Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Журавлев Константин Сергеевич
ведущий научный сотрудник
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person57598
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. К. С. Журавлев, А. В. Царев, Д. В. Гуляев, Е. А. Колосовский, В. С. Арыков, И. В. Юнусов, С. В. Ишуткин, А. А. Шейнбергер, “Аномальное влияние верхнего слоя из InGaAs на оптические свойства квантово-размерной волноводной структуры для электрооптических модуляторов на основе фосфида индия”, Квантовая электроника, 55:1 (2025),  30–35  mathnet
2024
2. П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, Н. В. Фатеев, “Параметры стимулированного излучения в Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$-структуре с планарной геометрией”, Оптика и спектроскопия, 132:9 (2024),  911–917  mathnet  elib
3. В. Г. Мансуров, Т. В. Малин, Д. Д. Башкатов, Д. С. Милахин, К. С. Журавлев, “Химическая кинетика процесса нитридизации поверхности Si(111) при температурах ниже структурного фазового перехода (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)”, Физика и техника полупроводников, 58:7 (2024),  349–357  mathnet  elib
4. Д. Ю. Протасов, П. П. Камеш, К. А. Свит, Д. В. Дмитриев, А. А. Макеева, Э. М. Рзаев, К. С. Журавлев, “Электрохимическое профилирование структур $n^+/n$ GaAs для полевых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  53–61  mathnet  elib; D. Yu. Protasov, P. P. Kamesh, K. A. Svit, D. V. Dmitriev, A. A. Makeeva, E. M. Rzaev, K. S. Zhuravlev, “The electrochemical profiling of $n^+/n$ GaAs structures for field-effect transistors”, Semiconductors, 58:3 (2024), 254–262
5. П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si-структурах при непрерывной накачке”, Письма в ЖТФ, 50:21 (2024),  39–42  mathnet  elib
6. А. К. Бакаров, М. А. Суханов, А. С. Ярошевич, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “Сверхрешетки InAs/GaSb для инфракрасных фотоприемников”, Письма в ЖТФ, 50:20 (2024),  33–36  mathnet  elib
2023
7. П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, Н. В. Фатеев, “Механизмы оптического усиления в сильно легированных Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах ($x$ = 0.56–1)”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  731–737  mathnet  elib
8. М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, “Процесс десорбции оксида с поверхности InSb в потоке сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 57:3 (2023),  138–144  mathnet  elib
9. А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, И. А. Рогачев, Е. В. Терешкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в гетероструктурах с двусторонним донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  21–28  mathnet  elib
10. М. А. Суханов, Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. А. Макеева, И. Д. Лошкарев, К. С. Журавлев, “InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля”, Письма в ЖТФ, 49:20 (2023),  27–30  mathnet  elib
11. Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, “Электрооптические и электроабсорбционные модуляторы на 1.5-микрометровый спектральный диапазон на основе InP”, Квантовая электроника, 53:11 (2023),  821–832  mathnet [D. V. Gulyaev, K. S. Zhuravlev, “InP-based electro-optic and electro-absorption modulators for the 1.5-μm spectral range”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 2 (2024), S101–S116] 1
2022
12. П. А. Бохан, К. С. Журавлев, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Стимулированная эмиссия в сильно легированных Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si-структурах с поперечной оптической накачкой при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1125–1131  mathnet  elib
13. И. В. Осинных, И. А. Александров, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  802–807  mathnet  elib
14. Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, А. С. Кожухов, Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, К. С. Журавлев, “Определение толщины зародышевого слоя AlN, сформированного на поверхности Al$_2$O$_3$(0001) в процессе нитридизации, методами РФЭС и ИК-спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  734–741  mathnet  elib
15. И. В. Осинных, Т. В. Малин, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Трансформация N-полярных инверсных доменов из буферных слоев AlN в процессе роста слоев AlGaN”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  677–684  mathnet  elib
