Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Левинштейн Михаил Ефимович
главный научный сотрудник
доктор физико-математических наук
Дата рождения: 12.04.1940
E-mail:
Ключевые слова: Тиристоры, диоды, транзисторы Низкочастотный шум Эффект Ганна Карбид кремния.

Основные темы научной работы

Мощные полупроводниковые приборы Низкочастотный шум Горячие электроны

https://www.mathnet.ru/rus/person93345
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. В. Сахаров, К. С. Давыдовская, М. Е. Левинштейн, А. Е. Николаев, “Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229  mathnet
2024
2. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, В. В. Козловский, “Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки”, Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196  mathnet  elib
3. К. В. Лихачев, А. М. Скоморохов, М. В. Учаев, Ю. А. Успенская, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, И. А. Елисеев, А. Н. Смирнов, Д. Д. Крамущенко, Р. А. Бабунц, П. Г. Баранов, “Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки”, Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373  mathnet; K. V. Likhachev, A. M. Skomorokhov, M. V. Uchaev, Yu. A. Uspenskaya, V. V. Kozlovski, M. E. Levinshteǐn, I. A. Eliseev, A. N. Smirnov, D. D. Kramushchenko, R. A. Babunts, P. G. Baranov, “Local diagnostics of spin defects in irradiated SiC Schottky diodes”, JETP Letters, 120:5 (2024), 354–359
4. А. А. Лебедев, А. В. Сахаров, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. Е. Николаев, М. Е. Левинштейн, “Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52  mathnet  elib; A. A. Lebedev, A. V. Sakharov, V. V. Kozlovsky, D. A. Malevskii, A. E. Nikolaev, M. E. Levinshteǐn, “Effect of proton and electron irradiation on the parameters of gallium nitride Schottky diodes”, Semiconductors, 58:5 (2024), 433–435
2023
5. А. А. Лебедев, Д. А. Малевский, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, “Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  743–750  mathnet  elib
6. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, “Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57  mathnet  elib 1
7. М. Е. Левинштейн, Б. А. Матвеев, N. D'yakonova, “Низкочастотные шумы и сопротивление фотодиодов с незащищенной поверхностью на основе InAsSbP/InAs в атмосфере паров этанола”, Письма в ЖТФ, 49:11 (2023),  19–24  mathnet  elib
2022
8. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Р. А. Кузьмин, “Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  809–813  mathnet  elib
9. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, “Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445  mathnet  elib
2020
10. В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
11. А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 8
12. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
13. А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019),  803–848  mathnet  elib; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  isi  scopus 16
2017
14. В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1243–1248  mathnet  elib; V. S. Yuferev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Jon Q. Zhang, John W. Palmour, “Transient switch-off of a 4$H$-SiC bipolar transistor from the deep-saturation mode”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1194–1199 2
15. Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Current–voltage characteristics of Schottky diodes at high current densities under the injection of minority carriers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1081–1086 1
16. Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  830–834  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, V. B. Shuman, B. M. Seredin, “On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects”, Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802 2
17. С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, J. W. Palmour, “Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239  mathnet  elib; S. N. Yurkov, T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, A. G. Tandoev, J. W. Palmour, “Analysis of the impact of non-1D effects on the gate switch-on current in 4$H$-SiC thyristors”, Semiconductors, 51:2 (2017), 225–231
2016
18. М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  668–673  mathnet  elib; M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, Q. J. Zhang, J. W. Palmour, “Isothermal current–voltage characteristics of high-voltage 4$H$-SiC junction barrier Schottky rectifiers”, Semiconductors, 50:5 (2016), 656–661 1
19. М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, А. Г. Тандоев, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414  mathnet  elib; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, A. G. Tandoev, Sei-Hyung Ryu, J. W. Palmour, “High-voltage silicon-carbide thyristor with an $n$-type blocking base”, Semiconductors, 50:3 (2016), 404–410 7
