Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Саченко Анатолий Васильевич
кандидат физико-математических наук (1969)

Научная биография:

Саченко, Анатолий Васильевич. Теория некоторых поверхностно-чувствительных электронных явлений в полупроводниках : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.00.00 / А.В. Саченко. - Киев, 1969. - 188 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person161241
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, В. П. Кладько, Н. В. Сафрюк-Романенко, A. И. Любченко, В. М. Шеремет, В. В. Шинкаренко, А. С. Слепова, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, А. С. Пилипчук, Р. В. Конакова, А. В. Саченко, “Особенности температурной зависимости удельного контактного сопротивления диффузионных кремниевых структур Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  485–492  mathnet  elib; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, V. P. Klad'ko, N. V. Safryuk-Romanenko, A. I. Lubchenko, V. N. Sheremet, V. V. Shynkarenko, A. S. Slepova, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, A. S. Pilipchuk, R. V. Konakova, A. V. Sachenko, “Features of the temperature dependence of the specific contact resistance of Au–Ti–Pd–$n^{+}$–$n$-Si diffusion silicon structures”, Semiconductors, 53:4 (2019), 469–476
2018
2. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “Новый механизм реализации омических контактов”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  138–142  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On a new mechanism for the realization of ohmic contacts”, Semiconductors, 52:1 (2018), 131–135 2
3. А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. Н. Власюк, И. О. Соколовский, Г. А. Коноплев, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, М. А. Евстигнеев, “Влияние толщины базы на эффективность фотопреобразования текстурированных солнечных элементов на основе кремния”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018),  40–49  mathnet  elib; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. N. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, G. A. Konoplev, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, M. A. Evstigneev, “The effect of base thickness on photoconversion efficiency in textured silicon-based solar cells”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 873–876 24
2017
4. В. Н. Вербицкий, И. Е. Панайотти, С. Е. Никитин, А. В. Бобыль, Г. Г. Шелопин, Д. А. Андроников, А. С. Абрамов, А. В. Саченко, Е. И. Теруков, “Электролюминесцентные исследования эффективности кремниевых гетероструктурных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 43:17 (2017),  3–11  mathnet  elib; V. N. Verbitskii, I. E. Panaiotti, S. E. Nikitin, A. V. Bobyl', G. G. Shelopin, D. A. Andronikov, A. S. Abramov, A. V. Sachenko, E. I. Terukov, “Electroluminescent study of the efficiency of silicon heterostructural solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 779–782 4
5. А. В. Саченко, В. П. Костылев, А. В. Бобыль, В. М. Власюк, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, М. А. Евстигнеев, “Особенности моделирования эффективности фотопреобразования солнечных элементов на основе перовскитов”, Письма в ЖТФ, 43:14 (2017),  88–96  mathnet  elib; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, A. V. Bobyl', V. M. Vlasyuk, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, M. A. Evstigneev, “Peculiarities of photoconversion efficiency modeling in perovskite solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:7 (2017), 678–680 4
6. А. В. Саченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. В. Бобыль, В. Н. Вербицкий, Е. И. Теруков, М. З. Шварц, “Особенности токопрохождения в гетеропереходных солнечных элементах на основе $\alpha$-Si : H/Si”, Письма в ЖТФ, 43:3 (2017),  29–38  mathnet  elib; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. V. Bobyl', V. N. Verbitskii, E. I. Terukov, M. Z. Shvarts, “Specific features of current flow in $\alpha$-Si : H/Sii heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 152–155 25
2016
7. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Р. В. Конакова, “К вопросу об омичности контактов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  777–784  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, “On the ohmicity of Schottky contacts”, Semiconductors, 50:6 (2016), 761–768 5