16. Я. Е. Майдэбура, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Формирование квантовых точек GaN при повышении температуры в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  667–671  mathnet  elib
17. Д. А. Колосовский, Д. В. Дмитриев, С. А. Пономарев, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022),  646–650  mathnet  elib
18. Д. Ю. Протасов, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, Г. И. Айзенштат, А. Ю. Ющенко, А. Б. Пашковский, “Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  20–23  mathnet  elib
19. Д. В. Гуляев, Д. А. Колосовский, Д. В. Дмитриев, А. К. Гутаковский, Е. А. Колосовский, К. С. Журавлев, “Гетероструктуры InGaAlAs/InAlAs для электроабсорбционного модулятора”, Письма в ЖТФ, 48:13 (2022),  37–41  mathnet  elib
20. А. Б. Пашковский, С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, С. Н. Карпов, Д. Ю. Протасов, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, “Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  11–14  mathnet  elib
2021
21. Д. В. Гуляев, Д. В. Дмитриев, Н. В. Фатеев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, “GaAs/AlGaAs- и InGaAs/AlGaAs-гетероструктуры для мощных полупроводниковых инфракрасных излучателей”, ЖТФ, 91:11 (2021),  1727–1731  mathnet  elib
22. К. С. Журавлев, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, М. С. Аксенов, А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, “Мощные СВЧ-фотодиоды на основе гетероструктур InAlAs/InGaAs, синтезируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 91:7 (2021),  1158–1163  mathnet  elib; K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  scopus 4
23. Д. В. Дмитриев, Д. А. Колосовский, Е. В. Федосенко, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Замещение фосфора на поверхности InP(001) при отжиге в потоке мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  877–881  mathnet; D. V. Dmitriev, D. A. Kolosovsky, E. V. Fedosenko, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “Substitution of phosphorus at the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux”, Semiconductors, 55:11 (2021), 823–837 5
24. П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Особенности оптического усиления в сильнолегированных Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-структурах”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  39–42  mathnet  elib; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Features of optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-structures”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 692–695 1
25. С. А. Богданов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлев, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, И. А. Рогачёв, Е. В. Терёшкин, С. В. Щербаков, “Полевой транзистор миллиметрового диапазона длин волн на основе псевдоморфной гетероструктуры с дополнительными потенциальными барьерами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021),  52–54  mathnet  elib; S. A. Bogdanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, I. A. Rogachev, E. V. Tereshkin, S. V. Sherbakov, “A millimeter-wave field-effect transistor based on a pseudomorphic heterostructure with an additional potential barrier”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 329–332
26. М. А. Суханов, А. К. Бакаров, К. С. Журавлёв, “AlSb/InAs-гетероструктуры для СВЧ-транзисторов”, Письма в ЖТФ, 47:3 (2021),  37–39  mathnet  elib; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, K. S. Zhuravlev, “AlSb/InAs heterostructures for microwave transistors”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 139–142 1
2020
27. М. А. Суханов, А. К. Бакаров, Д. Ю. Протасов, К. С. Журавлёв, “AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020),  3–6  mathnet  elib; M. A. Sukhanov, A. K. Bakarov, D. Yu. Protasov, K. S. Zhuravlev, “AlInSb/InSb heterostructures for IR photodetectors grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 154–157 3
2019
28. Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, И. А. Александров, Н. В. Ржеуцкий, Е. В. Лебедок, Е. А. Разумец, К. С. Журавлев, “Формирование нанокристаллов GaN на поверхности графеноподобных $g$-AlN и $g$-Si$_{3}$N$_{3}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2327–2332  mathnet  elib; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 1
