Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Яковлев Юрий Павлович
профессор
доктор физико-математических наук
E-mail:

https://www.mathnet.ru/rus/person98949
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. А. А. Образцова, А. А. Пивоварова, С. Д. Комаров, И. С. Федосов, К. А. Иванов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, И. С. Махов, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Микродисковые лазеры с вынесенной контактной площадкой мостиковой конструкции, сформированные жидкостным химическим травлением”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025),  37–42  mathnet
2. Я. А. Пархоменко, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе твердых растворов GaInAsSb для спектрального диапазона 2.5–2.8 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025),  34–37  mathnet  elib
3. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Водородный генератор тока на основе нанопленок палладия”, Письма в ЖТФ, 51:11 (2025),  15–17  mathnet  elib
2024
4. В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Генерация тока в диодах Шоттки Pd/InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  37–41  mathnet  elib; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Current generation in Pd/InP structures in hydrogen medium”, Semiconductors, 58:4 (2024), 349–353
2023
5. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. А. Матвеев, Н. Н. Губанова, Ю. П. Яковлев, “Кинетика изменения оптической прозрачности нанопленок палладия при взаимодействии с водородом”, Оптика и спектроскопия, 131:3 (2023),  419–423  mathnet  elib
6. А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Разработка способа травления фотодиодных InAs/InAsSbP-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  710–715  mathnet  elib
7. Е. В. Куницына, Я. А. Пархоменко, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Геттерирование эпитаксиального арсенида индия редкоземельным элементом гольмием”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023),  89–94  mathnet  elib
2022
8. Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, Я. Я. Понуровский, А. И. Надеждинский, А. С. Кузьмичев, Д. Б. Ставровский, М. В. Спиридонов, “Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  508–515  mathnet  elib 1
9. М. Е. Компан, А. В. Горбатюк, В. Г. Малышкин, В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Каскад неустойчивостей импеданса структуры Pd-поверхностно-окисленный InP”, Письма в ЖТФ, 48:17 (2022),  6–8  mathnet  elib
10. Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, В. А. Матвеев, Н. Н. Губанова, О. А. Шилова, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на электрические и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур InP/Pd, полученных золь-гель методом”, Письма в ЖТФ, 48:10 (2022),  12–15  mathnet  elib
2021
11. В. А. Шутаев, В. А. Матвеев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Щелоков, Ю. П. Яковлев, “Оптические и структурные свойства нанопленок палладия в атмосфере водорода”, Оптика и спектроскопия, 129:9 (2021),  1183–1187  mathnet  elib; V. A. Shutaev, V. A. Matveev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Shchelokov, Yu. P. Yakovlev, “Optical and structural properties of palladium nanolayers in hydrogen medium”, Optics and Spectroscopy, 129:12 (2021), 1306–1310 4
12. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Генерация тока в структурах Pd/InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1236–1239  mathnet  elib 1
13. М. П. Михайлова, А. П. Дмитриев, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Монополярное умножение горячих носителей заряда в полупроводниках A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ в сильном электрическом поле и бесшумные лавинные фотодиоды (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  995–1010  mathnet  elib
14. Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  607–613  mathnet; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 1
2020
15. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на оптическую прозрачность слоев палладия”, Оптика и спектроскопия, 128:5 (2020),  603–606  mathnet  elib; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, Yu. P. Yakovlev, “Hydrogen influence on the optical transparency of palladium layers”, Optics and Spectroscopy, 128:5 (2020), 596–599 8
16. М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, К. В. Калинина, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, “Излучательная рекомбинация и ударная ионизация в полупроводниковых наноструктурах (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1267–1288  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, K. V. Kalinina, Yu. P. Yakovlev, P. S. Kop'ev, “Radiative recombination and impact ionization in semiconductor nanostructures (review)”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1527–1547 2
