Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Конников Самуил Гиршевич
член-корреспондент РАН
профессор
доктор физико-математических наук (1983)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 6.07.1938
E-mail:
Сайт: http://www.ras.ru/win/db/show_per.asp?P=.id-60514.ln-ru

Научная биография:

В ряде публикаций также представлялся как Конников Семён Григорьевич.

Конников, Самуил Гиршевич. Исследование твёрдых растворов $A^{III}B^V$ и приборов с гетеропереходами на их основе электронно-зондовым методом : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1973. - 225 с. : ил.

Конников, Самуил Гиршевич. Электронно-зондовые исследования полупроводниковых гетероструктур соединений $A^3B^5$: Разработка методов и применение их в физике гетероструктур и оптоэлектрон. приборов на их основе : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Ленинград, 1983. - 443 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person82015
https://ru.wikipedia.org/wiki/Конников,_Самуил_Гиршевич
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=102594

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. А. И. Лихачев, А. Н. Нащекин, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Определение толщин и визуализация ионообменных волноводов в стеклах методом растровой электронной микроскопии”, ЖТФ, 89:3 (2019),  456–459  mathnet  elib; A. I. Lihachev, A. V. Nashchekin, R. V. Sokolov, S. G. Konnikov, “Determination of the thicknesses and visualization of ion-exchange waveguides in glasses by scanning electron microscopy”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 418–421 2
2018
2. М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, Л. Б. Карлина, А. М. Бойко, С. Г. Конников, “Изучение сверхструктуры в сильно легированном пористом фосфиде индия рентгеновскими методами”, Физика и техника полупроводников, 52:1 (2018),  89–92  mathnet  elib; M. E. Boiko, M. D. Sharkov, L. B. Karlina, A. M. Boiko, S. G. Konnikov, “X-ray study of the superstructure in heavily doped porous indium phosphide”, Semiconductors, 52:1 (2018), 84–87 1
2016
3. М. Д. Шарков, М. Е. Бойко, А. М. Бойко, В. А. Боровиков, М. Н. Григорьев, С. Г. Конников, “Рентгеновские исследования формирования доменов в горных породах под взрывным воздействием”, Физика твердого тела, 58:11 (2016),  2248–2251  mathnet  elib; M. D. Sharkov, M. E. Boiko, A. M. Boiko, V. A. Borovikov, M. N. Grigor'ev, S. G. Konnikov, “X-ray studies of the domain formation in rocks under blasting”, Phys. Solid State, 58:11 (2016), 2331–2334
2015
4. М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, А. М. Бойко, С. Г. Конников, А. В. Бобыль, Н. С. Будкина, “Исследование атомной, кристаллической, доменной структуры материалов на основе анализа дифракционных и абсорбционных рентгеновских данных (Обзор)”, ЖТФ, 85:11 (2015),  1–29  mathnet  elib; M. E. Boiko, M. D. Sharkov, A. M. Boiko, S. G. Konnikov, A. V. Bobyl', N. S. Budkina, “Investigation of the atomic, crystal, and domain structures of materials based on X-ray diffraction and absorption data: A review”, Tech. Phys., 60:11 (2015), 1575–1600 15
5. М. Д. Шарков, М. Е. Бойко, А. М. Бойко, А. В. Бобыль, С. Г. Конников, “Исследование микрокристаллического кремния методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1078–1082  mathnet  elib; M. D. Sharkov, M. E. Boiko, A. M. Boiko, A. V. Bobyl', S. G. Konnikov, “Investigation of microcrystalline silicon by the small-angle X-ray-scattering technique”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1052–1056