29. Н. Н. Новикова, В. А. Яковлев, С. А. Климин, Т. В. Малин, А. М. Гилинский, К. С. Журавлев, “Поверхностные поляритоны в пленках нитридов алюминия и галлия, легированных кремнием”, Оптика и спектроскопия, 127:1 (2019),  42–45  mathnet  elib; N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, S. A. Klimin, T. V. Malin, A. M. Gilinskii, K. S. Zhuravlev, “Surface polaritons in silicon-doped aluminum and gallium nitride films”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 36–39 2
30. К. А. Свит, К. С. Журавлев, “Процессы самосборки нанокристаллов CdS, синтезированных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019),  1573–1578  mathnet  elib; K. A. Svit, K. S. Zhuravlev, “On the processes of the self-assembly of cds nanocrystal arrays formed by the Langmuir–Blodgett technique”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1540–1544 2
31. П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Оптическое усиление в сильнолегированных структурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  48–51  mathnet  elib; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si structures”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 951–954 2
32. Т. В. Малин, Д. С. Милахин, И. А. Александров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, А. А. Зайцев, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлёв, “Нелегированный высокоомный буферный слой GaN для HEMT AlGaN/GaN”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019),  21–24  mathnet  elib; T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 6
33. А. Л. Чиж, К. Б. Микитчук, К. С. Журавлев, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Н. А. Валишева, М. С. Аксенов, А. М. Гилинский, И. Б. Чистохин, “Мощные высокоскоростные фотодиоды Шоттки для аналоговых волоконно-оптических линий передачи СВЧ-сигналов”, Письма в ЖТФ, 45:14 (2019),  52–54  mathnet  elib; A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 12
34. И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, И. В. Марчишин, А. И. Торопов, К. С. Журавлев, “Влияние морфологии поверхности слоев InAlAs на температурные зависимости параметров диодов Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs (001)”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019),  59–62  mathnet  elib; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184 2
2018
35. В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, Т. В. Малин, C. А. Тийс, Е. В. Федосенко, А. С. Кожухов, К. С. Журавлев, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Формирование графеноподобного слоя SiN на поверхности (111)Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1407–1413  mathnet  elib; V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 7
36. Т. В. Малин, Д. С. Милахин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицын, А. С. Кожухов, В. В. Ратников, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, К. С. Журавлев, “Влияние степени нитридизации сапфира и обогащения алюминием зародышевого слоя на структурные свойства слоев AlN”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018),  643–650  mathnet  elib; T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 8
37. В. В. Ратников, М. П. Щеглов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, И. В. Осинных, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Изменение характера биаксиальных напряжений при возрастании $x$ от 0 до 0.7 в слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si, полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018),  233–237  mathnet  elib; V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 1
38. Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  48–56  mathnet  elib; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 4
39. Д. Ю. Протасов, Д. В. Гуляев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Е. В. Ерофеев, К. С. Журавлев, “Увеличение насыщенной скорости дрейфа электронов в pHEMT-гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018),  77–84  mathnet  elib; D. Yu. Protasov, D. V. Gulyaev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, E. V. Erofeev, K. S. Zhuravlev, “Increasing saturated electron-drift velocity in donor–acceptor doped phemt heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 260–262 7
40. П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Д. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиленная люминесценция сильнолегированных Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N-структур при оптическом возбуждении”, Квантовая электроника, 48:3 (2018),  215–221  mathnet  elib [P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Amplified luminescence of heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N structures under optical pumping”, Quantum Electron., 48:3 (2018), 215–221  isi  scopus]