8. А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, P. М. Коркишко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, “Моделирование реальных значений кпд высокоэффективных кремниевых солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  531–537  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. I. Skrebtii, R. M. Korkishko, V. P. Kostylyov, N. R. Kulish, I. O. Sokolovskyi, “Simulation of the real efficiencies of high-efficiency silicon solar cells”, Semiconductors, 50:4 (2016), 523–529 2
9. А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, “Метод оптимизации параметров гетеропереходных фотоэлектрических преобразователей на основе кристаллического кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  259–263  mathnet  elib; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, “Method for optimizing the parameters of heterojunction photovoltaic cells based on crystalline silicon”, Semiconductors, 50:2 (2016), 257–260 12
10. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, С. А. Витусевич, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, А. С. Пилипчук, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов на основе арсенида галлия и фосфида индия в области 4.2–300 K”, Письма в ЖТФ, 42:12 (2016),  82–87  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, S. A. Vitusevich, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, A. S. Pilipchuk, “The temperature dependence of the resistivity of ohmic contacts based on gallium arsenide and indium phosphide in the 4.2–300 K range”, Tech. Phys. Lett., 42:6 (2016), 649–651 2
11. А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, В. П. Костылев, P. М. Коркишко, И. О. Соколовский, А. С. Абрамов, С. Н. Аболмасов, Д. А. Андроников, А. В. Бобыль, И. Е. Панайотти, Е. И. Теруков, A. С. Титов, М. З. Шварц, “Исследование влияния температуры на характеристики гетеропереходных солнечных элементов на основе кристаллического кремния”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  70–76  mathnet  elib; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, V. P. Kostylyov, R. M. Korkishko, I. O. Sokolovskyi, A. S. Abramov, S. N. Abolmasov, D. A. Andronikov, A. V. Bobyl', I. E. Panaiotti, E. I. Terukov, A. S. Titov, M. Z. Shvarts, “The temperature dependence of the characteristics of crystalline-silicon-based heterojunction solar cells”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 313–316 7
2015
12. Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, В. Н. Вербицкий, С. А. Кудряшов, К. В. Емцев, И. О. Соколовский, “Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 2. Анализ результатов и сравнение с экспериментом”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  707–714  mathnet  elib; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, E. I. Terukov, A. S. Abramov, V. N. Verbitskii, S. A. Kudryashov, K. V. Emtsev, I. O. Sokolovskyi, “Simulation of the natural characteristics of vertical $a$-Si : H/$\mu c$-Si:H tandem solar cells. 2. Analysis of the results and comparison with the experiment”, Semiconductors, 49:5 (2015), 693–699
13. Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, А. С. Абрамов, Е. В. Мальчукова, И. О. Соколовский, “Моделирование натурных характеристик вертикальных тандемных солнечных элементов $a$-Si : H/$\mu c$-Si : H. 1. Общие соотношения”, Физика и техника полупроводников, 49:5 (2015),  697–706  mathnet  elib; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, E. I. Terukov, A. S. Abramov, E. V. Malchukova, I. O. Sokolovskyi, “Simulation of the natural characteristics of vertical $a$-Si : H/$\mu c$-Si:H tandem solar cells. 1. General relations”, Semiconductors, 49:5 (2015), 683–692 2
14. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, П. Н. Брунков, В. Н. Жмерик, С. В. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Кладько, П. Н. Романец, П. О. Сай, Н. В. Сафрюк, В. Н. Шеремет, “Температурные зависимости удельного контактного сопротивления в омических контактах к $n^+$-InN”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  472–482  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, P. N. Brunkov, V. N. Zhmerik, S. V. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Klad'ko, P. N. Romanets, P. O. Saja, N. V. Safryuk, V. N. Sheremet, “Temperature dependences of the contact resistivity in ohmic contacts to $n^+$-InN”, Semiconductors, 49:4 (2015), 461–471 7
15. А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, P. М. Коркишко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, “Особенности фотопреобразования в высокоэффективных кремниевых солнечных элементах”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  271–277  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. I. Skrebtii, R. M. Korkishko, V. P. Kostylyov, N. R. Kulish, I. O. Sokolovskyi, “Features of photoconversion in highly efficient silicon solar cells”, Semiconductors, 49:2 (2015), 264–269 21