17. Е. В. Куницына, М. А. Ройз, И. А. Андреев, Е. А. Гребенщикова, А. А. Пивоварова, M. Ahmetoglu (Afrailov), Е. В. Лебедок, Р. Ю. Микулич, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для регистрации излучения квантово-размерных дисковых лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.2–2.3 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020),  677–683  mathnet  elib; E. V. Kunitsyna, M. A. Royz, I. A. Andreev, E. A. Grebenshchikova, A. A. Pivovarova, M. Ahmetoglu (Afrailov), E. V. Lebiadok, R. Yu. Mikulich, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes for detecting the emission of quantum-sized disk lasers operating on whispering gallery modes (2.2 – 2.3 $\mu$m)”, Semiconductors, 54:7 (2020), 796–802
18. В. А. Шутаев, Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, М. Е. Компан, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на импеданс структур Pd/оксид/InP”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  547–551  mathnet  elib; V. A. Shutaev, E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, M. E. Kompan, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the impedance of Pd/oxide/InP structures”, Semiconductors, 54:6 (2020), 658–661 2
19. В. В. Романов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды в окне прозрачности атмосферы 4.6 – 5.3 мкм”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  202–206  mathnet  elib; V. V. Romanov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Long-wavelength leds in the atmospheric transparency window of 4.6 – 5.3 $\mu$m”, Semiconductors, 54:2 (2020), 253–257 6
2019
20. В. А. Шутаев, В. Г. Сидоров, Е. А. Гребенщикова, Л. К. Власов, А. А. Пивоварова, Ю. П. Яковлев, “Влияние водорода на электрические свойства структур Pd/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1427–1430  mathnet  elib; V. A. Shutaev, V. G. Sidorov, E. A. Grebenshchikova, L. K. Vlasov, A. A. Pivovarova, Yu. P. Yakovlev, “Influence of hydrogen on the electrical properties of Pd/InP structures”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1389–1392 7
21. В. В. Романов, И. А. Белых, Э. В. Иванов, П. А. Алексеев, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе асимметричной двойной гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 мкм) и CO ($\lambda$ = 4.7 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019),  832–838  mathnet  elib; V. V. Romanov, I. A. Belykh, E. V. Ivanov, P. A. Alekseev, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Light–emitting diodes based on asymmetrical double InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for CO$_{2}$ ($\lambda$ = 4.3 $\mu$m) and CO ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) detection”, Semiconductors, 53:6 (2019), 822–827 6
22. М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, Ю. П. Яковлев, “Открытие полупроводников A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$: физические свойства и применение (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019),  291–308  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, K. D. Moiseev, Yu. P. Yakovlev, “Discovery of III–V semiconductors: physical properties and application”, Semiconductors, 53:3 (2019), 273–290 32
23. Е. А. Гребенщикова, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Влияние концентрации водорода на фототок диодов Шоттки Pd/$n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  246–248  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Effect of the hydrogen concentration on the Pd/$n$-InP Schottky diode photocurrent”, Semiconductors, 53:2 (2019), 234–236 7
24. М. П. Михайлова, Э. В. Иванов, Л. В. Данилов, Р. В. Левин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесценция в гетероструктурах $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой, выращенных методом МОГФЭ”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019),  50–54  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, E. V. Ivanov, L. V. Danilov, R. V. Levin, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence in $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructures with a single quantum well grown by MOVPE”, Semiconductors, 53:1 (2019), 46–50 1
2018
25. Е. А. Гребенщикова, Х. М. Салихов, В. Г. Сидоров, В. А. Шутаев, Ю. П. Яковлев, “Определение концентрации водорода по фотоэдс МДП структур Pd–оксид–InP”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1183–1186  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, Kh. M. Salikhov, V. G. Sidorov, V. A. Shutaev, Yu. P. Yakovlev, “Determining the hydrogen concentration from the photovoltage of Pd–oxide–InP MIS structures”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1303–1306 6
26. Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018),  1094–1099  mathnet  elib; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 5
