Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Lebedev, Alexander Alexandrovich
Professor
Doctor of physico-mathematical sciences (1998)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
Birth date: 10.03.1959

https://www.mathnet.ru/eng/person140840
https://ru.wikipedia.org/wiki/Lebedev,_Aleksandr_Aleksandrovich_(fizik)
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=817884
https://www.researchgate.net/profile/Aa-Lebedev

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. A. V. Myasoedov, M. G. Mynbaeva, S. Yu. Priobrazhenskii, D. G. Amelchuk, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Application of 6H-SiC/3C-SiC(001) composite substrates for growth of cubic silicon carbide by sublimation method”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:5 (2025),  294–297  mathnet
2. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, D. A. Malevskii, A. V. Sakharov, K. S. Davydovskaja, M. E. Levinshteĭn, A. E. Nikolaev, “Effect of irradiation temperature on the carrier removal rate in GaN”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 59:4 (2025),  227–229  mathnet
3. A. V. Myasoedov, M. G. Mynbaeva, S. P. Lebedev, S. Yu. Priobrazhenskii, D. G. Amelchuk, A. A. Lebedev, “the features of the crystallization of an intermediate silicon layer during the transfer of a thin 3C-SiC(001) layer onto a 6H-SiC(0001) substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 51:4 (2025),  11–14  mathnet  elib
4. N. M. Shmidt, A. S. Usikov, S. V. Vorobyev, A. Yu. Plekhanov, I. K. Ternovych, A. D. Roenkov, M. V. Puzyk, E. I. Shabunina, E. V. Gushchina, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, A. N. Smirnov, S. Yu. Priobrazhenskii, E. M. Tanklevskaya, “Graphene-based biosensors for neurodegenerative dementia detection”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 51:3 (2025),  13–16  mathnet  elib
2024
5. V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, V. V. Kozlovsky, “Low-temperature luminescence study of the formation of radiation defects in $4H$-$\mathrm{SiC}$ Schottky diodes”, Fizika Tverdogo Tela, 66:12 (2024),  2193–2196  mathnet  elib
6. S. Yu. Davydov, K. S. Davydovskaja, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Temperature dependence of the carrier removal rate in 4H-SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:9 (2024),  482–484  mathnet  elib
7. A. A. Lebedev, A. V. Sakharov, V. V. Kozlovsky, D. A. Malevskii, A. E. Nikolaev, M. E. Levinshteĭn, “Effect of proton and electron irradiation on the parameters of gallium nitride Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:1 (2024),  49–52  mathnet  elib; Semiconductors, 58:5 (2024), 433–435
2023
8. I. A. Eliseyev, A. S. Usikov, A. D. Roenkov, S. P. Lebedev, V. N. Petrov, A. N. Smirnov, A. A. Lebedev, E. V. Gushchina, E. M. Tanklevskaya, E. I. Shabunina, M. V. Puzyk, N. M. Shmidt, “Study of stress relief and strain distribution in graphene films of biosensors for viral infections”, Fizika Tverdogo Tela, 65:12 (2023),  2216–2219  mathnet  elib
9. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “Organic macromolecule on free-standing and epitaxial graphene: HOMO-LUMO model”, Fizika Tverdogo Tela, 65:12 (2023),  2048–2050  mathnet  elib
10. A. A. Lebedev, D. A. Malevskii, V. V. Kozlovsky, M. E. Levinshteĭn, “Persistent relaxation processes in proton-irradiated 4H-SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:9 (2023),  743–750  mathnet  elib
11. V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, I. A. Eliseyev, Yu. È. Kitaev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Lebedev, D. Yu. Panov, V. A. Spiridonov, D. A. Bauman, A. E. Romanov, V. V. Kozlovsky, “Investigation of the Cr$^{3+}$ impurity luminescence in proton-irradiated $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:7 (2023),  573–576  mathnet  elib
12. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “Effect of adsorbed macromolecule on the carriers mobility in single layer graphene: Dangling bonds model”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:5 (2023),  392–396  mathnet  elib
13. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, M. E. Levinshteĭn, D. A. Malevskii, G. A. Oganesyan, “Effect of proton irradiation on the properties of high-voltage integrated 4$H$-SiC Schottky diodes at operating temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:1 (2023),  53–57  mathnet  elib 1
14. M. S. Dunaevskii, E. V. Gushchina, D. A. Malykh, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “SiC/graphene-based test structures for the Kelvin probe microscopy instrumental function determination”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 49:4 (2023),  24–27  mathnet  elib
