|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2019 |
| 1. |
А. В. Алмаев, Н. Н. Яковлев, Е. В. Черников, О. П. Толбанов, “Селективные сенсоры двуокиси азота на основе тонких пленок оксида вольфрама при воздействии оптического излучения”, Письма в ЖТФ, 45:20 (2019), 7–10   ; A. V. Almaev, N. N. Yakovlev, E. V. Chernikov, O. P. Tolbanov, “Selective sensors of nitrogen dioxide based on thin tungsten oxide films under optical irradiation”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 1016–1019 |
8
|
|
2018 |
| 2. |
В. М. Калыгина, И. Л. Ремезова, О. П. Толбанов, “Проводимость гетеропереходов Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 154–160 ; V. M. Kalygina, I. L. Remizova, O. P. Tolbanov, “Conductivity of Ga$_{2}$O$_{3}$–GaAs heterojunctions”, Semiconductors, 52:2 (2018), 143–149 |
2
|
| 3. |
И. А. Прудаев, М. Г. Верхолетов, А. Д. Королёва, О. П. Толбанов, “Транспорт носителей заряда и перезарядка глубоких уровней в структурах для лавинных $S$-диодов на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 44:11 (2018), 21–29 ; I. A. Prudaev, M. G. Verkholetov, A. D. Koroleva, O. P. Tolbanov, “Charge carrier transport and deep levels recharge in avalanche $S$-diodes based on GaAs”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 465–468 |
12
|
|
2016 |
| 4. |
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, В. А. Новиков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Связь структурно-фазовых изменений в пленках оксида титана с электрическими и фотоэлектрическими характеристиками структур TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1178–1184 ; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, V. А. Novikov, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Relation between the structural and phase transformations in titanium-oxide films and the electrical and photoelectric properties of TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1156–1162 |
2
|
| 5. |
В. М. Калыгина, И. М. Егорова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, “Механизм проводимости пленок оксида титана и структур металл–TiO$_{2}$–Si”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1036–1040 ; V. M. Kalygina, I. M. Egorova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, “Conduction in titanium dioxide films and metal–TiO$_{2}$–Si structures”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1015–1019 |
3
|
|
2015 |
| 6. |
В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, С. Ю. Цупий, “Глубокие центры в структурах TiO$_2$-Si”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1036–1042 ; V. M. Kalygina, Yu. S. Petrova, I. A. Prudaev, O. P. Tolbanov, S. Yu. Tsupiy, “Deep centers in TiO$_2$-Si structures”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1012–1018 |
1
|
|
2014 |
| 7. |
В. М. Калыгина, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, Е. В. Черников, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Влияние термического отжига и воздействия кислородной плазмы на свойства структур TiO$_2$–Si”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 989–994 ; V. M. Kalygina, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, E. V. Chernikov, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Effect of thermal annealing and exposure to oxygen plasma on the properties of TiO$_2$–Si structures”, Semiconductors, 48:7 (2014), 961–966 |
5
|
| 8. |
В. М. Калыгина, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, Е. В. Черников, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Свойства пленок TiO$_2$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 759–762 ; V. M. Kalygina, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, E. V. Chernikov, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Properties of TiO$_2$ films on silicon substrate”, Semiconductors, 48:6 (2014), 739–742 |
2
|
|
2013 |
| 9. |
И. А. Прудаев, И. Ю. Голыгин, С. Б. Ширапов, И. С. Романов, С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, “Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1391–1395 ; I. A. Prudaev, I. Yu. Golygin, S. B. Shirapov, I. S. Romanov, S. S. Khludkov, O. P. Tolbanov, “Influence of temperature on the mechanism of carrier injection in light-emitting diodes based on InGaN/GaN multiple quantum wells”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1382–1386 |
13
|
| 10. |
В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Влияние отжига в аргоне на свойства пленок оксида галлия, полученных термическим напылением”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1137–1143 ; V. M. Kalygina, V. V. Vishnikina, A. N. Zarubin, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Effect of annealing in argon on the properties of thermally deposited gallium-oxide films”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1130–1136 |
2
|
| 11. |
В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, С. Ю. Цупий, Т. М. Яскевич, “Пленки оксида галлия, полученные методом термического напыления”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 598–603 ; V. M. Kalygina, A. N. Zarubin, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, S. Yu. Tsupiy, T. M. Yaskevich, “Gallium-oxide films obtained by thermal evaporation”, Semiconductors, 47:5 (2013), 612–618 |
7
|
|
2012 |
| 12. |
В. М. Калыгина, К. И. Валиев, А. Н. Зарубин, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич, “Электрические характеристики структур $n$-GaAs–анодная пленка Ga$_2$O$_3$–металл”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1027–1031 ; V. M. Kalygina, K. I. Valiev, A. N. Zarubin, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, T. M. Yaskevich, “Electrical characteristics of $n$-GaAs-anode film-Ga$_2$O$_3$-metal structures”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1003–1007 |
4
|
| 13. |
В. М. Калыгина, А. Н. Зарубин, Е. П. Найден, В. А. Новиков, Ю. С. Петрова, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев, Т. М. Яскевич, “Анодные пленки Ga$_2$O$_3$. Влияние термического отжига на свойства пленок”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 278–284 ; V. M. Kalygina, A. N. Zarubin, E. P. Naiden, V. A. Novikov, Yu. S. Petrova, O. P. Tolbanov, A. V. Tyazhev, T. M. Yaskevich, “The effect of annealing on the properties of Ga$_2$O$_3$ anodic films”, Semiconductors, 46:2 (2012), 267–273 |
11
|
|
1992 |
| 14. |
С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, “Механизм высокоскоростного переключения в арсенид-галлиевых структурах с глубокими центрами”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992), 386–390 |
|