2013
20. В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, “Переходные процессы в высоковольтных карбид-кремниевых биполярных транзисторах”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1071–1077  mathnet  elib; V. S. Yuferev, M. E. Levinshtein, P. A. Ivanov, “Transient processes in high-voltage silicon carbide bipolar-junction transistors”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1068–1074 2
21. Т. Т. Мнацаканов, А. Г. Тандоев, М. Е. Левинштейн, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Нарушение нейтральности и возникновение $S$-образной вольт-амперной характеристики при двойной инжекции в легированных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  302–309  mathnet  elib; T. T. Мnatsakanov, A. G. Tandoev, M. E. Levinshteǐn, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Violation of neutrality and occurrence of $S$-shaped current-voltage characteristic for doped semiconductors under double injection”, Semiconductors, 47:3 (2013), 327–334 1
22. В. С. Юферев, М. Е. Левинштейн, J. W. Palmour, “Особенности стационарного распределения носителей заряда и тока удержания в SiC-фототиристоре”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  118–123  mathnet  elib; V. S. Yuferev, M. E. Levinshteǐn, J. W. Palmour, “Specific features of the steady-state carrier distribution and holding current in an optically triggered SiC thyristor”, Semiconductors, 47:1 (2013), 116–121 3
2012
23. М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, J. W. Palmour, “Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012),  1224–1229  mathnet  elib; M. E. Levinshteǐn, T. T. Мnatsakanov, S. N. Yurkov, J. W. Palmour, “Overheating of an optically triggered SiC thyristor during switch-on and turn-on spread”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1201–1206 3
24. А. Л. Закгейм, М. Е. Левинштейн, В. П. Петров, А. Е. Черняков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Низкочастотный шум в исходных и деградировавших синих InGaAs/GaN-светодиодах”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  219–223  mathnet  elib; A. L. Zakhgeim, M. E. Levinshteǐn, V. P. Petrov, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Low-frequency noise in as-fabricated and degraded blue InGaAs/GaN LEDs”, Semiconductors, 46:2 (2012), 208–212 12
2011
25. М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, J. W. Palmour, A. K. Agarwal, М. К. Das, “Особенности деградации высоковольтных 4H-SiC $p$–$i$–$n$-диодов под действием импульсов прямого тока”, Письма в ЖТФ, 37:8 (2011),  7–12  mathnet  elib; M. E. Levinshtein, P. A. Ivanov, J. W. Palmour, A. K. Agarwal, М. К. Das, “Features of degradation in high-voltage 4H-SiC $p$–$i$–$n$ diodes under the action of forward current pulses”, Tech. Phys. Lett., 37:4 (2011), 347–349
1992
26. Г. М. Гусинский, Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs, подвергнутого облучению ионами высокой энергии”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  543–547  mathnet
27. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “О разнице между статической и динамической силами трения”, Письма в ЖТФ, 18:5 (1992),  42–46  mathnet
1991
28. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Природа объемного шума $1/f$ в GaAs и Si (обзор)”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2065–2104  mathnet
29. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Температурная зависимость низкочастотного шума в структурно совершенном и подвергнутом деструктивному сжанию GaAs”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  355–358  mathnet
30. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Релаксация фотопроводимости и шум $1/f$ в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  164–167  mathnet
1990
31. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум $1/f$ в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1807–1815  mathnet
32. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Исследование долговременной релаксации фотопроводимости в Si в связи с проблемой шума $1/f$”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1531–1538  mathnet
33. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, Д. А. Плоткин, С. Л. Румянцев, “Кинетика спада долговременно́й фотопроводимости в GaAs и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  836–843  mathnet
34. Е. Г. Гук, Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Эффект немонотонной зависимости шума $1/f$ от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  813–820  mathnet
1989
35. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$ и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1828–1833  mathnet
36. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Модель объемного шума $1/f$ в лавинно-пролетных диодах”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1187–1192  mathnet
37. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  283–291  mathnet