27. М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018),  906–911  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 1
2017
28. М. В. Богданович, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, П. В. Шпак, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Измеритель содержания воды в нефти и нефтепродуктах на основе инфракрасных оптоэлектронных пар светодиод–фотодиод”, ЖТФ, 87:2 (2017),  315–318  mathnet  elib; M. V. Bogdanovich, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, P. V. Shpak, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Measurement of the water content in oil and oil products using IR light-emitting diode–photodiode optrons”, Tech. Phys., 62:2 (2017), 344–346 3
29. М. А. Ройз, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, Д. С. Буренина, А. А. Пивоварова, А. М. Монахов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, “Коллективные моды в сдвоенных полупроводниковых дисковых лазерах на модах шепчущей галереи”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1273–1277  mathnet  elib; M. A. Royz, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, D. S. Burenina, A. A. Pivovarova, A. M. Monakhov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, “Collective modes in coupled semiconductor disk lasers in the case of whispering-gallery modes”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1224–1228
2016
30. Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016),  1420–1424  mathnet  elib; E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 3
31. А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. А. Шутаев, А. М. Оспенников, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэдс и фототок в структурах Pd–оксид–InP в атмосфере водорода”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  946–951  mathnet  elib; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. A. Shutaev, A. M. Ospennikov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photovoltage and photocurrent in Pd–oxide–InP structures in a hydrogen medium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 929–934 5
32. Л. В. Данилов, А. А. Петухов, М. П. Михайлова, Г. Г. Зегря, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Особенности высокотемпературной электролюминесценции в светодиодной $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb гетероструктуре с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016),  794–800  mathnet  elib; L. V. Danilov, A. A. Petukhov, M. P. Mikhailova, G. G. Zegrya, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Features of high-temperature electroluminescence in an LED $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb heterostructure with high potential barriers”, Semiconductors, 50:6 (2016), 778–784 3
2015
33. И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. А. Пивоварова, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015),  1720–1726  mathnet  elib; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1671–1677 5
34. Т. В. Безъязычная, М. В. Богданович, В. В. Кабанов, Д. М. Кабанов, Е. В. Лебедок, В. В. Паращук, А. Г. Рябцев, Г. И. Рябцев, П. В. Шпак, М. А. Щемелев, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Оптоэлектронные пары светодиод-фотодиод на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP для детектирования углекислого газа”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  1003–1006  mathnet  elib; T. V. Bez'yazychnaya, M. V. Bogdanovich, V. V. Kabanov, D. M. Kabanov, E. V. Lebiadok, V. V. Parashchuk, A. G. Ryabtsev, G. I. Ryabtsev, P. V. Shpak, M. A. Shchemelev, I. A. Andreev, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Light emitting diode–photodiode optoelectronic pairs based on the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure for the detection of carbon dioxide”, Semiconductors, 49:7 (2015), 980–983 7
35. Е. А. Гребенщикова, В. В. Евстропов, Н. Д. Ильинская, Ю. С. Мельников, О. Ю. Серебренникова, В. Г. Сидоров, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические свойства структур Pd-оксид-InP”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  376–378  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, V. V. Evstropov, N. D. Il'inskaya, Yu. S. Mel'nikov, O. Yu. Serebrennikova, V. G. Sidorov, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Electrical properties of Pd-oxide-InP structures”, Semiconductors, 49:3 (2015), 364–366 9
36. А. А. Леонидов, В. В. Шерстнев, Е. А. Гребенщикова, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Синхронизация мод в лазере со связанными дисковыми резонаторами”, Письма в ЖТФ, 41:16 (2015),  77–83  mathnet  elib; A. A. Leonidov, V. V. Sherstnev, E. A. Grebenshchikova, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Mode synchronization in a laser with coupled disk cavities”, Tech. Phys. Lett., 41:8 (2015), 801–803 1
