M. Gadzhiev, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “High-speed photodetectors for the 950–1100 nm optical range based on In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs quantum well-dot nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222 |
1
|
| 40. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020), 30–33 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “The influence of the number of rows of GaInAs quantum objects on the saturation current of GaAs photoconverters”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 599–602 |
2
|
| 41. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Определение по спектру фототока ширины запрещенной зоны Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$-переходов на метаморфном буфере”, Письма в ЖТФ, 46:7 (2020), 29–31 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Finding the energy gap of Ga$_{1-x}$In$_{x}$As $p$–$n$ junctions on a metamorphic buffer from the photocurrent spectrum”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 332–334 |
1
|
| 42. |
С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, А. А. Харченко, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Экспериментальное и теоретическое исследование спектров фоточувствительности структур с квантовыми ямами-точками In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As оптического диапазона 900–1050 nm”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 3–6 ; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, A. A. Kharchenko, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Experimental and theoretical examination of the photosensitivity spectra of structures with In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As quantum well-dots of the optical range (900–1050 nm)”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 203–206 |
5
|
|
2019 |
| 43. |
Л. Б. Карлина, А. С. Власов, М. З. Шварц, И. П. Сошников, И. П. Смирнова, Ф. Э. Комиссаренко, А. В. Анкудинов, “Латеральные наноструктуры Ga(In)AsP как часть оптической системы фотопреобразователей на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1714–1717 ; L. B. Karlina, A. S. Vlasov, M. Z. Shvarts, I. P. Soshnikov, I. P. Smirnova, F. E. Komissarenko, A. V. Ankudinov, “Ga(In)AsP lateral nanostructures as the optical component of GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1705–1708 |
2
|
| 44. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Противодействующий фотовольтаический эффект в верхней межгенераторной части трехпереходных GaInP/GaAs/Ge солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1568–1572 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Counteracting the photovoltaic effect in the top intergenerator part of GaInP/GaAs/Ge solar cells”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1535–1539 |
2
|
| 45. |
В. П. Хвостиков, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. С. Потапович, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, “Модуль фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 1064 нм)”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1135–1139 ; V. P. Khvostikov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. S. Potapovich, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, “Module of laser-radiation ($\lambda$ = 1064 nm) photovoltaic converters”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1110–1113 |
8
|
| 46. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение фототока Ga(In)As-субэлемента в многопереходных солнечных элементах GaInP/Ga(In)As/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 41–43 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Increasing the photocurrent of a Ga(In)As subcell in multijunction solar cells based on GaInP/Ga(In)As/Ge heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1258–1261 |
1
|
| 47. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнев, “Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 10–13 ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon XUV avalanche photodiode in the 320–1100 nm wavelength range”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1226–1229 |
3
|
| 48. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Аномалии в фотовольтаических характеристиках многопереходных солнечных элементов при сверхвысоких концентрациях солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 37–39 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Anomalies in photovoltaic characteristics of multijunction solar cells at ultrahigh solar light concentrations”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1100–1102 |
3
|
| 49. |
П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, А. Н. Горохов, В. В. Забродский, Д. Ю. Казанцев, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнёв, “Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 40–42 ; P. N. Aruev, B. Ya. Ber, A. N. Gorokhov, V. V. Zabrodskii, D. Yu. Kazantsev, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Characteristics of a silicon avalanche photodiode for the near-IR spectral range”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 780–782 |
2
|
| 50. |