2017
41. Д. В. Гуляев, С. А. Бацанов, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, “Природа люминесценции квантовых точек PbS, синтезированных в матрице Ленгмюра–Блоджетт”, Письма в ЖЭТФ, 106:1 (2017),  21–25  mathnet  elib; D. V. Gulyaev, S. A. Batsanov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, “Nature of luminescence of PbS quantum dots synthesized in a Langmuir–Blodgett matrix”, JETP Letters, 106:1 (2017), 18–22  isi  scopus
42. А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, А. П. Ковчавцев, А. И. Торопов, И. Д. Бурлаков, К. О. Болтарь, П. В. Власов, А. А. Лопухин, “Матричные фотоприемные устройства на основе слоев InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 87:6 (2017),  900–904  mathnet  elib; A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, A. P. Kovchavtsev, A. I. Toropov, I. D. Burlakov, K. O. Boltar, P. V. Vlasov, A. A. Lopukhin, “MBE-grown InSb photodetector arrays”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 915–919 11
43. Д. Ю. Протасов, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, К. С. Журавлев, “Подвижность двумерного электронного газа в DA-$p$HEMT гетроструктурах с различной шириной профиля $\delta$–$n$-слоев”, Физика и техника полупроводников, 51:12 (2017),  1696  mathnet; D. Yu. Protasov, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Mobility of the two-dimensional electron gas in DA-$p$HEMT heterostructures with various $\delta$–$n$-layer profile widths”, Semiconductors, 52:1 (2018), 44–52 4
44. А. А. Зарубанов, В. Ф. Плюснин, К. С. Журавлев, “Передача электронного возбуждения из органической матрицы в нанокристаллы CdS, полученные методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017),  605–610  mathnet  elib; A. A. Zarubanov, V. F. Plyusnin, K. S. Zhuravlev, “Electronic excitation transfer from an organic matrix to CdS nanocrystals produced by the Langmuir–Blodgett method”, Semiconductors, 51:5 (2017), 576–581 3
45. К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  395–402  mathnet  elib; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 5
46. И. Б. Чистохин, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева, Д. В. Дмитриев, К. С. Журавлев, А. А. Гузев, “Особенности протекания тока в структурах на основе барьера Шоттки Au/Ti/$n$-InAlAs”, Письма в ЖТФ, 43:12 (2017),  83–89  mathnet  elib; I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583
47. П. А. Бохан, К. С. Журавлёв, Дм. Э. Закревский, Т. В. Малин, И. В. Осинных, Н. В. Фатеев, “Усиление излучения в легированных AlGaN-структурах при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017),  5–13  mathnet  elib; P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, Dm. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 46–49 2
2016
48. И. А. Александров, В. Г. Мансуров, К. С. Журавлев, “Замедление кинетики фотолюминесценции ансамбля квантовых точек GaN/AlN при туннельном взаимодействии с дефектами”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016),  1059–1063  mathnet  elib; I. A. Aleksandrov, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Photoluminescence kinetics slowdown in an ensemble of GaN/AlN quantum dots upon tunneling interaction with defects”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1038–1042 2
49. И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, “Влияние дефектов на кинетику фотолюминесценции структур с квантовыми точками GaN/AlN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  191–194  mathnet  elib; I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, “Influence of defects on the photoluminescence kinetics in GaN/AlN quantum-dot structures”, Semiconductors, 50:2 (2016), 191–194 1
50. А. А. Борисов, К. С. Журавлев, С. С. Зырин, В. Г. Лапин, В. М. Лукашин, A. A. Маковецкая, В. И. Новоселец, А. Б. Пашковский, А. И. Торопов, Н. Д. Урсуляк, С. В. Щербаков, “Исследование средней дрейфовой скорости электронов в pHEMT-транзисторах”, Письма в ЖТФ, 42:16 (2016),  41–47  mathnet  elib; A. A. Borisov, K. S. Zhuravlev, S. S. Zyrin, V. G. Lapin, V. M. Lukashin, A. A. Makovetskaya, V. I. Novoselets, A. B. Pashkovskii, A. I. Toropov, N. D. Ursulyak, S. V. Sherbakov, “Studying average electron drift velocity in pHEMT structures”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 848–851 5