2014
37. V. Rakovics, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Мощные светодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1693–1696  mathnet  elib; V. Rakovics, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “High-power LEDs based on InGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1653–1656 1
38. А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, А. А. Леонидов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные свойства лазера на модах шепчущей галереи со сдвоенными резонаторами”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1434–1438  mathnet  elib; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, A. A. Leonidov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescence properties of a whispering-gallery-mode laser with coupled disk cavities”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1399–1403
2013
39. А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, К. В. Калинина, Н. Д. Стоянов, Х. М. Салихов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Высокотемпературная люминесценция в светодиодной гетероструктуре $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb с высоким потенциальным барьером”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1270–1275  mathnet  elib; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, K. V. Kalinina, N. D. Stoyanov, Kh. M. Salikhov, M. P. Mikhailova, Yu. P. Yakovlev, “High-temperature luminescence in an $n$-GaSb/$n$-InGaAsSb/$p$-AlGaAsSb light-emitting heterostructure with a high potential barrier”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1258–1263 2
40. И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, Н. Д. Ильинская, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1109–1115  mathnet  elib; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, G. S. Sokolovskii, V. V. Dyudelev, N. D. Il'inskaya, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “High-speed photodiodes for the mid-infrared spectral region 1.2–2.4 $\mu$m based on GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures with a transmission band of 2–5 GHz”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1103–1109 17
41. М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Г. Г. Коновалов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013),  1037–1042  mathnet  elib; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, È. V. Ivanov, G. G. Konovalov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Photoelectric and luminescence properties of GaSb-Based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1041–1045 2
42. А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, И. В. Ковалёв, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Температурная зависимость порогового тока квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи (2.0–2.5 мкм)”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013),  821–824  mathnet  elib; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, I. V. Kovalev, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Temperature dependence of the threshold current in quantum-well WGM lasers (2.0–2.5 $\mu$m)”, Semiconductors, 47:6 (2013), 831–834 1
43. А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013),  690–695  mathnet  elib; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Improvement in the quantum sensitivity of InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure photodiodes”, Semiconductors, 47:5 (2013), 701–706 2
44. К. В. Калинина, М. П. Михайлова, Б. Е. Журтанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Суперлинейная электролюминесценция в гетероструктурах на основе GaSb с высокими потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  75–82  mathnet  elib; K. V. Kalinina, M. P. Mikhailova, B. E. Zhurtanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Superlinear electroluminescence in GaSb-based heterostructures with high potential barriers”, Semiconductors, 47:1 (2013), 73–80 10
45. А. В. Золотухин, В. В. Шерстнев, К. А. Савельева, Е. А. Гребенщикова, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, С. И. Слобожанюк, Э. В. Иванов, Ю. П. Яковлев, “Увеличение мощности излучения светодиодов ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 39:4 (2013),  39–45  mathnet  elib; A. V. Zolotukhin, V. V. Sherstnev, K. A. Savel'eva, E. A. Grebenshchikova, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, S. I. Slobozhanyuk, È. V. Ivanov, Yu. P. Yakovlev, “Increasing output power of LEDs ($\lambda$ = 1.7–2.4 $\mu$m) by changing directions of reflected light fluxes in GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 203–205 1
2012