2022
15. I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, V. V. Antipov, A. A. Lebedev, “Electron Diffraction Study of transformation the reconstruction 6$\sqrt{3}$ on 4H-SiC(0001) in quasi-free-standing epitaxial graphene”, Fizika Tverdogo Tela, 64:12 (2022),  2055–2060  mathnet  elib
16. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “Dielectric and optical properties of the cubic SiC, GeC and SnC monocrystals: Model estimations”, Fizika Tverdogo Tela, 64:1 (2022),  70–73  mathnet  elib
17. S. P. Lebedev, S. Yu. Priobrazhenskii, A. V. Plotnikov, M. G. Mynbaeva, A. A. Lebedev, “The temperature distribution simulation in the graphene sublimation growth zone on SiC substrate”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 92:12 (2022),  1776–1780  mathnet  elib
18. A. Yu. Plekhanov, M. V. Puzyk, A. S. Usikov, A. D. Roenkov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. A. Klotchenko, A. V. Vasin, Yu. N. Makarov, “Chemiluminescence of a functionalized graphene surface”, Optics and Spectroscopy, 130:9 (2022),  1417–1422  mathnet  elib
19. I. A. Eliseyev, E. A. Gushchina, S. A. Klotchenko, A. A. Lebedev, N. M. Lebedeva, S. P. Lebedev, A. V. Nashchekin, V. N. Petrov, M. V. Puzyk, A. D. Roenkov, A. N. Smirnov, E. M. Tanklevskaya, A. S. Usikov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, “Modification in adsorption properties of graphene during the development of viral biosensors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:12 (2022),  1137–1143  mathnet  elib
20. M. G. Mynbaeva, D. G. Amelchuk, A. N. Smirnov, I. P. Nikitina, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “Templates for homoepitaxial growth of 3C-SiC obtained by direct bonding of silicon carbide wafers of differing polytype”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:11 (2022),  1094–1098  mathnet  elib
21. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, M. E. Levinshteĭn, D. A. Malevskii, R. A. Kuz'min, “Electron irradiation hardness of high-voltage 4H-SiC Schottky diodes in the operating temperature range”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:8 (2022),  809–813  mathnet  elib
22. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, M. E. Levinshteĭn, D. A. Malevskii, G. A. Oganesyan, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, “Annealing of high voltage 4H-SiC Schottky diodes irradiated with electrons at high temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:4 (2022),  441–445  mathnet  elib
23. A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, G. A. Oganesyan, A. N. Smirnov, L. V. Shakhov, “Study of heavily doped $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, epitaxial films grown on $6H$-$\mathrm{SiC}$ semi-insulating substraes by sublimation method”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:2 (2022),  225–228  mathnet  elib
2021
24. P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  704–710  mathnet  elib; Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001
25. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Charge transfer in the vertical structures formed by two-dimensional layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:20 (2021),  16–18  mathnet  elib
2020
26. G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Formation of iron silicides under graphene grown on the silicon carbide surface”, Fizika Tverdogo Tela, 62:10 (2020),  1726–1730  mathnet  elib; Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1944–1948 2
27. G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Intercalation synthesis of cobalt silicides under graphene grown on silicon carbide”, Fizika Tverdogo Tela, 62:3 (2020),  462–471  mathnet  elib; Phys. Solid State, 62:3 (2020), 519–528 5
28. E. A. Panyutin, Sh. Sh. Sharofidinov, T. A. Orlova, S. A. Snytkina, A. A. Lebedev, “Biplanar epitaxial AlN/SiC/$(n,p)$SiC structures for high-temperature functional electronic devices”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:3 (2020),  450–455  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:3 (2020), 428–433 5
29. A. A. Lebedev, A. V. Kirillov, L. P. Romanov, A. V. Zubov, A. M. Strel'chuk, “Development of the processing technique and study of microwave switches based on 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$ diodes”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 90:2 (2020),  264–267  mathnet  elib; Tech. Phys., 65:2 (2020), 250–253
30. I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1388  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677