6. С. И. Павлов, Д. А. Кириленко, А. В. Нащекин, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Исследование структуры композитного материала “фуллерен–квантовые точки” на подложках с прозрачным электродом”, Письма в ЖТФ, 41:4 (2015),  33–40  mathnet  elib; S. I. Pavlov, D. A. Kirilenko, A. V. Nashchekin, R. V. Sokolov, S. G. Konnikov, “A study of fullerene-quantum dot composite structure on substrates with a transparent electrode layer”, Tech. Phys. Lett., 41:2 (2015), 172–174
2014
7. М. Д. Шарков, М. Е. Бойко, С. Н. Ивашевская, С. Г. Конников, “Характеризация структуры ультрадисперсного алмаза с помощью методов рентгеновской дифрактометрии и малоуглового рассеяния рентгеновских лучей”, Физика твердого тела, 56:11 (2014),  2265–2268  mathnet  elib; M. D. Sharkov, M. E. Boiko, S. N. Ivashevskaya, S. G. Konnikov, “Characterization of the structure of ultradispersed diamond using X-ray diffractometry and small-angle X-ray scattering”, Phys. Solid State, 56:11 (2014), 2343–2347 4
8. А. Ю. Егоров, П. Н. Брунков, Е. В. Никитина, Е. В. Пирогов, М. С. Соболев, А. А. Лазаренко, М. В. Байдакова, Д. А. Кириленко, С. Г. Конников, “Многопериодные квантово-каскадные наногетероструктуры: эпитаксия и диагностика”, Физика и техника полупроводников, 48:12 (2014),  1640–1645  mathnet  elib; A. Yu. Egorov, P. N. Brunkov, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, M. S. Sobolev, A. Lazarenko, M. V. Baidakova, D. A. Kirilenko, S. G. Konnikov, “Multiperiod quantum-cascade nanoheterostructures: Epitaxy and diagnostics”, Semiconductors, 48:12 (2014), 1600–1604 8
9. А. В. Бакланов, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков, А. Ю. Егоров, С. Г. Конников, “Анализ процессов термической эмиссии электронов из массивов InAs квантовых точек в слое объемного заряда GaAs-матрицы”, Физика и техника полупроводников, 48:9 (2014),  1186–1191  mathnet  elib; A. V. Baklanov, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, A. Yu. Egorov, S. G. Konnikov, “Analysis of thermal emission processes of electrons from arrays of InAs quantum dots in the space charge region of GaAs matrix”, Semiconductors, 48:9 (2014), 1155–1160 2
2013
10. М. Е. Бойко, М. Д. Шарков, А. М. Бойко, С. И. Нестеров, С. Г. Конников, “Доменная структура материала полупроводниковых лазеров на основе GaN/SiC”, Физика твердого тела, 55:10 (2013),  2035–2038  mathnet  elib; M. E. Boiko, M. D. Sharkov, A. M. Boiko, S. I. Nesterov, S. G. Konnikov, “Domain structure of GaN/SiC-based materials for semiconductor lasers”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2150–2153 1
11. Г. А. Вальковский, М. В. Дурнев, М. В. Заморянская, С. Г. Конников, А. В. Крупин, А. В. Мороз, Н. С. Соколов, А. Н. Трофимов, М. А. Яговкина, “Исследование структуры и люминесцентных свойств сверхрешеток CdF$_2$–CaF$_2$ : Eu на Si(111)”, Физика твердого тела, 55:7 (2013),  1396–1402  mathnet  elib; G. A. Valkovskiy, M. V. Durnev, M. V. Zamoryanskaya, S. G. Konnikov, A. V. Krupin, A. V. Moroz, N. S. Sokolov, A. N. Trofimov, M. A. Yagovkina, “Investigation of the structure and luminescence properties of CdF$_2$–CaF$_2$ : Eu superlattices on Si(111)”, Phys. Solid State, 55:7 (2013), 1498–1504 3