46. А. А. Петухов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C”, ЖТФ, 82:1 (2012),  73–76  mathnet  elib; A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electrical and electroluminescent properties of InAsSb-Based LEDs ($\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m) in the temperature interval 20–200$^\circ$C”, Tech. Phys., 57:1 (2012), 69–73 3
47. Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев, “Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  247–251  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, A. N. Imenkov, S. S. Kizhaev, A. S. Golovin, Yu. P. Yakovlev, “Study of the emission extraction efficiency of mesa-LEDs with a narrow-gap InAsSb active region”, Semiconductors, 46:2 (2012), 236–240
48. А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, А. М. Монахов, И. В. Ковалёв, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Исследование квантово-размерных лазеров, работающих на модах шепчущей галереи, при температурах выше комнатной”, Письма в ЖТФ, 38:14 (2012),  27–31  mathnet  elib; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, A. M. Monakhov, I. V. Kovalev, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Characterization of quantum-confinement whispering-gallery-mode lasers operating above room temperature”, Tech. Phys. Lett., 38:7 (2012), 654–656 1
49. Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  43–49  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with quantum efficiency increased by changing directions of reflected light fluxes”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 470–473 3
50. Е. А. Гребенщикова, В. В. Шерстнев, М. И. Ларченков, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. М. Монахов, R. Teissier, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Источники излучения в средней инфракрасной области спектра на основе связанных дисковых резонаторов”, Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  7–13  mathnet  elib; E. A. Grebenshchikova, V. V. Sherstnev, M. I. Larchenkov, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. M. Monakhov, R. Teissier, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Mid-infrared radiation sources based on coupled disk cavities”, Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 304–306 1
51. А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, А. М. Монахов, Д. С. Тарасов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Анизотропная поляризация излучения в квантово-размерных лазерах, работающих на модах шепчущей галереи”, Письма в ЖТФ, 38:3 (2012),  4–9  mathnet; A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, A. M. Monakhov, D. S. Tarasov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, A. N. Baranov, Yu. P. Yakovlev, “Anisotropic polarization of radiation in quantum-confinement whispering-gallery-mode lasers”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 103–105
2011
52. А. А. Петухов, Б. Е. Журтанов, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах”, ЖТФ, 81:4 (2011),  91–96  mathnet  elib; A. A. Petukhov, B. E. Zhurtanov, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electroluminescent characteristics of InGaAsSb/GaAlAsSb heterostructure Mid-IR LEDs at high temperatures”, Tech. Phys., 56:4 (2011), 520–525 6
53. А. С. Головин, А. А. Петухов, С. С. Кижаев, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) для детектирования угарного газа”, Письма в ЖТФ, 37:11 (2011),  15–19  mathnet  elib; A. S. Golovin, A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, Yu. P. Yakovlev, “LEDs based on InAsSbP/InAsSb heterostructures ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) for carbon monoxide detection”, Tech. Phys. Lett., 37:6 (2011), 497–499
54. В. В. Шерстнев, Д. Старостенко, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 37:1 (2011),  11–17  mathnet  elib; V. V. Sherstnev, D. Starostenko, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP heterostructures for 2.5–4.9 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 37:1 (2011), 5–7
1993
55. Ю. П. Яковлев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Е. В. Степанов, Я. Я. Понуровский, “Инжекционные лазеры на основе InAsSb/lnAsSbP для спектроскопии высокого разрешения”, Квантовая электроника, 20:9 (1993),  839–842  mathnet [Yu. P. Yakovlev, A. N. Baranov, A. N. Imenkov, V. V. Sherstnev, E. V. Stepanov, Ya. Ya. Ponurovskii, “InAsSb/InAsSbP injection lasers for high-resolution spectroscopy”, Quantum Electron., 23:9 (1993), 726–729  isi] 6
1992
56. А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Природа длинноволнового сдвига спектра когерентного излучения в гетеролазерах на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1971–1976  mathnet
57. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP для спектроскопии метана ($\lambda=3.2{-}3.4$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 18:22 (1992),  6–10  mathnet  isi
