|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков, П. М. Ковалева, К. А. Кузнецов, “Генерация терагерцового излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами $\{\mathrm{InGaAs/InAlAs}\}$ с ориентациями (100) и (111)А”, Оптика и спектроскопия, 133:3 (2025), 221–231   |
| 2. |
Е. А. Климов, А. Н. Виниченко, И. С. Васильевский, А. Н. Клочков, С. С. Пушкарев, И. Д. Бурлаков, “Влияние температуры роста на структурное совершенство пленок CdTe(111), синтезированных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025), 141–149 |
|
2024 |
| 3. |
Ан. А. Афоненко, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, С. С. Пушкарев, Р. А. Хабибуллин, “Анализ ПЭМ-изображения квантово-каскадной лазерной гетероструктуры, выращенной методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 179–184 |
| 4. |
Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. М. Солянкин, А. С. Синько, А. Ю. Павлов, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, “Генерация терагерцевого излучения множественными псевдоморфными квантовыми ямами InGaAs/GaAs с ориентацией (100), (110) и (111)А и фотопроводящими антеннами на их основе”, Квантовая электроника, 54:1 (2024), 43–50 [E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. M. Solyankin, A. S. Sinko, A. Yu. Pavlov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, “Generation of THz radiation by (100), (110), and (111)A-oriented multiple pseudomorphic InGaAs/GaAs quantum wells and photoconductive antennas”, Bull. Lebedev Physics Institute, 51:suppl. 4 (2024), S316–S325] |
1
|
|
2022 |
| 5. |
Д. А. Белов, А. В. Иконников, С. С. Пушкарев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Д. Р. Хохлов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. А. Хабибуллин, “Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 705–710 |
| 6. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. И. Данилов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Зайцев, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, С. С. Пушкарев, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:10 (2022), 16–19 |
|
2020 |
| 7. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. А. Зайцев, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков, “Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020), 877–884 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 |
1
|
| 8. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. А. Зайцев, А. Н. Клочков, “Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1203–1210 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 |
3
|
|
2019 |
| 9. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев, “Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 258–266 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, V. B. Kopylov, S. S. Pushkarev, “Electrical and photoluminescence studies of $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ superlattices grown by MBE on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates”, Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254 |
2
|
|
2018 |
| 10. |
С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, Н. В. Зенченко, “Анализ особенностей кристаллической структуры НЕМТ-гетероструктур GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N по данным рентгеновской дифрактометрии методом Вильямсона–Холла”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 586–590 ; S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, N. V. Zenchenko, “X-ray diffraction analysis of features of the crystal structure of GaN/Al$_{0.32}$Ga$_{0.68}$N HEMT-heterostructures by the Williamson–Hall method”, Semiconductors, 52:6 (2018), 734–738 |
4
|
| 11. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 395–401 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 |
7
|
|
2017 |
| 12. |
Г. Б. Галиев, А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев, “Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 792–797 ; G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765 |
| 13. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Е. А. Климов, И. С. Васильевский, П. П. Мальцев, “Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 529–534 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 |
18
|
| 14. |
Г. Б. Галиев, М. М. Грехов, Г. Х. Китаева, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, О. С. Коленцова, В. В. Корниенко, К. А. Кузнецов, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, “Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 322–330 ; G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 |
16
|
|
2016 |
| 15. |
И. С. Васильевский, С. С. Пушкарев, М. М. Грехов, А. Н. Виниченко, Д. В. Лаврухин, О. С. Коленцова, “Особенности диагностики метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии в режиме $\omega$-сканирования”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 567–573 ; I. S. Vasil'evskii, S. S. Pushkarev, M. M. Grekhov, A. N. Vinichenko, D. V. Lavrukhin, O. S. Kolentsova, “Features of the diagnostics of metamorphic InAlAs/InGaAs/InAlAs nanoheterostructures by high-resolution X-ray diffraction in the $\omega$-scanning mode”, Semiconductors, 50:4 (2016), 559–565 |
8
|
| 16. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, М. М. Грехов, С. С. Пушкарев, Д. В. Лаврухин, П. П. Мальцев, “Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 195–203 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 |
8
|
|
2015 |
| 17. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1243–1253 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 |
5
|
| 18. |
В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 942–950 ; V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As structures on GaAs substrates”, Semiconductors, 49:7 (2015), 921–929 |
7
|
| 19. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 241–248 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 |
12
|
|
2014 |
| 20. |
Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014), 909–916 ; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 |
4
|
| 21. |
Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014), 658–666 ; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic heterostructures on GaAs substrates”, Semiconductors, 48:5 (2014), 640–648 |
9
|
| 22. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарёв, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. П. Мальцев, “Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 67–72 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev, “Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As HEMT nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:1 (2014), 63–68 |
1
|
|
2013 |
| 23. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, Р. М. Имамов, “Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 990–996 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, R. M. Imamov, “Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations”, Semiconductors, 47:7 (2013), 997–1002 |
8
|
| 24. |
Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, И. С. Васильевский, О. М. Жигалина, Е. А. Климов, В. Г. Жигалина, Р. М. Имамов, “Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 510–515 ; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, O. M. Zhigalina, E. A. Klimov, V. G. Zhigalina, R. M. Imamov, “Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures”, Semiconductors, 47:4 (2013), 532–537 |
4
|
| 25. |
А. Л. Шиленас, Ю. К. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, Е. А. Климов, “Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 348–352 ; A. L. Shilenas, Yu. K. Pozhela, K. Požela, V. Juciené, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, E. A. Klimov, “Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts”, Semiconductors, 47:3 (2013), 372–375 |
10
|
|