12. Г. А. Вальковский, М. В. Байдакова, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, А. А. Ситникова, М. А. Яговкина, Ю. М. Задиранов, “Комплексная диагностика многослойных периодических систем с наноразмерными слоями на примере структур Mo/Si”, Физика твердого тела, 55:3 (2013),  591–601  mathnet  elib; G. A. Valkovskiy, M. V. Baidakova, P. N. Brunkov, S. G. Konnikov, A. A. Sitnikova, M. A. Yagovkina, Yu. M. Zadiranov, “Integrated characterization of multilayer periodic systems with nanosized layers as applied to Mo/Si structures”, Phys. Solid State, 55:3 (2013), 648–658 2
13. А. В. Емельянов, Е. А. Константинова, П. А. Форш, А. Г. Казанский, М. В. Хенкин, Н. Н. Петрова, Е. И. Теруков, Д. А. Кириленко, Н. А. Берт, С. Г. Конников, П. К. Кашкаров, “Особенности структуры и дефектных состояний в пленках гидрогенизированного полиморфного кремния”, Письма в ЖЭТФ, 97:8 (2013),  536–540  mathnet  elib; A. V. Emelyanov, E. A. Konstantinova, P. A. Forsh, A. G. Kazanskii, M. V. Khenkin, N. N. Petrova, E. I. Terukov, D. A. Kirilenko, N. A. Bert, S. G. Konnikov, P. K. Kashkarov, “Features of the structure and defect states in hydrogenated polymorphous silicon films”, JETP Letters, 97:8 (2013), 466–469  isi  elib  scopus 10
14. П. Н. Брунков, В. В. Гончаров, М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, Н. Ю. Гордеев, В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. В. Соколов, С. Г. Конников, “Локальная трибоэлектризация поверхности $n$-GaAs с помощью зонда атомно-силового микроскопа”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1181–1184  mathnet  elib; P. N. Brunkov, V. V. Goncharov, M. È. Rudinskii, A. A. Gutkin, N. Yu. Gordeev, V. M. Lantratov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, R. V. Sokolov, S. G. Konnikov, “Local triboelectrification of an $n$-GaAs surface using the tip of an atomic-force microscope”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1170–1173 8
15. В. А. Севрюк, П. Н. Брунков, И. В. Шальнев, А. А. Гуткин, Г. В. Климко, С. В. Гронин, С. В. Сорокин, С. Г. Конников, “Статистический анализ топографических АСМ-изображений самоорганизованных квантовых точек”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  921–926  mathnet  elib; V. A. Sevryuk, P. N. Brunkov, I. V. Shalnev, A. A. Gutkin, G. V. Klimko, S. V. Gronin, S. V. Sorokin, S. G. Konnikov, “Statistical analysis of AFM topographic images of self-assembled quantum dots”, Semiconductors, 47:7 (2013), 930–934 9
2012
16. А. В. Бобыль, С. Г. Конников, В. М. Устинов, М. В. Байдакова, Н. А. Малеев, Д. А. Саксеев, Р. В. Конакова, В. В. Миленин, И. В. Прокопенко, “Радиационно-стимулированная деградация поверхности GaAs и транзисторных структур с высокой подвижностью электронов”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  833–844  mathnet  elib; A. V. Bobyl', S. G. Konnikov, V. M. Ustinov, M. V. Baidakova, N. A. Maleev, D. A. Sakseev, R. V. Konakova, V. V. Milenin, I. V. Prokopenko, “Radiation-induced surface degradation of GaAs and high electron mobility transistor structures”, Semiconductors, 46:6 (2012), 814–824 4
2011
17. Г. К. Расулова, П. Н. Брунков, И. В. Пентин, В. В. Ковалюк, К. Н. Горшков, А. Ю. Казаков, С. Ю. Иванов, А. Ю. Егоров, Д. А. Саксеев, С. Г. Конников, “Взаимная синхронизация двух связанных генераторов автоколебаний на основе сверхрешеток GaAs/AlGaAs”, ЖТФ, 81:6 (2011),  80–84  mathnet  elib; G. K. Rasulova, P. N. Brunkov, I. V. Pentin, V. V. Kovalyuk, K. N. Gorshkov, A. Yu. Kazakov, S. Yu. Ivanov, A. Yu. Egorov, D. A. Sakseev, S. G. Konnikov, “Mutual synchronization of two coupled self-oscillators based on GaAs/AlGaAs superlattices”, Tech. Phys., 56:6 (2011), 826–830 2