58. И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. В. Пенцов, Ю. П. Сморчкова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAsSbP и GaInAsSb для спектрального диапазона 3$-$5 мкм”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  50–53  mathnet  isi
59. Н. М. Колчанова, А. А. Попов, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновое излучение в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  40–44  mathnet  isi
60. А. Н. Баранов, С. Ю. Белкин, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения на $n{-}n$-границе в ДГС GaInAsSb лазерах”, Письма в ЖТФ, 18:17 (1992),  18–24  mathnet  isi
1991
61. И. А. Андреев, М. П. Михайлова, С. В. Мельников, Ю. П. Сморчкова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение и коэффициенты ионизации в GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1429–1436  mathnet
62. А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  394–401  mathnet
63. М. С. Бреслер, О. Б. Гусев, М. П. Михайлова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Интерфейсная люминесценция, обусловленная надбарьерным отражением в изотипной гетероструктуре $p$-InAs/$P$-InAsPSb”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  298–306  mathnet
64. Т. И. Воронина, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, Ю. П. Яковлев, “Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  283–286  mathnet
65. Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, М. А. Сиповская, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  276–282  mathnet
66. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, О. Г. Ершов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Влияние интерфейсной рекомбинации на пороговые характеристики GaInAsSb/GaSb лазеров”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991),  54–59  mathnet  isi
67. А. Абрагам, Э. Гулициус, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Стабилизация излучения при наработке зарощенного InGaAsSb$-$GaSb гетеролазера ($\lambda=2$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  56–60  mathnet  isi
1990
68. А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона $1.8{-}2.4$ мкм”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1708–1714  mathnet
69. М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, А. П. Дмитриев, М. П. Михайлова, Ю. П. Сморчкова, И. Н. Тимченко, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, И. Н. Яссиевич, “Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb$-$InAs”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1397–1406  mathnet
70. А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов $p$-GaInSbAs, выращенных на подложках $n$-GaSb : Te”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1072–1078  mathnet
71. А. Н. Титков, В. Н. Чебан, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, Ю. П. Яковлев, “Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GalnAsSb/GaSb”, Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1056–1061  mathnet
72. А. Н. Баранов, А. Н. Дахно, Б. Е. Джуртанов, Т. С. Лагунова, М. А. Сиповская, Ю. П. Яковлев, “Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов $p$-GaInSbAs”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990),  98–103  mathnet
73. А. Н. Именков, О. П. Капранчик, A. M. Литвак, А. А. Попов, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды на основе GaInAsSb вблизи области несмешиваемости ($\lambda=2.4{-}2.6$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 16:24 (1990),  19–24  mathnet  isi
74. А. М. Гребенюк, С. И. Круковский, А. М. Литвак, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев, “Фазовые равновесия расплав$-$твердое тело при ЖФЭ синтезе $\text{A}^{3}\text{B}^{5}$ соединений из «инертных растворителей» (на примере систем: Pb$-$InAs$-$InSb и Bi$-$Ga$-$GaAs)”, Письма в ЖТФ, 16:23 (1990),  23–27  mathnet  isi
75. А. Н. Баранов, А. Н. Именков, О. П. Капранчик, Валер. В. Негрескул, А. Г. Чернявский, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые светодиоды на основе гетеропереходов InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}\bigr|$InAs ($\lambda=3.0{-}4.8$ мкм при 300 K) с широкозонным «окном»”, Письма в ЖТФ, 16:16 (1990),  42–47  mathnet  isi
76. В. Г. Аветисов, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. И. Надеждинский, А. Н. Хуснутдинов, Ю. П. Яковлев, “Измерение ширины линии излучения длинноволновых инжекционных лазеров на основе GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 16:14 (1990),  66–70  mathnet  isi
77. А. М. Литвак, К. Д. Моисеев, Т. Попова, Н. А. Чарыков, Ю. П. Яковлев, “Получение твердых растворов Al$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$/InAs методом ЖФЭ”, Письма в ЖТФ, 16:13 (1990),  41–45  mathnet  isi