51. К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, “Нормально закрытые транзисторы на основе in situ пассивированных гетероструктур AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  72–79  mathnet  elib; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, “Normally off transistors based on in situ passivated AlN/GaN heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 750–753 3
2015
52. Д. В. Гуляев, Т. В. Перевалов, В. Ш. Алиев, К. С. Журавлев, В. А. Гриценко, А. П. Елисеев, А. В. Заблоцкий, “Происхождение синей полосы люминесценции в оксиде циркония”, Физика твердого тела, 57:7 (2015),  1320–1324  mathnet  elib; D. V. Gulyaev, T. V. Perevalov, V. Sh. Aliev, K. S. Zhuravlev, V. A. Gritsenko, A. P. Eliseev, A. V. Zablotskii, “Origin of the blue luminescence band in zirconium oxide”, Phys. Solid State, 57:7 (2015), 1347–1351 8
53. Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. К. Шестаков, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, ЖТФ, 85:4 (2015),  67–73  mathnet  elib; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. K. Shestakov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors”, Tech. Phys., 60:3 (2015), 546–552 3
54. Т. В. Малин, А. М. Гилинский, В. Г. Мансуров, Д. Ю. Протасов, А. С. Кожухов, Е. Б. Якимов, К. С. Журавлев, “Увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1), полученных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1329–1334  mathnet  elib; T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “Increase in the diffusion length of minority carriers in Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1285–1289 6
55. Д. С. Милахин, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, Ю. Г. Галицин, К. С. Журавлев, “Нитридизация нереконструированной и реконструированной $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ поверхности (0001) сапфира в потоке аммиака”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  925–931  mathnet  elib; D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev, “Nitridation of an unreconstructed and reconstructed $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ (0001) sapphire surface in an ammonia flow”, Semiconductors, 49:7 (2015), 905–910 2
56. А. А. Зарубанов, К. С. Журавлев, “Кинетика фотолюминесценции нанокластеров CdS, сформированных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  392–398  mathnet  elib; A. A. Zarubanov, K. S. Zhuravlev, “Photoluminescence kinetics in CdS nanoclusters formed by the Langmuir–Blodgett technique”, Semiconductors, 49:3 (2015), 380–386 7
57. Д. В. Гуляев, К. С. Журавлев, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, “Идентификация полос фотолюминесценции AlGaAs/InGaAs/GaAs $p$HEMT гетероструктур с донорно-акцепторным легированием барьеров”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  230–235  mathnet  elib; D. V. Gulyaev, K. S. Zhuravlev, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, “Identification of photoluminescence bands in AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT heterostructures with donor-acceptor-doped barriers”, Semiconductors, 49:2 (2015), 224–228 3
58. В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, В. Г. Лапин, С. В. Щербаков, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, А. А. Капралова, “Управление положением оптимальной рабочей точки мощного гетероструктурного полевого транзистора путем формирования подзатворного потенциального барьера на основе донорно-акцепторной структуры”, Письма в ЖТФ, 41:3 (2015),  81–87  mathnet  elib; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, V. G. Lapin, S. V. Sherbakov, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, A. A. Kapralova, “Adjusting the position of the optimum operating point of a power heterostructure field-effect transistor by forming a gate potential barrier based on a donor-acceptor structure”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 142–145 2
2014
59. Д. Ю. Протасов, Н. Р. Вицина, Н. А. Валишева, Ф. Н. Дульцев, Т. В. Малин, К. С. Журавлев, “Использование маски из хрома для плазмохимического травления слоев Al$_x$Ga$_{1-x}$N”, ЖТФ, 84:9 (2014),  96–99  mathnet  elib; D. Yu. Protasov, N. R. Vitsina, N. A. Valisheva, F. N. Dultsev, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Chromium mask for plasma-chemical etching of Al$_x$Ga$_{1-x}$N layers”, Tech. Phys., 59:9 (2014), 1356–1359