16. А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, Д. А. Богданов, И. Е. Панайотти, И. О. Соколовский, Д. Л. Орехов, “Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 41:10 (2015),  42–49  mathnet  elib; A. V. Sachenko, Yu. V. Kryuchenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, E. I. Terukov, D. A. Bogdanov, I. E. Panaiotti, I. O. Sokolovskyi, D. L. Orekhov, “Analysis of the possibility of high-efficiency photovoltaic conversion in tandem heterojunction thin-layer solar cells”, Tech. Phys. Lett., 41:5 (2015), 482–485 5
2014
17. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Л. М. Капитанчук, В. Н. Шеремет, Ю. Н. Свешников, А. С. Пилипчук, “Механизм протекания тока в омическом контакте Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN в интервале температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1344–1347  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, L. M. Kapitanchuk, V. N. Sheremet, Yu. N. Sveshnikov, A. S. Pilipchuk, “Mechanism of current flow in a Au–Ti–Al–Ti–n$^+$-GaN ohmic contact in the temperature range of 4.2–300 K”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1308–1311 3
18. А. В. Саченко, В. П. Костылев, Н. Р. Кулиш, И. О. Соколовский, А. И. Шкребтий, “Моделирование эффективности многопереходных солнечных элементов”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  693–701  mathnet  elib; A. V. Sachenko, V. P. Kostylyov, N. R. Kulish, I. O. Sokolovskyi, A. I. Skrebtii, “Modeling the efficiency of multijunction solar cells”, Semiconductors, 48:5 (2014), 675–682 8
19. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, В. А. Пилипенко, Т. В. Петлицкая, В. А. Анищик, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. О. Виноградов, В. Н. Шеремет, “Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к $n^+$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  509–513  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, V. A. Pilipenko, T. V. Petlitskaya, V. A. Anischik, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. O. Vinogradov, V. N. Sheremet, “Current flow through metal shunts in ohmic contacts to $n^+$-Si”, Semiconductors, 48:4 (2014), 492–496 3
2013
20. Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе $a$-Si:H”, ЖТФ, 83:11 (2013),  86–91  mathnet  elib; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, V. N. Verbitskii, Yu. A. Nikolaev, “Annual dependences of generated power and electrical energy for $a$-Si:H-based solar cells”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1632–1637 3
21. Ю. В. Крюченко, А. В. Саченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, И. О. Соколовский, Е. И. Теруков, В. Н. Вербицкий, Ю. А. Николаев, “Моделирование изменения характеристик солнечных элементов на основе $a$-Si : H в течение светового дня”, ЖТФ, 83:11 (2013),  78–85  mathnet  elib; Yu. V. Kryuchenko, A. V. Sachenko, A. V. Bobyl', V. P. Kostylyov, I. O. Sokolovskyi, E. I. Terukov, V. N. Verbitskii, Yu. A. Nikolaev, “Simulation of daytime variations in the characteristics of $a$-Si:H solar cells”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1625–1631 4
22. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Ю. В. Жиляев, Л. М. Капитанчук, В. П. Кладько, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Наумов, В. Н. Пантелеев, В. Н. Шеремет, “Механизм формирования контактного сопротивления к A$^3$N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1191–1195  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, Yu. V. Zhilyaev, L. M. Kapitanchuk, V. P. Klad'ko, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Naumov, V. N. Panteleev, V. N. Sheremet, “Formation mechanism of contact resistance to III–N heterostructures with a high dislocation density”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1180–1184 1
23. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, А. О. Виноградов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, В. П. Костылев, Я. Я. Кудрик, В. П. Кладько, В. Н. Шеремет, “К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  426–431  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, A. O. Vinogradov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Kostylyov, Ya. Ya. Kudryk, V. P. Klad'ko, V. N. Sheremet, “The mechanism of contact-resistance formation on lapped $n$-Si surfaces”, Semiconductors, 47:3 (2013), 449–454 7