78. А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, A. M. Литвак, А. А. Попов, Н. А. Чарыков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Получение твердых растворов In$_{x}{-}\text{Ga}_{1-x}{-}\text{As}_{y}{-}\text{Sb}_{1-y}$, изопериодных к CaSb, вблизи границы области несмешиваемости”, Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  33–38  mathnet  isi
79. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, И. Н. Тимченко, В. Е. Шестнев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды на основе InAs/InAsSbP для спектрального диапазона 2$-$3.5 мкм”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  27–32  mathnet  isi
1989
80. А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Спонтанная электролюминесценция в гетеропереходах II типа на основе GaInAsSb/GaSb (${\lambda=2.5}$ мкм, ${T=300}$ K)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1373–1377  mathnet
81. А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, И. Н. Тимченко, З. И. Чугуева, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Кинетика изменения концентрации структурных дефектов и их роль в рассеянии дырок в $p$-GaSb”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  780–786  mathnet
82. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, А. Н. Именков, Н. М. Колчанова, Е. А. Сидоренкова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8$-$2.4 мкм ($T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  71–75  mathnet  isi
83. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, Н. Н. Марьинская, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Малошумящие лавинные фотодиоды с разделенными областями поглощения и умножения для области спектра 1.6$-$2.4 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  71–76  mathnet  isi
84. А. А. Гусейнов, Б. Е. Джуртанов, A. M. Литвак, М. А. Мирсагатов, Н. А. Чарыков, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Высокоточный метод расчета фазовых равновесий расплав$-$твердое тело в системах A$^{3}$B$^{5}$ (на примере In$-$Ga$-$As$-$Sb)”, Письма в ЖТФ, 15:12 (1989),  67–73  mathnet  isi
85. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19  mathnet  isi
86. Н. С. Аверкиев, А. Н. Именков, A. M. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Релаксация излучения и неравновесной заселенности в квантово-размерных полупроводниковых лазерах”, Письма в ЖТФ, 15:3 (1989),  79–83  mathnet  isi
1988
87. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, О. Г. Ершов, Ю. П. Яковлев, “Спектры когерентного излучения полосковых лазеров на основе GaInAsSb”, ЖТФ, 58:8 (1988),  1623–1626  mathnet  isi
88. А. Н. Баранов, Е. А. Гребенщикова, Б. Е. Джуртанов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Длинноволновые лазеры на основе твердых растворов GaInAsSb вблизи границы несмешиваемости ($\lambda=2.5$ мкм, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:20 (1988),  1839–1843  mathnet  isi
89. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675  mathnet  isi
90. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинный фотодиод с разделенными областями поглощения и умножения на основе GaInAsSb/GaAlAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  986–991  mathnet  isi
91. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, А. Гусейнов, А. Н. Именков, Л. М. Литвак, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Высокоэффективные светодиоды на основе GaInAsSb ($\lambda=2.2$ мкм, $\eta=4$%, $T=300$ K)”, Письма в ЖТФ, 14:9 (1988),  845–849  mathnet  isi
92. И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, А. А. Рогачев, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Усиление фототока в изотипной структуре $n{-}n$ GaSb$-$GaInAsSb”, Письма в ЖТФ, 14:5 (1988),  389–393  mathnet  isi
1987
93. Т. С. Аргунова, А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, Г. Н. Мосина, И. Л. Шульпина, Ю. П. Яковлев, “Дефектообразование в GaAlSb/GaSb структурах для фотодиодов”, ЖТФ, 57:2 (1987),  316–321  mathnet  isi
94. А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Изменение концентрации природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1103–1108  mathnet  isi
95. А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. М. Литвак, Ю. П. Яковлев, “Влияние длины резонатора на электролюминесцентные свойства лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  517–523  mathnet  isi
96. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Лавинное умножение в фотодиодных структурах на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  481–485  mathnet  isi
97. А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, И. Н. Тимченко, Ю. П. Яковлев, “Проявление самосогласованных квантово-размерных потенциальных ям в электролюминесцентных свойствах лазеров на основе $Ga\,In\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987),  459–464  mathnet  isi
98. Н. С. Аверкиев, А. Н. Баранов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. П. Яковлев, “Поляризация излучения в квантово-размерном лазере на одном гетеропереходе”, Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  332–337  mathnet  isi
