|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 805–809   |
| 2. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, А. М. Смирнов, В. В. Бельков, М. В. Томкович, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 22–27 |
|
2024 |
| 3. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Д. Д. Фирсов, И. В. Чуманов, О. С. Комков, В. С. Варавин, М. В. Якушев, “Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024), 544–547 |
|
2023 |
| 4. |
С. А. Дворецкий, М. Ф. Ступак, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. Н. Макаров, А. Г. Елесин, А. Г. Верхогляд, “Новые центры рекомбинации в слоях КРТ МЛЭ на подложках (013) GaAs”, Физика твердого тела, 65:1 (2023), 56–62 |
| 5. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 640–643 |
| 6. |
М. С. Ружевич, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 491–494 |
| 7. |
Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, В. С. Варавин, “Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 114–119 |
|
2021 |
| 8. |
Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин, “Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 331–335 ; G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, V. S. Varavin, “Formation of acceptor centers in CdHgTe as a result of water and heat treatments”, Semiconductors, 55:5 (2021), 461–465 |
| 9. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 33–35 ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, “The effect of As$^+$ ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te films”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 189–192 |
|
2019 |
| 10. |
Т. А. Уаман Светикова, А. В. Иконников, В. В. Румянцев, Д. В. Козлов, В. И. Черничкин, А. В. Галеева, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Эволюция примесной фотопроводимости в эпитаксиальных пленках CdHgTe при изменении температуры”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1297–1302 ; T. A. Uaman Svetikova, A. V. Ikonnikov, V. V. Rumyantsev, D. V. Kozlov, V. I. Chernichkin, A. V. Galeeva, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, “Evolution of the impurity photoconductivity in CdHgTe epitaxial films with temperature”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1266–1271 |
2
|
| 11. |
В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, И. Н. Трапезникова, Д. А. Андрющенко, Н. Л. Баженов, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, “Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 24–27 ; V. I. Ivanov-Omskii, K. J. Mynbaev, I. N. Trapeznikova, D. A. Andryushchenko, N. L. Bazhenov, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, “An optical study of disordering in cadmium mercury telluride solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 553–556 |
2
|
|
2018 |
| 12. |
В. С. Евстигнеев, В. С. Варавин, А. В. Чилясов, В. Г. Ремесник, А. Н. Моисеев, Б. С. Степанов, “Электрофизические свойства нелегированных и легированных мышьяком эпитаксиальных слоев Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te $p$-типа проводимости с $x\approx$ 0.4, выращенных методом MOCVD”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 554–559 ; V. S. Evstigneev, V. S. Varavin, A. V. Chilyasov, V. G. Remesnik, A. N. Moiseev, B. S. Stepanov, “Electrophysical properties of $p$-type undoped and arsenic-doped Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te epitaxial layers with $x\approx$ 0.4 grown by the MOCVD method”, Semiconductors, 52:6 (2018), 702–707 |
4
|
|
2016 |
| 13. |
В. С. Варавин, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Электрофизические свойства пленок Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si(013)”, Физика твердого тела, 58:4 (2016), 625–629 ; V. S. Varavin, D. V. Marin, M. V. Yakushev, “Electrophysical properties of Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x$ = 0.3) films grown by molecular beam epitaxy on Si(013) substrates”, Phys. Solid State, 58:4 (2016), 641–646 |
1
|
| 14. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Вакансии ртути как двухвалентные акцепторы в структурах HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1690–1696 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, M. A. Fadeev, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Mercury vacancies as divalent acceptors in HgTe/Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te structures with quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1662–1668 |
6
|
| 15. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
| 16. |
К. Д. Мынбаев, С. В. Заблоцкий, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 208–211 ; K. J. Mynbaev, S. V. Zablotsky, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 208–211 |
7
|
|
2015 |
| 17. |
Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Колесников, Е. М. Труханов, И. В. Сабинина, И. Д. Лошкарев, “Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)”, Физика твердого тела, 57:11 (2015), 2095–2101 ; Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Kolesnikov, E. M. Trukhanov, I. V. Sabinina, I. D. Loshkarev, “Density of dislocations in CdHgTe heteroepitaxial structures on GaAs(013) and Si(013) substrates”, Phys. Solid State, 57:11 (2015), 2151–2158 |
18
|
| 18. |
Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, В. И. Гавриленко, F. Teppe, “Примесная фотопроводимость узкозонных структур кадмий–ртуть–теллур”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1654–1659 ; D. V. Kozlov, V. V. Rumyantsev, S. V. Morozov, A. M. Kadykov, V. S. Varavin, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, V. I. Gavrilenko, F. Teppe, “Impurity-induced photoconductivity of narrow-gap Cadmium–Mercury–Telluride structures”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1605–1610 |