А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. З. Шварц, “Высокоэффективное преобразование лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 45:2 (2019), 26–28 ; A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, D. A. Malevskii, V. R. Larionov, M. Z. Shvarts, “High-efficiency conversion of high-power-density laser radiation”, Tech. Phys. Lett., 45:1 (2019), 24–26 |
20
|
|
2018 |
| 51. |
А. В. Малевская, В. С. Калиновский, Н. Д. Ильинская, Д. А. Малевский, Е. В. Контрош, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Влияние структуры омических контактов на характеристики GaAs/AlGaAs фотоэлектрических преобразователей”, ЖТФ, 88:8 (2018), 1211–1215 ; A. V. Malevskaya, V. S. Kalinovskii, N. D. Il'inskaya, D. A. Malevskii, E. V. Kontrosh, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Influence of the ohmic contact structure on the performance of GaAs/AlGaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys., 63:8 (2018), 1177–1181 |
7
|
| 52. |
В. П. Хвостиков, В. С. Калиновский, С. В. Сорокина, М. З. Шварц, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, А. С. Власов, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические AlGaAs/GaAs-преобразователи излучения тритиевых радиолюминесцентных ламп”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1647–1650 ; V. P. Khvostikov, V. S. Kalinovskii, S. V. Sorokina, M. Z. Shvarts, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, A. S. Vlasov, V. M. Andreev, “AlGaAs/GaAs photovoltaic converters of tritium radioluminescent-lamp radiation”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1754–1757 |
10
|
| 53. |
С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, А. М. Надточий, М. В. Максимов, В. Н. Неведомский, Л. А. Cокура, С. С. Рувимов, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Многослойные InGaAs-гетероструктуры “квантовая яма-точки” в фотопреобразователях на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1131–1136 ; S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, A. M. Nadtochiy, M. V. Maksimov, V. N. Nevedomskiy, L. A. Sokura, S. S. Ruvimov, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “Multilayer quantum well–dot InGaAs heterostructures in GaAs-based photovoltaic converters”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1249–1254 |
2
|
| 54. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1126–1130 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Recombination in GaAs $p$-$i$-$n$ structures with InGaAs quantum-confined objects: modeling and regularities”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1244–1248 |
7
|
| 55. |
Р. А. Салий, И. С. Косарев, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 729–735 ; R. A. Salii, I. S. Kosarev, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As quantum dots for GaAs solar cells: metal-organic vapor-phase epitaxy growth peculiarities and properties”, Semiconductors, 52:7 (2018), 870–876 |
2
|
| 56. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, О. А. Хвостикова, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Модификация фотоэлектрических преобразователей лазерного излучения ($\lambda$ = 808 нм), получaемых методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 385–389 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, O. A. Khvostikova, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Modification of photovoltaic laser-power ($\lambda$ = 808 nm) converters grown by LPE”, Semiconductors, 52:3 (2018), 366–370 |
22
|
| 57. |
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, “Оптические свойства InGaAs/InAlAs метаморфных наногетероструктур для фотопреобразователей лазерного и солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 50–58 ; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, “Optical properties of InGaAs/InAlAs metamorphic nanoheterostructures for photovoltaic converters of laser and solar radiation”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 877–880 |
2
|
| 58. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. Н. Власюк, И. О. Соколовский, Г. А. Коноплев, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, М. А. Евстигнеев, “Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 40–49 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. N. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, G. A. Konoplev, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, M. A. Evstigneev, “The effect of base thickness on photoconversion efficiency in textured silicon-based solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 873–876 |
24
|
|
2017 |
| 59. |
Д. В. Рыбальченко, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 94–100 ; D. V. Rybalchenko, S. A. Mintairov, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:1 (2017), 93–99 |
18
|
| 60. |
С. Б. Мусалинов, А. П. Анзулевич, И. В. Бычков, А. С. Гудовских, М. З. Шварц, “Влияние двух- и трехслойных просветляющих покрытий на формирование фототоков в многопереходных солнечных элементах на основе A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 89–93 ; S. B. Musalinov, A. P. Anzulevich, I. V. Bychkov, A. S. Gudovskikh, M. Z. Shvarts, “Influence of double- and triple-layer antireflection coatings on the formation of photocurrents in multijunction III–V solar cells”, Semiconductors, 51:1 (2017), 88–92 |
