|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, К. С. Жидяев, В. Е. Котомина, И. В. Самарцев, “Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 134–138   |
|
2021 |
| 2. |
М. В. Дорохин, Б. Н. Звонков, П. Б. Демина, Н. В. Дикарева, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, О. В. Вихрова, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, “Методы переключения поляризации излучения в GaAs лазерных диодах”, ЖТФ, 91:9 (2021), 1409–1414 ; M. V. Dorokhin, B. N. Zvonkov, P. B. Demina, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, O. V. Vikhrova, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, “Methods for switching radiation polarization in GaAs laser diodes”, Tech. Phys., 66:11 (2021), 1194–1199  |
|
2019 |
| 3. |
Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, “Лазерный GaAs-диод с волноводными квантовыми ямами InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1718–1720 ; N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, “GaAs-based laser diode with InGaAs waveguide quantum wells”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1709–1711 |
3
|
| 4. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Субмонослойные квантовые точки InGaAs/GaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1159–1163 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “Submonolayer InGaAs/GaAs quantum dots grown by MOCVD”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1138–1142 |
6
|
| 5. |
Н. В. Байдусь, В. А. Кукушкин, С. М. Некоркин, А. В. Круглов, Д. Г. Реунов, “Выращивание методом МОС-гидридной эпитаксии субмонослойных квантовых точек InGaAs/GaAs для возбуждения поверхностных плазмон-поляритонов”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 345–350 ; N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, S. M. Nekorkin, A. V. Kruglov, D. G. Reunov, “MOS-hydride epitaxy growth of InGaAs/GaAs submonolayer quantum dots for the excitation of surface plasmon–polaritons”, Semiconductors, 53:3 (2019), 326–331 |
|
2018 |
| 6. |
И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева, “Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1460–1463 ; I. V. Samartsev, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, I. Yu. Pashen'kin, N. V. Dikareva, A. B. Chigineva, “Photodetectors with an InGaP active region and InGaP metamorphic buffer layer grown on GaAs substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567 |
1
|
| 7. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 |
3
|
| 8. |
В. Я. Алёшкин, Н. В. Байдусь, О. В. Вихрова, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, Д. В. Юрасов, “Стимулированное излучение на длине волны 1.3 $\mu$m в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001)”, Письма в ЖТФ, 44:16 (2018), 67–74 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738 |
| 9. |
А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Мощностные характеристики лазеров с волноводом на основе квантовых ям и блокирующими слоями”, Квантовая электроника, 48:4 (2018), 390–394 [A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Power characteristics of lasers with quantum-well waveguides and blocking layers”, Quantum Electron., 48:4 (2018), 390–394  ] |
1
|
|
2017 |
| 10. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 |
5
|
| 11. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, И. В. Самарцев, А. Г. Фефелов, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1530–1533 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 |
4
|
| 12. |
Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. Е. Котомина, “Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1443–1446 ; B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. E. Kotomina, “Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1391–1394 |
| 13. |
Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Двухчастотный GaAs/InGaP лазерный диод с квантовой ямой GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1410–1413 ; N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Dual-frequency GaAs/InGaP laser diode with a GaAsSb quantum well”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1360–1363 |
1
|
| 14. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Байдусь, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, “Стимулированное излучение лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на неотклоненной и отклоненной подложках Ge/Si(001)”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 695–698 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 |
6
|
| 15. |
С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, “Влияние “объема” активной среды на излучательные свойства лазерных гетероструктур с выходом излучения через подложку”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 75–78 ; S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, A. A. Afonenko, D. V. Ushakov, “Effect of active-region “volume” on the radiative properties of laser heterostructures with radiation output through the substrate”, Semiconductors, 51:1 (2017), 73–77 |
|
2016 |
| 16. |
Н. В. Байдусь, В. А. Кукушкин, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, “Наногетероструктуры с улучшенными параметрами для быстродействующих и высокоэффективных плазмон-поляритонных светодиодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1576–1582 ; N. V. Baidus, V. A. Kukushkin, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, “Nanoheterostructures with improved parameters for high-speed and efficient plasmon-polariton light emitting Schottky diodes”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1554–1560 |
2
|
| 17. |
Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, Д. А. Колпаков, А. В. Ершов, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1509–1512 ; N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, D. A. Kolpakov, A. V. Ershov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Method for narrowing the directional pattern of an InGaAs/GaAs/AlGaAs multiwell heterolaser”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1488–1492 |
| 18. |
В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, О. В. Вихрова, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, “Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016), 596–599 ; V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, O. V. Vikhrova, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, “Stimulated emission from a metamorphic GaAsSb bulk layer on a GaAs substrate”, Semiconductors, 50:5 (2016), 586–589 |
|
2015 |
| 19. |
