Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Козловский Виталий Васильевич
профессор
доктор физико-математических наук (1996)
Специальность ВАК: 01.04.07 (физика конденсированного состояния)
Дата рождения: 9.02.1953
E-mail:
Сайт: https://physics.spbstu.ru/person/kozlovskiy_vitaliy_vasilevich/

Научная биография:

Козловский, Виталий Васильевич. Физические основы радиационного легирования полупроводниковых материалов с использованием заряженных частиц : автореферат дис. ... доктора физ.-матем. наук : 01.04.07, 01.04.16 / Санкт-Петербургский гос. технич. ун-т. - Санкт-Петербург, 1996. - 38 с.
   
Основные публикации:
  • Модифицирование полупроводников пучками протонов / В.В. Козловский ; Отв. ред. Р.Ш. Малкович. - СПб. : Наука, 2003. - 267, [1] с. : ил.; 22 см.; ISBN 5-02-024988-2
  • Модификация свойств полупроводников облучением лёгкими ионами : учеб. пос. / В. В. Козловский, П. А. Карасев, А. Э. Васильев, А. И. Титов. - СПб. : Политех-Пресс, 2018. - 115 с. : ил., табл.; ISBN 978-5-7422-6532-0

https://www.mathnet.ru/rus/person108397
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=32400
https://www.webofscience.com/wos/author/record/А-6172-2015
https://www.scopus.com/authid/detail.url?authorId=7004057071