6
|
| 61. |
А. В. Саченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, “Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si”, Письма в ЖТФ, 43:3 (2017), 29–38 ; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, “Specific features of current flow in $\alpha$-Si : H/Sii heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 152–155 |
25
|
|
2016 |
| 62. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Растекание тока в солнечных элементах: двухпараметрическая трубковая модель”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 987–992 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “On current spreading in solar cells: a two-parameter tube model”, Semiconductors, 50:7 (2016), 970–975 |
4
|
| 63. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 525–530 ; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, D. V. Rybalchenko, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates”, Semiconductors, 50:4 (2016), 517–522 |
10
|
| 64. |
В. М. Емельянов, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование характеристик фотопреобразователей лазерного излучения InGaAs/InP”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 132–137 ; V. M. Emelyanov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the characteristics of InGaAs/InP-based photovoltaic laser-power converters”, Semiconductors, 50:1 (2016), 132–137 |
9
|
| 65. |
В. М. Емельянов, С. А. Минтаиров, С. В. Сорокина, В. П. Хвостиков, М. З. Шварц, “Моделирование омических потерь в фотопреобразователях лазерного излучения для длин волн 809 и 1064 нм”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 125–131 ; V. M. Emelyanov, S. A. Mintairov, S. V. Sorokina, V. P. Khvostikov, M. Z. Shvarts, “Simulation of the ohmic loss in photovoltaic laser-power converters for wavelengths of 809 and 1064 nm”, Semiconductors, 50:1 (2016), 125–131 |
18
|
| 66. |
А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, P. М. Коркишко, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, С. Н. Аболмасов, Д. А. Андроников, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, A. С. Титов, М. З. Шварц, “Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016), 70–76 ; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, S. N. Abolmasov, D. A. Andronikov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, A. S. Titov, M. Z. Shvarts, “The temperature dependence of the characteristics of crystalline-silicon-based heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 313–316 |
7
|
|
2015 |
| 67. |
Р. В. Левин, А. Е. Маричев, М. З. Шварц, Е. П. Марухина, В. П. Хвостиков, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, В. М. Андреев, “Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе InGaAsP(1.0 эВ)/InP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 715–718 ; R. V. Levin, A. E. Marichev, M. Z. Shvarts, E. P. Marukhina, V. P. Khvostikov, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, V. M. Andreev, “Photovoltaic converters of concentrated sunlight, based on InGaAsP(1.0 eV)/InP heterostructures”, Semiconductors, 49:5 (2015), 700–703 |
14
|
| 68. |
Г. М. Аблаев, А. С. Абрамов, И. А. Няпшаев, Y. K. Vygranenko, R. Yang, A. Y. Sazonov, М. З. Шварц, Е. И. Теруков, “Гибкие солнечные модули на основе аморфного гидрогенизированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 693–696 ; G. M. Ablayev, A. S. Abramov, I. A. Nyapshaev, Y. K. Vygranenko, R. Yang, A. Y. Sazonov, M. Z. Shvarts, E. I. Terukov, “Flexible photovoltaic modules based on amorphous hydrogenated silicon”, Semiconductors, 49:5 (2015), 679–682 |
3
|
| 69. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Оценка потенциальной эффективности многопереходного солнечного элемента при предельном балансе фотогенерированных токов”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015), 682–687 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Estimation of the potential efficiency of a multijunction solar cell at a limit balance of photogenerated currents”, Semiconductors, 49:5 (2015), 668–673 |
13
|
|
2014 |
| 70. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, Р. А. Салий, В. М. Лантратов, “Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 671–676 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, R. A. Salii, V. M. Lantratov, “Subtractive method for obtaining the dark current-voltage characteristic and its types for the residual (nongenerating) part of a multi-junction solar cell”, Semiconductors, 48:5 (2014), 653–658 |
2
|
| 71. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, В. П. Белик, Б. Я. Бер, С. В. Бобашев, М. В. Петренко, Н. А. Соболев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, “Исследование фотоответа кремниевого мультипиксельного счетчика фотонов в вакуумном ультрафиолете”, Письма в ЖТФ, 40:8 (2014), 23–29 ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, V. P. Belik, B. Ya. Ber, S. V. Bobashev, M. V. Petrenko, N. A. Sobolev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, “Photoresponse of a silicon multipixel photon counter in the vacuum ultraviolet range”, Tech. Phys. Lett., 40:4 (2014), 330–332 |