31. A. M. Strel'chuk, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Characteristics of Schottky rectifier diodes based on silicon carbide at elevated temperatures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1364–1367  mathnet  elib; Semiconductors, 54:12 (2020), 1624–1627 2
32. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, A. V. Zubov, P. V. Bulat, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene-like nanostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:23 (2020),  19–21  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1174–1176 1
33. P. A. Alekseev, B. R. Borodin, I. A. Mustafin, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, V. N. Trukhin, “Terahertz near-field response in graphene ribbons”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:15 (2020),  29–32  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 756–759 2
34. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, A. V. Zubov, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene nanostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:15 (2020),  7–9  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 733–736 4
35. A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:10 (2020),  3–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 4
36. V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
37. I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron diffraction study of epitaxial graphene formed by thermal destruction of SiC(0001) in an Ar environment and in high vacuum”, Fizika Tverdogo Tela, 61:10 (2019),  1978–1984  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1940–1946 4
38. G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Fizika Tverdogo Tela, 61:7 (2019),  1374–1384  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 10
39. S. P. Lebedev, I. S. Barash, I. A. Eliseyev, P. A. Dementev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 89:12 (2019),  1940–1946  mathnet  elib; Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849 2
40. A. A. Lebedev, M. E. Levinshteĭn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 8
41. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteĭn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
42. O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:7 (2019),  991–994  mathnet  elib; Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 6
43. S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Coulomb electron interaction between an adsorbate and substrate: a model of a surface dimer”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:18 (2019),  21–23  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 924–926 2
44. A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:11 (2019),  28–30  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 3
45. S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “A model of a surface dimer in the problem of adsorption”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:9 (2019),  40–42  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 461–463 5
46. A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, UFN, 189:8 (2019),  803–848  mathnet  elib; Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  isi  scopus 16
2018
47. A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effect in monolayer graphene associated with the formation of graphene–water interface”, Fizika Tverdogo Tela, 60:12 (2018),  2474–2477  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2668–2671 1
48. M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Fizika Tverdogo Tela, 60:7 (2018),  1423–1430  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 13
49. I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron-diffraction study of the structure of epitaxial graphene grown by the method of thermal destruction of 6$H$- and 4$H$-SiC (0001) in vacuum”, Fizika Tverdogo Tela, 60:7 (2018),  1403–1408  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1419–1424 1
50. S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 9:1 (2018),  95–97  mathnet  isi  elib 2
51. A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1651–1655  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 6
52. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1532–1534  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637
53. N. V. Agrinskaya, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, M. A. Shakhov, E. Lahderanta, “Transition between electron localization and antilocalization and manifestation of the Berry phase in graphene on a SiC surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1512–1517  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1616–1620
54. P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1507–1511  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 3