1988
38. М. М. Аникин, М. Е. Левинштейн, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1574–1579  mathnet
39. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1134–1137  mathnet
40. Е. Г. Гук, Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Подавление светом шума $1/f$ в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1120–1122  mathnet
41. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Перестройка светом шума $1/f$ в арсениде галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1049–1052  mathnet
42. Н. В. Дьяконова, М. Е. Левинштейн, “Влияние температуры на перестройку светом шума $1/f$ в GaAs”, Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  1978–1982  mathnet  isi
43. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых диодных структур”, Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1526–1530  mathnet  isi
44. М. М. Аникин, С. Н. Вайнштейн, М. Е. Левинштейн, A. M. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах”, Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  545–547  mathnet  isi
1987
45. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  129–133  mathnet
46. С. Н. Вайнштейн, В. А. Дмитриев, М. Е. Левинштейн, С. В. Рендакова, “О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое”, Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  741–743  mathnet  isi
47. С. Н. Вайнштейн, М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Подавление светом шума $1/f$ в арсениде галлия”, Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  645–648  mathnet  isi
1986
48. С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров”, ЖТФ, 56:7 (1986),  1343–1347  mathnet  isi
1985
49. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$ горячих электронов в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1651–1656  mathnet
50. В. Б. Горфинкель, М. Е. Левинштейн, С. Г. Шофман, “Высокочастотная проводимость Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  131–133  mathnet
1984
51. В. И. Брылевский, М. Е. Левинштейн, И. Г. Чашников, “Динамическая локализация тока в переходном процессе включения тиристоров”, ЖТФ, 54:1 (1984),  124–130  mathnet  isi
52. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Особенности неустойчивости в условиях отрицательной дифференциальной проводимости при наличии двух сортов носителей”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1577–1582  mathnet
53. А. Г. Астафуров, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, В. Е. Челноков, “Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой площади”, Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1430–1433  mathnet  isi
54. В. М. Ботнарюк, С. Н. Вайнштейн, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной структуры”, Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  385–388  mathnet  isi
1983
55. С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Основные параметры включения арсенид-галлиевых тиристоров”, ЖТФ, 53:3 (1983),  573–575  mathnet  isi
56. М. Е. Левинштейн, С. Л. Румянцев, “Шум $1/f$ в условиях сильного геометрического магнитосопротивления”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1830–1834  mathnet
57. Ю. Д. Биленко, М. Е. Левинштейн, М. В. Попова, В. С. Юферев, “Исследование процесса переключения обратно смещенного $p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделировани на ЭВМ”, Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1812–1816  mathnet
58. С. Н. Вайнштейн, И. И. Диакону, Ю. В. Жиляев, М. Е. Левинштейн, “Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах”, Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  546–549  mathnet
59. О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, В. Г. Сергеев, А. А. Сливицкий, “Лазер на парах меди с поперечным разрядом, коммутируемым полупроводниковыми переключателями со световым управлением”, Квантовая электроника, 10:1 (1983),  186–189  mathnet [O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, V. G. Sergeev, A. A. Slivitskiǐ, “Transverse-discharge copper vapor laser utilizing an optically controlled semiconductor switch”, Sov J Quantum Electron, 13:1 (1983), 115–117  isi]
1981
60. В. М. Александров, О. И. Бужинский, И. В. Грехов, М. Е. Левинштейн, А. И. Мошкунов, В. Г. Сергеев, “Многоканальный полупроводниковый коммутатор наносекундного диапазона для возбуждения паров меди поперечным разрядом”, Квантовая электроника, 8:1 (1981),  191–193  mathnet [V. M. Aleksandrov, O. I. Buzhinskiǐ, I. V. Grekhov, M. E. Levinshteǐn, A. I. Moshkunov, V. G. Sergeev, “Multichannel semiconductor nanosecond switch for excitation of copper vapor by a transverse discharge”, Sov J Quantum Electron, 11:1 (1981), 111–113  isi] 1
1992
61. М. Е. Левинштейн, “Первый международный симпозиум по исследованию перспективных полупроводниковых приборов (ISDRS-91)”, Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1153–1155  mathnet

Организации