60. К. А. Свит, Д. Ю. Протасов, Л. Л. Свешникова, А. К. Шестаков, С. А. Тийс, К. С. Журавлев, “Туннельный транспорт через массивы пассивированных нанокристаллов CdS, полученных методом Ленгмюра–Блоджетт”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1237–1242  mathnet  elib; K. A. Svit, D. Yu. Protasov, L. L. Sveshnikova, A. K. Shestakov, S. A. Teys, K. S. Zhuravlev, “Tunneling transport through passivated CdS nanocrystal arrays grown by the Langmuir–Blodgett method”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1205–1210 3
61. И. В. Осинных, К. С. Журавлев, Т. В. Малин, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, “Уменьшение энергии связи доноров в слоях GaN : Si при сильном легировании”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1164–1168  mathnet  elib; I. V. Osinnykh, K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, “Decrease in the binding energy of donors in heavily doped GaN:Si layers”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1134–1138 9
62. В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, Е. И. Голант, А. А. Капралова, “Перспективы развития мощных полевых транзисторов на гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  684–692  mathnet  elib; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, E. I. Golant, A. A. Kapralova, “Prospects for the development of high-power field-effect transistors based on heterostructures with donor-acceptor doping”, Semiconductors, 48:5 (2014), 666–674 26
2013
63. Д. Ю. Протасов, Т. В. Малин, А. В. Тихонов, А. Ф. Цацульников, К. С. Журавлев, “Рассеяние электронов в гетероструктурах AlGaN/GaN с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  36–47  mathnet  elib; D. Yu. Protasov, T. V. Malin, A. V. Tikhonov, A. F. Tsatsul'nikov, K. S. Zhuravlev, “Electron scattering in AlGaN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Semiconductors, 47:1 (2013), 33–44 31
2012
64. А. А. Зарубанов, К. С. Журавлев, Т. А. Дуда, А. В. Окотруб, “Перенос энергии электронного возбуждения между квантовыми точками CdS и углеродными нанотрубками”, Письма в ЖЭТФ, 95:7 (2012),  403–407  mathnet  elib; A. A. Zarubanov, K. S. Zhuravlev, T. A. Duda, A. V. Okotrub, “Electronic excitation energy transfer between CdS quantum dots and carbon nanotubes”, JETP Letters, 95:7 (2012), 362–365  isi  elib  scopus 9
65. В. М. Лукашин, А. Б. Пашковский, К. С. Журавлев, А. И. Торопов, В. Г. Лапин, А. Б. Соколов, “Уменьшение роли поперечного пространственного переноса электронов и рост выходной мощности гетероструктурных полевых транзисторов”, Письма в ЖТФ, 38:17 (2012),  84–89  mathnet  elib; V. M. Lukashin, A. B. Pashkovskii, K. S. Zhuravlev, A. I. Toropov, V. G. Lapin, A. B. Sokolov, “Decreasing the role of transverse spatial electron transport and increasing the output power of heterostructure field-effect transistors”, Tech. Phys. Lett., 38:9 (2012), 819–821 13
2010
66. И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, П. Хольтц, “Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 91:9 (2010),  498–500  mathnet; I. A. Aleksandrov, K. S. Zhuravlev, V. G. Mansurov, P. Holtz, “Linearly polarized photoluminescence from an ensemble of wurtzite GaN/AlN quantum dots”, JETP Letters, 91:9 (2010), 452–454  isi  scopus 2
2005
67. Д. Д. Ри, В. Г. Мансуров, А. Ю. Никитин, А. К. Гутаковский, К. С. Журавлев, П. Тронк, “Кинетика фотолюминесценции вюрцитных GaN квантовых точек в матрице AlN”, Письма в ЖЭТФ, 81:2 (2005),  70–73  mathnet; D. D. Ri, V. G. Mansurov, A. Yu. Nikitin, A. K. Gutakovskii, K. S. Zhuravlev, P. Tronc, “Photoluminescence kinetics of wurtzite GaN quantum dots in an AlN matrix”, JETP Letters, 81:2 (2005), 62–65  isi  scopus 4
2003
68. А. В. Ефанов, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. Кельнер, Х. Пашер, “Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003),  664–667  mathnet; A. V. Efanov, K. S. Zhuravlev, T. S. Shamirzaev, W. Kellner, H. Pasher, “Observation of exchange interaction effects under optical orientation of excitons in AlGaAs”, JETP Letters, 77:10 (2003), 561–564  scopus 1
69. Т. С. Шамирзаев, А. М. Гилинский, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. А. Тэннэ, К. С. Журавлев, К. фон Борцисковски, Д. Цан, “Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  459–463  mathnet; T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, C. von Borczyskowski, D. Zahn, “Millisecond photoluminescence kinetics in a system of direct-bandgap InAs quantum dots in an AlAs matrix”, JETP Letters, 77:7 (2003), 389–392  scopus 30

Организации