55. R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1317–1320  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 2
56. V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:3 (2018),  327–332  mathnet  elib; Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 4
57. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. V. Lubimova, “The role of the charge state of surface atoms of a metal substrate in doping of quasi-free-standing graphene”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:23 (2018),  90–95  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1089–1091
58. P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:9 (2018),  34–40  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 12
2017
59. A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide”, Fizika Tverdogo Tela, 59:10 (2017),  2063–2065  mathnet  elib; Phys. Solid State, 59:10 (2017), 2089–2091 1
60. V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1116–1124  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 49
61. A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
62. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  311–316  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 3
63. A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:22 (2017),  63–67  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 8
64. S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:18 (2017),  64–72  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 7
2016
65. A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Fizika Tverdogo Tela, 58:7 (2016),  1432–1435  mathnet  elib; Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 2
66. A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 86:3 (2016),  135–139  mathnet  elib; Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 17
67. A. A. Lebedev, “Growth, study, and device application prospects of graphene on SiC substrates”, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 7:1 (2016),  30–36  mathnet  isi 3
68. I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Electron-diffraction study of graphene-film growth stages during the thermal destruction of 6$H$-SiC (000$\bar1$) in vacuum”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:7 (2016),  967–972  mathnet  elib; Semiconductors, 50:7 (2016), 951–956
69. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, L. M. Sorokin, “Development of a spinodal decomposition model for the example of a heterostructure based on silicon carbide polytypes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:23 (2016),  66–71  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1153–1155 1
70. A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, S. N. Novikov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. B. Klimovich, M. P. Samoilovich, “Graphene-based biosensors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:14 (2016),  28–35  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 729–732 15
2015
71. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “On the electronic state of an atom adsorbed on epitaxial graphene formed on metallic and semiconductor substrates”, Fizika Tverdogo Tela, 57:1 (2015),  200–205  mathnet  elib; Phys. Solid State, 57:1 (2015), 213–218 2
72. A. A. Lebedev, S. V. Belov, M. G. Mynbaeva, A. M. Strel'chuk, E. V. Bogdanova, Yu. N. Makarov, A. S. Usikov, S. Yu. Kurin, I. S. Barash, A. D. Roenkov, V. V. Kozlovsky, “Radiation hardness of $n$-GaN Schottky diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:10 (2015),  1386–1388  mathnet  elib; Semiconductors, 49:10 (2015), 1341–1343 6
73. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Effect of irradiation with MeV protons and electrons on the conductivity compensation and photoluminescence of moderately doped $p$-4H-SiC (CVD)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:9 (2015),  1198–1201  mathnet  elib; Semiconductors, 49:9 (2015), 1163–1165 11
74. E. V. Kalinina, A. A. Lebedev, E. Bogdanova, B. Berenquier, L. Ottaviani, G. N. Violina, V. A. Skuratov, “Irradiation of 4H-SiC UV detectors with heavy ions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:4 (2015),  550–556  mathnet  elib; Semiconductors, 49:4 (2015), 540–546 21
75. A. A. Lebedev, S. Yu. Davydov, L. M. Sorokin, L. V. Shakhov, “Fabrication of quasi-superlattices at the interface between 3C-SiC epitaxial layer and substrates of hexagonal SiC polytypes by sublimation epitaxy in vacuum”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 41:23 (2015),  89–94  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1156–1158 5
