Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Len'shin, Aleksandr Sergeevich
Doctor of physico-mathematical sciences (2020)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)

https://www.mathnet.ru/eng/person148470
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=562868
https://www.researchgate.net/profile/A-Lenshin

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. P. V. Seredin, A. M. Mizerov, N. A. Kurilo, S. A. Kukushkin, D. L. Goloshchapov, N. S. Builov, A. S. Len'shin, D. N. Nesterov, M. S. Sobolev, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, “Studies of Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, nanosized columnar heterostructures grown on silicon substrates with various surface modifications”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 94:1 (2024),  138–150  mathnet  elib
2023
2. A. S. Len'shin, Ya. A. Peshkov, O. V. Chernousova, K. A. Barkov, S. V. Kannykin, “Influence of etching modes on the morphology and composition of the surface of multilayer porous silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:8 (2023),  613–616  mathnet  elib
2022
3. P. V. Seredin, Ali Obaid Radam, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, N. S. Builov, K. A. Barkov, D. N. Nesterov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Sh. Sharofidinov, L. S. Vavilova, S. A. Kukushkin, I. A. Kasatkin, “Growth of thin-film AlGaN/GaN epitaxial heterostructures on hybrid substrates containing layers of silicon carbide and porous silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:6 (2022),  547–552  mathnet  elib
2021
4. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Abduljabbar Riyad Khuder, D. L. Goloshchapov, M. A. Kharajidi, I. N. Arsent'ev, I. A. Kasatkin, “Properties of compliant porous silicon-based substrates formed by two-stage etching”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  1021–1026  mathnet  elib
5. P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  704–710  mathnet  elib; Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001
2020
6. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:5 (2020),  491–503  mathnet  elib; Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 3
7. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  346–354  mathnet  elib; Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 2
2019
8. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1141–1151  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130
9. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:7 (2019),  1010–1016  mathnet  elib; Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 2
10. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:1 (2019),  70–76  mathnet  elib; Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71
11. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 49:6 (2019),  545–551  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551  isi  scopus] 2
2018
12. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1553–1562  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 2
13. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, “Effect of conditions of electrochemical etching on the morphological, structural, and optical properties of porous gallium arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:9 (2018),  1041–1048  mathnet  elib; Semiconductors, 52:9 (2018), 1163–1170 1
14. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, “Effect of misorientation and preliminary etching of the substrate on the structural and optical properties of integrated GaAs/Si(100) heterostructures produced by vapor phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:8 (2018),  881–890  mathnet  elib; Semiconductors, 52:8 (2018), 1012–1021 3
15. A. S. Len'shin, “Specific features of the optical characteristics of porous silicon and their modification by chemical treatment of the surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  342–348  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 324–330 1
16. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of substrate misorientation on the composition and the structural and photoluminescence properties of epitaxial layers grown on GaAs(100)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  118–124  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 112–117 5
2017
17. A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, È. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Beltyukov, F. Z. Gilmutdinov, “Composition of nanocomposites of thin tin layers on porous silicon, formed by magnetron sputtering”, Fizika Tverdogo Tela, 59:4 (2017),  773–782  mathnet  elib; Phys. Solid State, 59:4 (2017), 791–800
18. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P on their optical properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:9 (2017),  1160–1167  mathnet  elib; Semiconductors, 51:9 (2017), 1111–1118 1
19. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, D. N. Nikolaev, T. Prutskij, “Experimental studies of the effects of atomic ordering in epitaxial Ga$_{x}$In$_{1-x}$P alloys on their structural and morphological properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1131–1137  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1087–1092 2
20. A. S. Len'shin, P. V. Seredin, I. V. Kavetskaya, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, “Study of the deposition features of the organic dye Rhodamine B on the porous surface of silicon with different pore sizes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:2 (2017),  193–197  mathnet  elib; Semiconductors, 51:2 (2017), 184–188
21. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, A. V. Zhabotinsky, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Epitaxial Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg alloys with different conductivity types”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  124–132  mathnet  elib; Semiconductors, 51:1 (2017), 122–130
2016
22. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, Ya. V. Lubyanskiy, I. S. Tarasov, “Growth features and spectroscopic structure investigations of nanoprofiled AlN films formed on misoriented GaAs substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1283–1294  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1261–1272
2015
23. A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Variations of the optical characteristics of nano-, meso-, and macroporous silicon with time”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 85:7 (2015),  151–155  mathnet  elib; Tech. Phys., 60:7 (2015), 1096–1100 2
24. V. S. Levitskii, A. S. Len'shin, P. V. Seredin, E. I. Terukov, “Study of the processes of degradation of the optical properties of mesoporous and macroporous silicon upon exposure to simulated solar radiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:11 (2015),  1540–1545  mathnet  elib; Semiconductors, 49:11 (2015), 1493–1498 4
25. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. N. Nikolaev, I. S. Tarasov, V. V. Shamakhov, A. V. Popov, “Al$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(100) hetermostructures with anomalously high carrier mobility”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:8 (2015),  1043–1049  mathnet  elib; Semiconductors, 49:8 (2015), 1019–1024 1
26. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, I. N. Arsent'ev, A. D. Bondarev, I. S. Tarasov, “Investigations of nanodimensional Al$_2$O$_3$ films deposited by ion-plasma sputtering onto porous silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:7 (2015),  936–941  mathnet  elib; Semiconductors, 49:7 (2015), 915–920 24
2014
27. A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, V. N. Tsipenyuk, È. P. Domashevskaya, “Optical characteristics of porous silicon structures”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 84:2 (2014),  70–75  mathnet  elib; Tech. Phys., 59:2 (2014), 224–229 27
28. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, A. N. Lukin, A. S. Len'shin, A. D. Bondarev, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, “Structure and optical properties of thin Al$_2$O$_3$ films deposited by the reactive ion-plasma sputtering method on GaAs (100) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:11 (2014),  1564–1569  mathnet  elib; Semiconductors, 48:11 (2014), 1527–1531 9
29. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, A. V. Glotov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke, “Structural and optical properties of heavily doped Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$:Mg alloys produced by metal-organic chemical vapor deposition”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:8 (2014),  1123–1131  mathnet  elib; Semiconductors, 48:8 (2014), 1094–1102 10
30. A. S. Len'shin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, I. E. Kononova, V. A. Moshnikov, N. S. Terebova, I. N. Shabanova, “Specific features of the sol–gel formation and optical properties of 3$d$ metal/porous silicon composites”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:4 (2014),  570–575  mathnet  elib; Semiconductors, 48:4 (2014), 551–555 5
31. P. V. Seredin, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structure and optical properties of heterostructures based on MOCVD (Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_{1-y}$P$_y$)$_{1-z}$Si$_z$ alloys”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:1 (2014),  23–31  mathnet  elib; Semiconductors, 48:1 (2014), 21–29 26
2013
32. A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, D. A. Minakov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, V. V. Ratnikov, L. M. Sorokin, “Structural and optical properties of porous silicon prepared from a $p^+$-epitaxial layer on $n$-Si(111)”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 83:3 (2013),  96–100  mathnet  elib; Tech. Phys., 58:3 (2013), 404–407 1
33. A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, V. N. Tsipenyuk, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Optical properties of porous silicon processed in tetraethyl orthosilicate”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 83:2 (2013),  136–140  mathnet  elib; Tech. Phys., 58:2 (2013), 284–288 14
2012
34. A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, S. Yu. Turishchev, M. S. Smirnov, È. P. Domashevskaya, “Influence of natural aging on photoluminescence from porous silicon”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 82:2 (2012),  150–152  mathnet  elib; Tech. Phys., 57:2 (2012), 305–307 17
35. A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, B. L. Agapov, M. A. Kuznetsova, V. A. Moshnikov, È. P. Domashevskaya, “Study of the morphological growth features and optical characteristics of multilayer porous silicon samples grown on $n$-type substrates with an epitaxially deposited $p^+$-layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:8 (2012),  1101–1107  mathnet  elib; Semiconductors, 46:8 (2012), 1079–1084 22
36. P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, A. S. Len'shin, M. S. Smirnov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Structural and spectral features of MOCVD Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/GaAs (100) alloys”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:6 (2012),  739–750  mathnet  elib; Semiconductors, 46:6 (2012), 719–729 18
37. S. N. Ivannikov, I. V. Kavetskaya, V. M. Kashkarov, A. S. Len'shin, “Photoemission features of organic dyes in matrix of porous silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:23 (2012),  77–82  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 9–11 2
2013
38. P. V. Seredin, V. E. Ternovaya, A. V. Glotov, A. S. Len'shin, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, H. Leiste, T. Prutskij, “X-ray diffraction studies of heterostructures based on solid solutions Al$_x$Ga$_{1-x}$As$_y$P$_{1-y}$ : Si”, Fizika Tverdogo Tela, 55:10 (2013),  2046–2049  mathnet  elib; Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2161–2164 16

Organisations