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. В. Сахаров, К. С. Давыдовская, М. Е. Левинштейн, А. Е. Николаев, “Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229  mathnet
2024
2. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, В. В. Козловский, “Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки”, Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196  mathnet  elib
3. Ф. Ф. Мурзаханов, Ю. А. Успенская, Е. Н. Мохов, О. П. Казарова, В. В. Козловский, В. А. Солтамов, “Создание NV$^-$-дефектов в карбиде кремния 6$H$–SiC облучением электронами высоких энергий”, Физика твердого тела, 66:4 (2024),  537–541  mathnet  elib
4. К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373  mathnet; K. V. Likhachev, A. M. Skomorokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshteǐn, I. A. Eliseev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Local diagnostics of spin defects in irradiated SiC Schottky diodes”, JETP Letters, 120:5 (2024), 354–359
5. С. Ю. Давыдов, К. С. Давыдовская, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, “Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  482–484  mathnet  elib
6. А. А. Лебедев, А. В. Сахаров, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. Е. Николаев, М. Е. Левинштейн, “Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52  mathnet  elib; A. A. Lebedev, A. V. Sakharov, V. V. Kozlovsky, D. A. Malevskii, A. E. Nikolaev, M. E. Levinshteǐn, “Effect of proton and electron irradiation on the parameters of gallium nitride Schottky diodes”, Semiconductors, 58:5 (2024), 433–435
2023
7. А. А. Лебедев, Д. А. Малевский, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, “Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  743–750  mathnet  elib
8. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Ю. Э. Китаев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Лебедев, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. В. Козловский, “Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576  mathnet  elib
9. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, “Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57  mathnet  elib 1
2022
10. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovski, S. B. Lastovskii, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, A. A. Aref'ev, “Boron-doped silicon: a possible way of testing and refining models of non-ionizing energy loss under electron- and proton irradiation”, Физика твердого тела, 64:12 (2022),  1915  mathnet
11. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Р. А. Кузьмин, “Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  809–813  mathnet  elib
12. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, “Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445  mathnet  elib
2020
13. В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
14. А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 8
15. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
16. O. M. Корольков, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Н. Слепчук, J. Toompuu, T. Rang, “Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  991–994  mathnet  elib; O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 6
17. В. А. Добров, В. В. Козловский, А. В. Мещеряков, В. Г. Усыченко, А. С. Чернова, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Влияние облучения электронами с энергией 0.9 МэВ на вольт-амперные характеристики и низкочастотные шумы 4$H$-SiC pin-диодов”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  555–561  mathnet  elib; V. A. Dobrov, V. V. Kozlovsky, A. V. Mescheryakov, V. G. Usychenko, A. S. Chernova, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Effect of electron irradiation with an energy of 0.9 MeV on the I–V characteristics and low-frequency noise in 4$H$-SiC pin diodes”, Semiconductors, 53:4 (2019), 545–551 3
2018
18. А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, “Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1651–1655  mathnet  elib; A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 6
19. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, Ю. В. Любимова, “Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1532–1534  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637
20. В. В. Емцев, Е. В. Гущина, В. Н. Петров, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, А. П. Карташова, А. А. Зыбин, В. В. Козловский, М. Ф. Кудояров, А. В. Сахаров, Г. А. Оганесян, Д. С. Полоскин, В. В. Лундин, “Многообразие свойств приборных структур на основе нитридов элементов III группы, связанное с модификацией фрактально-перколяционной системы”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  804–811  mathnet  elib; V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 3
21. В. В. Козловский, А. Э. Васильев, П. А. Карасев, А. А. Лебедев, “Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  327–332  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 4
2017
22. А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
23. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, А. Э. Васильев, Л. Ф. Макаренко, “Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 3
24. А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, А. Н. Якименко, А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, “Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67  mathnet  elib; A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 8
2016
25. В. В. Емцев, Е. Е. Заварин, М. А. Козловский, М. Ф. Кудояров, В. В. Лундин, Г. А. Оганесян, В. Н. Петров, Д. С. Полоскин, А. В. Сахаров, С. И. Трошков, Н. М. Шмидт, В. Н. Вьюгинов, А. А. Зыбин, Я. М. Парнес, С. И. Видякин, А. Г. Гудков, А. Е. Черняков, В. В. Козловский, “Особенности взаимодействия протонов с транзисторными структурами с двумерным AlGaN/GaN-каналом”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016),  39–46  mathnet  elib; V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 2
2015
26. А. А. Лебедев, С. В. Белов, М. Г. Мынбаева, А. М. Стрельчук, Е. В. Богданова, Ю. Н. Макаров, А. С. Усиков, С. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, В. В. Козловский, “Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388  mathnet  elib; A. A. Lebedev, S. V. Belov, M. G. Mynbaeva, A. M. Strel'chuk, E. V. Bogdanova, Yu. N. Makarov, A. S. Usikov, S. Yu. Kurin, I. S. Barash, A. D. Roenkov, V. V. Kozlovsky, “Radiation hardness of $n$-GaN Schottky diodes”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1341–1343 6
27. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, “Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1198–1201  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Effect of irradiation with MeV protons and electrons on the conductivity compensation and photoluminescence of moderately doped $p$-4H-SiC (CVD)”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1163–1165 11
28. А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, Д. Ю. Казанцев, В. В. Козловский, “О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67  mathnet  elib; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, D. Yu. Kazantsev, V. V. Kozlovsky, “On the relationship between radiation-stimulated photoluminescence and nitrogen atoms in $p$-4H-SiC”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1143–1145
2014
29. V. V. Emtsev, N. V. Abrosimov, V. V. Kozlovskii, G. A. Oganesyan, “Vacancy-donor pairs and their formation in irradiated $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1473–1478  mathnet  elib; Semiconductors, 48:11 (2014), 1438–1443 12
30. И. Е. Тысченко, В. А. Володин, В. В. Козловский, В. П. Попов, “Эффект гидростатического давления в процессе отжига пленок кремния на изоляторе, имплантированных большими дозами ионов водорода”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1339–1343  mathnet  elib; I. E. Tyschenko, V. A. Volodin, V. V. Kozlovsky, V. P. Popov, “Effect of hydrostatic pressure during the annealing of silicon-on-insulator films implanted with a high hydrogen-ion dose”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1303–1307 1
31. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1329–1331  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Comparison of the radiation hardness of silicon and silicon carbide”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1293–1295 8
32. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, В. Н. Ломасов, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, “Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1033–1036  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, V. N. Lomasov, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Conductivity compensation in $n$-4H-SiC (CVD) under irradiation with 0.9-MeV electrons”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1006–1009 12
33. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации”, Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  45–49  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Irradiation of sublimation-grown $p$-SiC with 0.9-MeV electrons”, Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 651–652 1
2012
34. V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovski, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, G. Wagner, “Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481  mathnet  elib; Semiconductors, 46:4 (2012), 456–465 33
35. А. А. Лебедев, Е. В. Богданова, М. В. Григорьева, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, “Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  90–94  mathnet  elib; A. A. Lebedev, E. V. Bogdanova, M. V. Grigor'eva, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Annealing of radiation-compensated silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 910–912 2
2011
36. И. В. Грехов, Л. С. Костина, В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, А. В. Рожков, “Создание профильного распределения концентрации рекомбинационных центров при электронном облучении кремния”, Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  105–110  mathnet  elib; I. V. Grekhov, L. S. Kostina, V. V. Kozlovsky, V. N. Lomasov, A. V. Rozhkov, “Electron irradiation controlled profile of recombination center concentration in silicon”, Tech. Phys. Lett., 37:5 (2011), 442–444
1985
37. В. Н. Ломасов, В. В. Козловский, Н. В. Марущак, “Диффузия примеси замещения в облученном ионами кристалле”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2175–2178  mathnet  isi

Организации