1992
18. Н. А. Берт, Д. 3. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, Ю. Г. Мусихин, “Электронно-микроскопические исследования ЖФЭ структур InGaAsP/InGaP/GaAs с тонкими (${<10}$ нм) слоями”, ЖТФ, 62:2 (1992),  105–111  mathnet  isi
19. С. Г. Конников, Г. Д. Мелебаева, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, “Поляриметрические свойства поверхностно-барьерных структур Ni${-}n{-}$GaAs”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  32–37  mathnet  isi
20. С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, С. Тилевов, Ж. Ханов, “Наведенный фотоплеохроизм гетеропереходов ITO$-$A$^{3}$B$^{5}$ (GaP, GaP$_{x}$As$_{1-x}$)”, Письма в ЖТФ, 18:24 (1992),  11–15  mathnet  isi
21. С. Г. Конников, С. А. Соловьев, В. А. Соловьев, М. Э. Гаевский, “Определение локальных параметров ($T_{c}$, $\Delta T_{c}$) ВТСП пленок”, Письма в ЖТФ, 18:21 (1992),  20–23  mathnet  isi
22. С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, М. Сергинов, “Поляриметрический эффект в структурах Au${-}n$-GaAs”, Письма в ЖТФ, 18:12 (1992),  39–42  mathnet  isi
23. С. Г. Конников, Д. Мелебаев, В. Ю. Рудь, Л. М. Федоров, “Фотоплеохроизм многослойных GaP поверхностно-барьерных структур”, Письма в ЖТФ, 18:12 (1992),  11–15  mathnet  isi
24. В. К. Еремин, Е. М. Вербицкая, С. Г. Конников, Л. С. Медведев, Н. Б. Строкан, “Возможности профилирования концентрации тяжелых элементов в тонких ВТСП-пленках на пучках быстрых ионов”, Письма в ЖТФ, 18:6 (1992),  91–94  mathnet
1991
25. П. Н. Брунков, С. Гайбуллаев, С. Г. Конников, В. Г. Никитин, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, “Дефекты с глубокими уровнями в GaAs, выращенном из раствора-расплава Ga$-$Bi”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  338–342  mathnet
1990
26. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, К. Ю. Погребицкий, Б. В. Царенков, “Экспериментальное подтверждение модели релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса, предназначенной для создания супертонких слоев $A^{3}B^{5}$”, ЖТФ, 60:1 (1990),  165–169  mathnet  isi
27. С. Г. Конников, М. И. Свердлов, Ф. Я. Филипченко, А. А. Хазанов, “Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2010–2016  mathnet
28. П. Н. Брунков, В. П. Евтихиев, С. Г. Конников, Е. Ю. Котельников, М. Г. Папенцев, М. М. Соболев, “Обнаружение нового метастабильного уровня $DX$-центра в тонких легированных Si слоях Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1978–1982  mathnet
29. П. Н. Брунков, В. С. Калиновский, С. Г. Конников, М. М. Соболев, О. В. Сулима, “Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 24:7 (1990),  1320–1322  mathnet
30. С. Г. Конников, В. А. Поссе, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока”, Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  271–275  mathnet
31. С. Г. Конников, С. А. Соловьев, В. Е. Уманский, С. Ф. Карманенко, О. В. Косогов, “Прямое наблюдение пространственной неоднородности сверхпроводимости ВТСП пленок методом низкотемпературной растровой электронной микроскопии”, Письма в ЖТФ, 16:10 (1990),  47–51  mathnet  isi
1989
32. П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. И. Папенцев, М. М. Соболев, М. Н. Степанова, “Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1689–1691  mathnet
33. С. Г. Конников, О. В. Салата, В. А. Соловьев, М. А. Синицын, В. Е. Уманский, Д. А. Винокуров, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1416–1419  mathnet
34. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (теория)”, Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1411–1415  mathnet
35. М. М. Соболев, П. Н. Брунков, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, В. Г. Никитин, В. П. Улин, А. Ш. Долбая, Т. Д. Камушадзе, Р. М. Майсурадзе, “Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga”, Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  1058–1065  mathnet
36. С. Г. Конников, С. К. Павлов, К. Д. Цэндин, Е. И. Шифрин, В. Х. Шпунт, “Эффект скачкообразного увеличения проводимости стимулированного электронным пучком в легированных стеклообразных полупроводниках”, Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  48–51  mathnet  isi
37. И. А. Андреев, М. А. Афраилов, А. Н. Баранов, С. Г. Конников, М. А. Мирсагатов, М. П. Михайлова, О. В. Салата, В. Б. Уманский, Г. М. Филаретова, Ю. П. Яковлев, “Сверхбыстродействующий $p{-}i{-}n$ фотодиод на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.5$-$2.3 мкм”, Письма в ЖТФ, 15:7 (1989),  15–19  mathnet  isi
1988
38. С. Г. Конников, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, И. И. Лодыженский, “Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988),  1803–1807  mathnet
39. А. Н. Баранов, Т. Н. Данилова, Б. Е. Джуртанов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, A. M. Литвак, В. Е. Усманский, Ю. П. Яковлев, “Генерация излучения в канальном зарощенном лазере на основе GaInAsSb/GaSb в непрерывном режиме ($T=20$ C, $\lambda=2.0$ мкм)”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1671–1675  mathnet  isi
40. Ю. Ф. Бирюлин, В. П. Гермогенов, О. М. Ивлева, С. Г. Конников, Я. И. Отман, В. В. Третьяков, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, В. А. Шульбах, Л. Е. Эпиктетова, “Твердые растворы в системе Ga$-$Sb$-$Bi”, Письма в ЖТФ, 14:18 (1988),  1651–1655  mathnet  isi
41. Н. А. Берт, С. Г. Конников, А. В. Корольков, К. Ю. Погребицкий, “Изменение состава арсенида галлия вблизи поверхности при бомбардировке Ar$^{+}$-ионами”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  673–676  mathnet  isi
42. И. Н. Арсентьев, Н. А. Берт, А. В. Васильев, Д. З. Гарбузов, Е. В. Журавкевич, С. Г. Конников, А. О. Косогов, А. В. Кочергин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Многослойные периодические структуры в системе Jn$-$Ga$-$As$-$Р, полученные методом жидкостной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 14:7 (1988),  593–597  mathnet  isi
43. Ж. И. Алфров, В. М. Андреев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, Н. Н. Фалеев, В. П. Хвостиков, “Жидкофазные AlGaAs-структуры с квантово-размерными слоями толщиной до $\sim20$ Å”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  171–176  mathnet  isi
1987
44. В. А. Елюхин, С. Ю. Карпов, С. Г. Конников, Т. Б. Попова, С. А. Руколайне, Т. В. Чернева, М. К. Эбаноидзе, “Дальнее поле излучения гетеролазеров с градиентным волноводом”, ЖТФ, 57:4 (1987),  747–754  mathnet  isi
45. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, В. М. Чистяков, “Функция генерации электронно-дырочных пар в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ при возбуждении электронным пучком”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  2028–2032  mathnet