И. В. Самарцев, В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, Д. А. Колпаков, С. М. Некоркин, “Оптимизация гетеролазеров InGaP/GaAs/InGaAs с туннельно-связанными волноводами”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1619–1622 ; I. V. Samartsev, V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, D. A. Kolpakov, S. M. Nekorkin, “Optimization of InGaP/GaAs/InGaAs heterolasers with tunnel-coupled waveguides”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1571–1574 |
1
|
| 20. |
Д. А. Колпаков, Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Полупроводниковый лазер с туннельным $p$–$n$-переходом и выходом излучения через подложку”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1489–1491 ; D. A. Kolpakov, B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “On a semiconductor laser with a $p$–$n$ tunnel junction with radiation emission through the substrate”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1440–1442 |
1
|
| 21. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, “Наблюдение прямозонной электролюминесценции из GaAs-структуры с квантовыми ямами Ge”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 175–178 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, “An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells”, Semiconductors, 49:2 (2015), 170–173 |
| 22. |
Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, С. М. Некоркин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, “Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 11–14 ; N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, S. M. Nekorkin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, “Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer”, Semiconductors, 49:1 (2015), 9–12 |
2
|
| 23. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015), 72–78 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer”, Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 648–650 |
2
|
| 24. |
В. Я. Алёшкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, З. Ф. Красильник, С. М. Некоркин, “Излучательные характеристики лазерных диодов на основе соединений А3В5, выращенных на германиевой подложке”, Письма в ЖТФ, 41:6 (2015), 105–110 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, “Optical characteristics of laser diodes based on A3B5 compounds grown on germanium substrates”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 304–306 |
| 25. |
Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Нелинейное смешение гармоник в InGaAs/InGaP/GaAs-лазере на германиевой подложке”, Квантовая электроника, 45:3 (2015), 204–206 [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Nonlinear harmonic mixing in an InGaAs/InGaP/GaAs laser on a germanium substrate”, Quantum Electron., 45:3 (2015), 204–206 ] |
1
|
|
2014 |
| 26. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, С. А. Денисов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. А. Матвеев, С. М. Некоркин, В. Г. Шенгуров, “Стимулированное излучение из InGaAs/GaAs/AlGaAs гетероструктуры,
выращенной на Si подложке”, Письма в ЖЭТФ, 100:12 (2014), 900–903 ; V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, S. A. Denisov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. A. Matveev, S. M. Nekorkin, V. G. Shengurov, “Stimulated emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure grown on a Si substrate”, JETP Letters, 100:12 (2014), 795–797 |
4
|
| 27. |
С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, “Экспериментальное определение оптимального количества квантовых ям в многоямных гетеролазерах с вытеканием излучения через подложку”, Письма в ЖТФ, 40:10 (2014), 52–57 ; S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, “Experimental determination of the optimum number of quantum wells in multiwell heterolasers with radiation leakage into a substrate”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 432–434 |
2
|
| 28. |
Н. В. Дикарева, С. М. Некоркин, М. В. Карзанова, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, А. А. Афоненко, “Полупроводниковый лазер с вытеканием излучения через подложку и трапециевидной активной областью”, Квантовая электроника, 44:4 (2014), 286–288 [N. V. Dikareva, S. M. Nekorkin, M. V. Karzanova, B. N. Zvonkov, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, A. A. Afonenko, “Substrate-emitting semiconductor laser with a trapezoidal active region”, Quantum Electron., 44:4 (2014), 286–288 ] |
2
|
|
2013 |
| 29. |
В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, Н. В. Дикарёва, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. В. Морозов, С. М. Некоркин, “Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной структуре на основе GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1486–1488 ; V. Ya. Aleshkin, A. A. Afonenko, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. V. Morozov, S. M. Nekorkin, “Waveguide effect of GaAsSb quantum wells in a laser structure based on GaAs”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1475–1477 |
7
|
| 30. |
Б. Н. Звонков, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова, Н. В. Дикарева, “Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb–InGaAs)/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013), 1231–1235 ; B. N. Zvonkov, S. M. Nekorkin, O. V. Vikhrova, N. V. Dikareva, “Emission properties of heterostructures with a (GaAsSb-InGaAs)/GaAs bilayer quantum well”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1219–1223 |
5
|
| 31. |
В. Я. Алешкин, Н. В. Дикарева, А. А. Дубинов, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. Н. Яблонский, “Волноводный эффект квантовых ям в полупроводниковых лазерах”, Квантовая электроника, 43:5 (2013), 401–406 [V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406 ] |
6
|
|
2012 |
| 32. |
С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, М. В. Карзанова, Н. В. Дикарева, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Модовая структура в дальнем поле излучения многоямного лазера с выходом излучения через подложку”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 931–933 [S. M. Nekorkin, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, N. V. Dikareva, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Mode structure in the far field radiation of a leaky-wave multiple quantum well laser”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 931–933 ] |
9
|
|
2011 |
| 33. |
А. А. Бирюков, С. М. Некоркин, М. Н. Колесников, Т. С. Бабушкина, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, “Аномальные характеристики лазеров с большим числом квантовых ям”, ЖТФ, 81:7 (2011), 149–151 ; A. A. Biryukov, S. M. Nekorkin, M. N. Kolesnikov, T. S. Babushkina, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, “Anomalous characteristics of lasers with a large number of quantum wells”, Tech. Phys., 56:7 (2011), 1049–1052 |
3
|
|