4
|
|
2013 |
| 72. |
А. С. Власов, В. П. Хвостиков, Л. Б. Карлина, С. В. Сорокина, Н. С. Потапович, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Е. П. Марухина, В. М. Андреев, “Концентраторные фотоэлектрические модули со спектральным расщеплением света с солнечными элементами на основе структур AlGaAs/GaAs/GaSb и GaInP/InGaAs(P)”, ЖТФ, 83:7 (2013), 106–110 ; A. S. Vlasov, V. P. Khvostikov, L. B. Karlina, S. V. Sorokina, N. S. Potapovich, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, V. M. Lantratov, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, E. P. Marukhina, V. M. Andreev, “Spectral-splitting concentrator photovoltaic modules based on AlGaAs/GaAs/GaSb and GaInP/InGaAs(P) solar cells”, Tech. Phys., 58:7 (2013), 1034–1038 |
9
|
| 73. |
О. И. Честа, Г. М. Аблаев, А. А. Блатов, А. В. Бобыль, В. М. Емельянов, Д. Л. Орехов, Е. И. Теруков, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, “Методика исследования световой деградации тандемных фотопреобразователей $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H при повышенной освещенности”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1385–1390 ; O. I. Chosta, G. M. Ablayev, A. A. Blatov, A. V. Bobyl', V. M. Emelyanov, D. L. Orekhov, E. I. Terukov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, “Method for studying the light-induced degradation of $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si:H tandem photovoltaic converters under increased illuminance”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1376–1381 |
| 74. |
В. М. Емельянов, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, А. С. Гудовских, Е. М. Ершенко, С. А. Кудряшов, Е. И. Теруков, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Анализ механизмов световой деградации в солнечных фотопреобразователях $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1264–1269 ; V. M. Emelyanov, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, A. S. Gudovskikh, E. M. Ershenko, S. A. Kudryashov, E. I. Terukov, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Analysis of light-induced degradation mechanisms in $\alpha$-Si:H/$\mu$-Si:H solar photovoltaics”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1252–1257 |
| 75. |
В. М. Емельянов, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, А. С. Гудовских, Д. Л. Орехов, Е. И. Теруков, Н. Х. Тимошина, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Исследование световой деградации тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H солнечных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 667–674 ; V. M. Emelyanov, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', A. S. Gudovskikh, D. L. Orekhov, E. I. Terukov, N. Kh. Timoshina, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Study of the light-induced degradation of tandem $\alpha$-Si : H/$\mu c$-Si : H photovoltaic converters”, Semiconductors, 47:5 (2013), 679–685 |
7
|
| 76. |
В. М. Емельянов, А. В. Бобыль, Е. И. Теруков, О. И. Честа, М. З. Шварц, “Фотоиндуцированная деградация тандемных $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H фотопреобразователей при повышенных температурах”, Письма в ЖТФ, 39:20 (2013), 40–48 ; V. M. Emelyanov, A. V. Bobyl', E. I. Terukov, O. I. Chosta, M. Z. Shvarts, “Photoinduced degradation of $\alpha$-Si : H/$\mu$c-Si : H”, Tech. Phys. Lett., 39:10 (2013), 906–909 |
2
|
|
2012 |
| 77. |
Г. Г. Унтила, Т. Н. Кост, А. Б. Чеботарева, М. Б. Закс, А. М. Ситников, О. И. Солодуха, М. З. Шварц, “Солнечный элемент из кремния $n$-типа, двусторонний, концентраторный”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1217–1223 ; G. G. Untila, T. N. Kost, A. B. Chebotareva, M. B. Zaks, A. M. Sitnikov, O. I. Solodukha, M. Z. Shvarts, “$n$-Si bifacial concentrator solar cell”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1194–1200 |
17
|
| 78. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Лантратов, “Фотоэлектрическое определение последовательного сопротивления многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1074–1081 ; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, V. M. Lantratov, “Photoelectric determination of the series resistance of multijunction solar cells”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1051–1058 |
12
|
| 79. |
С. А. Блохин, А. М. Надточий, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, В. М. Емельянов, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц, М. В. Максимов, В. М. Лантратов, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, “Влияние положения массива InGaAs квантовых точек на спектральные характеристики AlGaAs/GaAs фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 38:22 (2012), 43–49 ; S. A. Blokhin, A. M. Nadtochiy, S. A. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, V. M. Emelyanov, V. N. Nevedomskiy, M. Z. Shvarts, M. V. Maksimov, V. M. Lantratov, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “Influence of the position of InGaAs quantum dot array on the spectral characteristics of AlGaAs/GaAs photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 38:11 (2012), 1024–1026 |
2
|
|