1986
99. И. Я. Карлик, Д. Н. Мирлин, В. Ф. Сапега, Ю. П. Яковлев, “Спектр и поляризация фотолюминесценции в непрямозонных полупроводниковых кристаллах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As”, Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1869–1874  mathnet  isi
100. А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2217–2221  mathnet
101. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, В. Г. Данильченко, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе твердых растворов $Ga\,In\,As\,Sb/Ga\,Al\,As\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1311–1315  mathnet  isi
102. Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, “Расширение спектральной фоточувствительности варизонных Р-П-структур за счет эффекта переизлучения”, Письма в ЖТФ, 12:20 (1986),  1241–1245  mathnet  isi
103. А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, А. А. Рогачев, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Квантово-размерный лазер с одиночным гетеропереходом”, Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  664–668  mathnet  isi
104. А. Н. Баранов, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Инжекционный ($Ga\,Al\,As\,Sb/Ga\,Sb/Ga\,In\,As\,Sb$) гетеролазер с $2^x$ канальным волноводом (ДГС 2KB $\lambda=2$ мкм), работающий при комнатной температуре”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  557–561  mathnet  isi
1985
105. А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Н. С. Зимогорова, Л. М. Канская, Ю. П. Яковлев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев антимонида галлия, выращенных из расплавов, обогащенных сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1676–1679  mathnet
106. И. А. Андреев, А. Н. Баранов, М. З. Жингарев, В. И. Корольков, М. П. Михайлова, Ю. П. Яковлев, “Темновые токи в диодных структурах GaAlSb(As) «резонансного» состава”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1605–1611  mathnet
107. В. Н. Бессолов, Е. С. Добрынина, М. В. Лебедев, В. И. Петров, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Люминесценция упруго и пластически деформированных при гетероэпитаксии (GaAl)P-слоев”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1078–1080  mathnet
108. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Координатная зависимость разности коэффициентов в варизонной $p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  502–506  mathnet
109. Г. Т. Айтиева, В. Н. Бессолов, С. Е. Клименко, В. Е. Корсуков, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Создание супертонких слоев $(Ga\,Al)As$ жидкостной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 11:8 (1985),  465–469  mathnet  isi
110. Н. Т. Баграев, А. Н. Баранов, Т. И. Воронина, Ю. Н. Толпаров, Ю. П. Яковлев, “Подавление природных акцепторов в $Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:2 (1985),  117–121  mathnet  isi
1984
111. А. Н. Баранов, Н. А. Берт, С. Г. Конников, В. И. Литманович, Т. С. Рогунова, Ю. П. Яковлев, “Неоднородное умножение в лавинных фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице”, Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1360–1364  mathnet  isi
112. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах”, Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  149–153  mathnet
1983
113. Ю. Ю. Абдурахманов, А. Н. Баранов, Ю. П. Яковлев, “Исследование капиллярного эффекта в системе Ga$-$Al$-$As/GaAs”, ЖТФ, 53:11 (1983),  2224–2226  mathnet  isi
114. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP”, ЖТФ, 53:2 (1983),  411–412  mathnet  isi
115. В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, Е. А. Поссе, В. Е. Уманский, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176  mathnet
116. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, А. Н. Именков, Б. В. Царенков, Ю. М. Шерняков, Ю. П. Яковлев, “Спектральная зависимость коэффициента лавинного умножения в варизонной $p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  753–755  mathnet
117. Ю. Ю. Абдурахманов, В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, Е. А. Поссе, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Спектры фоточувствительности варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:1 (1983),  125–128  mathnet
118. А. Н. Баранов, С. Г. Конников, Т. Е. Попова, Ю. П. Яковлев, “Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  645–648  mathnet
1966
119. Ю. П. Яковлев, “Исследование диатермичности твердых материалов при высоких температурах излучателя”, ТВТ, 4:6 (1966),  882–883  mathnet
1963
120. О. В. Ложкин, Н. А. Перфилов, Ю. П. Яковлев, “Особенности образования $\mathrm{Li}_3^8$ при взаимодействии протонов 660 Мэв с ядрами $\mathrm{C}_6^{12}$”, Докл. АН СССР, 151:4 (1963),  826–828  mathnet

Организации