6
|
| 19. |
К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, А. И. Ижнин, И. И. Ижнин, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 379–384 ; K. J. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, A. I. Izhnin, I. I. Izhnin, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:3 (2015), 367–372 |
11
|
|
2014 |
| 20. |
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Д. В. Марин, “Гетероструктуры CdHgTe на подложках Si(310) большой площади для матричных ИК фотоприемников коротковолнового спектрального диапазона”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014), 788–792 ; M. V. Yakushev, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, D. V. Marin, “CdHgTe heterostructures on large-area Si(310) substrates for infrared photodetector arrays of the short-wavelength spectral range”, Semiconductors, 48:6 (2014), 767–771 |
7
|
| 21. |
И. И. Ижнин, А. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, Е. И. Фицыч, М. В. Якушев, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 207–211 ; I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, E. I. Fitsych, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Photoluminescence of CdHgTe solid solutions subjected to low-energy ion treatment”, Semiconductors, 48:2 (2014), 195–198 |
6
|
| 22. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур”, Письма в ЖТФ, 40:16 (2014), 65–72 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, Yu. G. Sidorov, S. A. Dvoretskii, “Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted $p^+$–$n$ photodiode structure formation”, Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 708–711 |
5
|
|
2013 |
| 23. |
Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. С. Варавин, М. В. Якушев, С. А. Дворецкий, “Двухчастотное стимулированное излучение из двухслойной структуры
Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te на длинах волн 2 и 3 мкм”, Письма в ЖЭТФ, 97:6 (2013), 404–408 ; Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, V. S. Varavin, M. V. Yakushev, S. A. Dvoretskii, “Dual-wavelength stimulated emission from a double-layer Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te structure at wavelengths of 2 and 3 $\mu$m”, JETP Letters, 97:6 (2013), 358–361   |
2
|
| 24. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. Г. Ремесник, В. С. Варавин, “Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, ЖТФ, 83:10 (2013), 147–150 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, “High-temperature photoluminescence of CdHgTe solid solutions grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 58:10 (2013), 1536–1539 |
5
|
|
2012 |
| 25. |
И. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, М. В. Якушев, А. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, Г. В. Савицкий, R. Jakiela, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1363–1367 ; I. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, M. V. Yakushev, A. I. Izhnin, E. I. Fitsych, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, G. V. Savitskii, R. Jakiela, A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Electrical and optical properties of CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1341–1345 |
5
|
| 26. |
А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, М. В. Якушев, “Исследование фотоэлектрических характеристик диодов в макетных фоточувствительных пикселях для монолитного матричного ИК фотоприемника”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 551–557 ; A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, A. V. Predein, I. V. Sabinina, M. V. Yakushev, “Photoelectric characteristics of diodes in prototype photosensitive pixels for a monolithic array infrared photodetector”, Semiconductors, 46:4 (2012), 535–540 |
3
|
| 27. |
И. И. Ижнин, Г. В. Савицкий, Е. И. Фицыч, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, К. Д. Мынбаев, “Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 38:24 (2012), 10–17 ; I. I. Izhnin, G. V. Savitskii, E. I. Fitsych, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, K. J. Mynbaev, “Relaxation of a radiation-damaged layer formed during ion-beam milling of CdHgTe solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 16–19 |
|
2011 |
| 28. |
М. В. Якушев, В. С. Варавин, В. В. Васильев, С. А. Дворецкий, А. В. Предеин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, А. В. Сорочкин, А. О. Сусляков, “Субматричный фотоприемный модуль на основе гетероструктуры HgCdTe/Si(310)”, Письма в ЖТФ, 37:4 (2011), 1–7 ; M. V. Yakushev, V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, S. A. Dvoretskii, A. V. Predein, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, A. V. Sorochkin, A. O. Suslyakov, “Infrared focal plane assemblies based on HgCdTe/Si(310) heterostructure”, Tech. Phys. Lett., 37:2 (2011), 148–150 |
|
2005 |
| 29. |
И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский, Ю. Г. Сидоров, М. В. Якушев, В. С. Варавин, А. В. Латышев, “Наблюдение антифазных доменов в пленках $\mathrm{Cd}_x\mathrm{Hg}_{1-x}\mathrm{Te}$ на кремнии методом фазового контраста в атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005), 326–330 ; I. V. Sabinina, A. K. Gutakovskii, Yu. G. Sidorov, M. V. Yakushev, V. S. Varavin, A. V. Latyshev, “Observation of antiphase domains in Cd<sub>x</sub>Hg<sub>1-x</sub>Te films on silicon by the phase contrast method in atomic force microscopy”, JETP Letters, 82:5 (2005), 292–296 |
4
|
|