46. С. Г. Конников, О. В. Коваленков, К. Ю. Погребицкий, М. А. Синицын, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, Б. С. Явич, “Рентгенодифракционное и рентгенофотоэлектронное измерение параметров периодических GaAs$-$AlGaAs-структур, полученных МОС гидридным методом”, Физика и техника полупроводников, 21:10 (1987),  1745–1749  mathnet
47. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. А. Хусаинов, В. М. Чистяков, И. Н. Яссиевич, “Ток, индуцированный электронным зондом в полупроводниковых гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1648–1653  mathnet
48. С. Г. Конников, А. Г. Машевский, М. А. Синицын, М. М. Соболев, Б. С. Явич, “Механизм усиления фототока в GaAs$-$AlGaAs-структурах”, Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1327–1329  mathnet
49. С. Г. Конников, М. М. Соболев, “Определение параметров безызлучательной рекомбинации в $p{-}n$-структурах с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  938–941  mathnet
50. С. Г. Конников, “Информационное сообщение”, Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  770  mathnet; S. G. Konnikov, “Information”, Semiconductors, 21:4 (1987), 473–474  isi
51. С. Г. Конников, В. Е. Уманский, И. И. Лодыжинский, “Пикосекундная растровая электронная микроскопия быстродействующих полупроводниковых приборов”, Письма в ЖТФ, 13:19 (1987),  1183–1186  mathnet  isi
52. К. Ю. Кижаев, С. Г. Конников, С. А. Никишин, К. Ю. Погребицкий, В. П. Улин, Н. Н. Фалеев, Л. И. Флакс, “Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136  mathnet  isi
1986
53. С. Г. Конников, Б. А. Матвеев, Т. Б. Попова, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, В. Е. Уманский, “Распределение дислокаций в изогнутых структурах InAsSbP/InAs”, Физика твердого тела, 28:3 (1986),  789–792  mathnet  isi
54. И. Н. Арсентьев., Д. З. Гарбузов, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, А. Е. Свелокузов, Н. Н. Фалеев, А. В. Чудинов, “Рентгеновские фотоэмиссионные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с протяженностью переходных слоев ${\leqslant20}$ Å”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2206–2211  mathnet
55. С. Г. Конников, В. А. Соловьев, В. Е. Уманский, А. В. Чудинов, А. А. Хусаинов, “Микрокатодолюминесценция двойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1049–1054  mathnet
56. Ж. И. Алфёров, В. М. Андреев, А. А. Воднев, С. Г. Конников, В. Р. Ларионов, К. Ю. Погребицкий, В. Д. Румянцев, В. П. Хвостиков, “$Al\,Ga\,As$-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией”, Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1089–1093  mathnet  isi 1
57. Н. Л. Баженов, Н. З. Жингарев, В. И. Иванов-Омский, С. Г. Конников, М. С. Никитин, В. К. Огородников, В. И. Процык, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd\,Te-Cd_{x}\,Hg_{1-x}\,Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)”, Письма в ЖТФ, 12:16 (1986),  976–979  mathnet  isi
58. В. М. Андреев, О. О. Ивентьева, С. Г. Конников, К. Ю. Погребицкий, Э. Пурон, О. В. Сулима, Н. Н. Фалеев, “Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия $Al\,Ga\,As$-гетероструктур с субмикронными ($10^{-1}-10^{-2}$ мкм) слоями”, Письма в ЖТФ, 12:9 (1986),  533–537  mathnet  isi
1985
59. С. Г. Конников, “Рецензия на книгу Б.А. Тхорика и Л.С. Хазана «Пластическая деформация и дислокация несоответствия в гетероэпитаксиальных системах»”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1341–1342  mathnet