2012
24. А. Е. Беляев, А. В. Саченко, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, Л. А. Матвеева, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, В. Н. Шеремет, “Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP)”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  558–561  mathnet  elib; A. E. Belyaev, A. V. Sachenko, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, L. A. Matveeva, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, V. N. Sheremet, “Effect of microwave irradiation on the resistance of Au–TiB$_x$–Ge–Au–$n$–$n^+$–$n^{++}$-GaAs(InP) ohmic contacts”, Semiconductors, 46:4 (2012), 541–544 2
25. А. В. Саченко, А. Е. Беляев, А. В. Бобыль, Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов, Л. М. Капитанчук, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, В. В. Миленин, С. В. Новицкий, Д. А. Саксеев, И. С. Тарасов, В. Н. Шеремет, М. А. Яговкина, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ с высокой плотностью дислокаций”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  348–355  mathnet  elib; A. V. Sachenko, A. E. Belyaev, A. V. Bobyl', N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, V. V. Milenin, S. V. Novitskii, D. A. Sakseev, I. S. Tarasov, V. N. Sheremet, M. A. Yagovkina, “Temperature dependence of the contact resistance of ohmic contacts to III–V compounds with a high dislocation density”, Semiconductors, 46:3 (2012), 334–341 9
26. А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец, Р. В. Конакова, Я. Я. Кудрик, А. В. Саченко, В. Н. Шеремет, А. О. Виноградов, “Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si, подвергнутых микроволновому облучению”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012),  344–347  mathnet  elib; A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Sachenko, V. N. Sheremet, A. O. Vinogradov, “Temperature dependence of contact resistance for Au–Ti–Pd$_2$Si–n$^+$–Si ohmic contacts subjected to microwave irradiation”, Semiconductors, 46:3 (2012), 330–333 7
1992
27. А. М. Евстигнеев, А. В. Саченко, “Влияние фриделевских осцилляций на емкость двойного электрического слоя”, Физика твердого тела, 34:7 (1992),  2287–2290  mathnet  isi
28. А. Я. Буль, А. Т. Дидейкин, С. К. Бойцов, Ю. С. Зинчик, А. В. Саченко, “Эффект усиления фототока в структурах полупроводник$-$туннельно-прозрачный диэлектрик$-$полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 26:2 (1992),  295–304  mathnet
1988
29. В. Г. Попов, А. В. Саченко, Ю. В. Коломзаров, Р. П. Комиренко, В. А. Скрышевский, “К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1867–1870  mathnet
30. Н. А. Прима, А. В. Саченко, “Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная проводимость тонких образцов”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  522–524  mathnet
31. А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, А. В. Саченко, А. И. Шкребтий, “Вольт-амперная характеристика МТДП структур в режиме стационарного лавинного пробоя”, Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1729–1732  mathnet  isi
1986
32. А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, А. В. Саченко, “Кинетика фотоответа и механизм протекания тока в кремниевых структурах полупроводник–тонкий диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1444–1450  mathnet
33. Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, А. В. Саченко, О. М. Сресели, “Аномальный фотоэффект на границе закиси меди с электролитом”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  876–880  mathnet
34. А. В. Саченко, Б. А. Новоминский, В. Я. Айвазов, А. С. Калшабеков, “Фотомагнитный эффект в структурах Si$-$SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  257–262  mathnet
1985
35. А. В. Саченко, “Физические ограничения эффективности фотопреобразования в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1468–1472  mathnet
1983
36. А. В. Саченко, “Спектральные зависимости фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния. Теоретические соотношения”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1782–1786  mathnet
37. А. Я. Вуль, А. Т. Дидейкин, Ю. С. Зинчик, К. В. Санин, А. В. Саченко, “Кинетика фотоответа туннельных МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1471–1477  mathnet
38. А. Я. Вуль, А. В. Саченко, “Фотоэлектрические свойства структур металл–диэлектрик–полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика”, Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1361–1376  mathnet

Организации