60. Н. А. Берт, В. И. Васильев, С. Г. Конников, В. И. Кучинский, А. С. Лазутка, В. А. Мишурный, Е. Л. Портной, “Несоответствие периодов решеток и интенсивность фотолюминесценции в гетерокомпозициях $Ga\,In\,Sb\,As/Ga\,Sb$”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  193–197  mathnet  isi
1984
61. В. А. Елюхин, С. Г. Конников, М. И. Неменов, Л. П. Сорокина, Н. Н. Фалеев, “Кристаллизация гетероструктур из переохлажденных растворов–расплавов”, ЖТФ, 54:10 (1984),  2077–2079  mathnet  isi
62. С. И. Желудева, М. В. Ковальчук, С. Г. Конников, “Влияние глубины залегания $p{-}n$ перехода на кривые рентгеновской эдс в условиях брэгговской дифракции”, ЖТФ, 54:3 (1984),  655–657  mathnet  isi
63. С. Г. Конников, А. О. Константинов, В. И. Литманович, “Исследование лавинного умножения в карбиде кремния с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1556–1560  mathnet
64. М. М. Соболев, С. Г. Конников, М. Н. Степанова, “Исследования глубоких центров в нелегированном GaAs с помощью электронного зонда”, Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  383–385  mathnet
65. А. Н. Баранов, Н. А. Берт, С. Г. Конников, В. И. Литманович, Т. С. Рогунова, Ю. П. Яковлев, “Неоднородное умножение в лавинных фотодиодах с несоотвествием периодов решеток на гетерогранице”, Письма в ЖТФ, 10:22 (1984),  1360–1364  mathnet  isi
66. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, М. В. Лебедев, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Нарушение псевдоморфного состояния в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P/GaP структурах”, Письма в ЖТФ, 10:3 (1984),  149–153  mathnet
1983
67. В. Н. Бессолов, С. Г. Конников, В. Е. Уманский, Ю. П. Яковлев, “Различие коэффициентов термического расширения в гетероструктурах Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P$-$GaP”, ЖТФ, 53:2 (1983),  411–412  mathnet  isi
68. В. Н. Бессолов, А. Н. Именков, С. Г. Конников, Е. А. Поссе, В. Е. Уманский, Б. В. Царенков, Ю. П. Яковлев, “Квантовая эффективность пластически и упруго деформированных варизонных Ga$_{1-x}$Al$_{x}$P $p{-}n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2173–2176  mathnet
69. А. Н. Баранов, С. Г. Конников, Т. Е. Попова, Ю. П. Яковлев, “Мышьяк в Ga$_{1-x}$Al$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$/GaSb: коэффициент сегрегации и распределение по толщине эпитаксиальных слоев”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983),  645–648  mathnet
2021
70. А. М. Сергеев, Ю. Ю. Балега, И. А. Щербаков, Е. Б. Александров, В. М. Андреев, А. Л. Асеев, А. М. Быков, И. В. Грехов, В. В. Гусаров, А. В. Двуреченский, А. В. Иванчик, Е. Л. Ивченко, Н. Н. Казанский, А. А. Каплянский, В. В. Кведер, Н. Н. Колачевский, С. Г. Конников, П. С. Копьев, З. Ф. Красильник, А. Г. Литвак, С. В. Медведев, Ю. В. Наточин, В. Н. Пармон, Э. Е. Сон, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, В. В. Устинов, В. М. Устинов, С. В. Иванов, А. Н. Алешин, М. В. Архипов, П. Н. Брунков, А. И. Вейнгер, А. К. Вершовский, Е. А. Волкова, С. А. Гуревич, В. К. Гусев, В. А. Дергачев, А. Г. Дерягин, О. В. Дудник, В. В. Жданов, Н. Л. Истомина, А. М. Калашникова, Е. С. Корнилова, Е. В. Кустова, А.А. Лебедев, Е.В. Липатова, А. В. Нащекин, Р. В. Парфеньев, М. П. Петров, Г. В. Скорняков, Е. М. Смирнов, Г. С. Соколовский, А. В. Соломонов, М. Г. Сушкова, Е. И. Теруков, Е. А. Чабан, О. Л. Чагунава, А. П. Шергин, Е. В. Шестопалова, М. Л. Шматов, А. А. Шмидт, В. Л. Шубин, “Андрей Георгиевич Забродский, к 75-летию со дня рождения”, ЖТФ, 91:6 (2021),  893–894  mathnet

Организации