76. A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, D. Yu. Kazantsev, V. V. Kozlovsky, “On the relationship between radiation-stimulated photoluminescence and nitrogen atoms in $p$-4H-SiC”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 41:23 (2015),  61–67  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1143–1145
2014
77. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “Evaluation of the effect of adsorption on the conductivity of single-layer graphene formed on a semiconductor substrate”, Fizika Tverdogo Tela, 56:12 (2014),  2486–2489  mathnet  elib; Phys. Solid State, 56:12 (2014), 2580–2583 2
78. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Comparison of the radiation hardness of silicon and silicon carbide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:10 (2014),  1329–1331  mathnet  elib; Semiconductors, 48:10 (2014), 1293–1295 8
79. V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, V. N. Lomasov, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Conductivity compensation in $n$-4H-SiC (CVD) under irradiation with 0.9-MeV electrons”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:8 (2014),  1033–1036  mathnet  elib; Semiconductors, 48:8 (2014), 1006–1009 12
80. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “On the possibility of spinodal decomposition in the transition layer of a heterostructure based on silicon-carbide polytypes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:6 (2014),  721–724  mathnet  elib; Semiconductors, 48:6 (2014), 701–704
81. M. G. Mynbaeva, S. P. Lebedev, A. A. Lavrent'ev, K. J. Mynbaev, A. A. Golovatenko, A. A. Lebedev, V. I. Nikolaev, “On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:3 (2014),  364–368  mathnet  elib; Semiconductors, 48:3 (2014), 350–353
82. A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Irradiation of sublimation-grown $p$-SiC with 0.9-MeV electrons”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 40:15 (2014),  45–49  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 651–652 1
2013
83. A. A. Lebedev, M. V. Zamoryanskaya, S. Yu. Davydov, D. A. Kirilenko, S. P. Lebedev, L. M. Sorokin, D. B. Shustov, M. P. Scheglov, “Investigation of the transition layer in 3C-SiC/6H-SiC heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:11 (2013),  1554–1558  mathnet  elib; Semiconductors, 47:11 (2013), 1539–1543 4
84. D. B. Shustov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, D. K. Nelson, A. A. Sitnikova, M. V. Zamoryanskaya, “Comparative study of 3C-SiC layers sublimation-grown on a 6H-SiC substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:9 (2013),  1279–1282  mathnet  elib; Semiconductors, 47:9 (2013), 1267–1270 1
85. N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, I. S. Kotousova, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, “Structure and transport properties of nanocarbon films prepared by sublimation on a 6H-SiC surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:2 (2013),  267–272  mathnet  elib; Semiconductors, 47:2 (2013), 301–306 12
2012
86. A. M. Ivanov, N. B. Strokan, A. A. Lebedev, “Radiation resistance of wide-gap materials as exemplified by SiC nuclear radiation detectors”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 82:4 (2012),  131–135  mathnet  elib; Tech. Phys., 57:4 (2012), 556–560 2
87. S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, O. V. Posrednik, “On the possibility of the experimental determination of spontaneous polarization for silicon carbide polytypes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:7 (2012),  937–939  mathnet  elib; Semiconductors, 46:7 (2012), 913–916 1
88. V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovski, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, G. Wagner, “Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:4 (2012),  473–481  mathnet  elib; Semiconductors, 46:4 (2012), 456–465 33
89. A. A. Lebedev, E. V. Bogdanova, M. V. Grigor'eva, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Annealing of radiation-compensated silicon carbide”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:19 (2012),  90–94  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 910–912 2
2011
90. A. A. Belevtsev, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, A. A. Lebedev, S. V. Podlesnykh, K. N. Firsov, “On stability of self-sustained volume discharge in working mixtures of non-chain electrochemical HF laser”, Kvantovaya Elektronika, 41:8 (2011),  703–708  mathnet  elib [Quantum Electron., 41:8 (2011), 703–708  isi  scopus] 8
1992
91. A. N. Starukhin, A. A. Lebedev, B. S. Razbirin, L. M. Kapitonova, “HIDDEN ANISOTROPY OF EMITTING TRANSITIONS IN POROUS SILICON”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:16 (1992),  60–63  mathnet
92. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, Y. N. Daluda, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “NATURE OF P-LAYER FORMED IN SEMICONDUCTING WAFER INTERFACES UNDER SOLID-PHASE DIRECT SILICON BONDING”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 18:14 (1992),  51–56  mathnet
1991
93. K. P. Abdurakhmanov, G. S. Kulikov, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, Sh. A. Yusupova, “Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:6 (1991),  1075–1078  mathnet
94. E. V. Astrova, I. A. Bobrovnikova, M. D. Vilisova, O. M. Ivleva, L. G. Lavrenteva, A. A. Lebedev, I. V. Teterkina, V. V. Chaldyshev, N. A. Chernov, Yu. V. Shmartsev, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:5 (1991),  898–903  mathnet
95. M. M. Anikin, A. S. Zubrilov, A. A. Lebedev, A. P. Strelchuk, A. E. Cherenkov, “Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:3 (1991),  479–486  mathnet
96. M. M. Anikin, A. N. Andreev, A. A. Lebedev, S. N. Pyatko, M. G. Rastegaeva, N. S. Savkina, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991),  328–333  mathnet
1990
97. M. M. Anikin, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, “Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:8 (1990),  1384–1390  mathnet
98. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Новый способ обработки спектров DLTS”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990),  549–552  mathnet
99. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, I. B. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “HYDROPHILIZATION OF A SURFACE UNDER THE DIRECT SILICON FUSION”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:4 (1990),  1–4  mathnet
1989
100. A. A. Lebedev, K. P. Abdurakhmanov, R. F. Vitman, N. B. Guseva, X. S. Daliev, Sh. B. Utemuradova, “Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:12 (1989),  2227–2229  mathnet
101. R. F. Vitman, N. A. Vitovskiy, A. A. Lebedev, T. V. Mashovets, L. V. Nalbandyan, “Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:11 (1989),  2066–2069  mathnet
102. R. F. Vitman, N. B. Guseva, A. A. Lebedev, E. S. Taptygov, “Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  919–921  mathnet
103. A. A. Lebedev, V. I. Mitrokhin, S. I. Rembeza, V. V. Sviridov, M. N. Stepanova, N. P. Yaroslavtsev, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:5 (1989),  897–899  mathnet
1988
104. N. T. Bagraev, A. A. Lebedev, V. A. Mashkov, I. S. Polovtsev, “Self-compensation of iron centers in silicon under optical pumping”, Fizika Tverdogo Tela, 30:7 (1988),  2076–2084  mathnet
105. R. F. Vitman, N. B. Guseva, A. A. Lebedev, A. A. Sitnikova, Sh. B. Utemuradova, “CARBON AND MANGANESE EFFECT ON THE FORMATION STRUCTURAL DEFECTS IN SILICON”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:11 (1988),  2272–2274  mathnet
106. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, V. P. Rastegaev, A. M. Strel'chuk, A. L. Syrkin, Yu. M. Tairov, V. F. Cvetkov, V. E. Chelnokov, “Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:2 (1988),  298–300  mathnet
107. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, S. N. Pyatko, V. P. Rastegaev, A. L. Syrkin, B. V. Tsarenkov, V. E. Chelnokov, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  133–136  mathnet
108. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, “Влияние ориентированной деформации и $\gamma$-облучения на уровни платины в кремнии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:1 (1988),  16–19  mathnet
109. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, I. V. Grekhov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “SUPER HIGH-VOLTAGE SILICOR R-P-TRANSITIONS WITH THE BREAKDOWN PRESSURE HIGHER-THAN-20-KV”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:11 (1988),  972–975  mathnet
110. V. M. Botnaryk, Yu. V. Zhilyaev, A. G. Kechek, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, M. I. Shulga, “PREDOMINANT RECOMBINATION CENTERS IN PARA-GAAS LAYERS, OBTAINED BY PRECIPITATION FROM THE GAS-PHASE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:2 (1988),  181–185  mathnet
1987
111. Yu. F. Shulpyakov, R. F. Vitman, L. S. Vlasenko, A. N. Dremin, A. A. Lebedev, V. N. Lomasov, T. G. Utkina, “Properties of high pressure deformed silicon crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 29:5 (1987),  1486–1491  mathnet
112. A. A. Lebedev, E. S. Taptygov, E. A. Dzhafarova, “Photoionization Cross-Sections for Nickel Levels in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2237–2239  mathnet
113. A. G. Kechek, N. I. Kuznetsov, A. A. Lebedev, “Method to Increase Resolving Power of Nonstationary Capacity Spectroscopy of Deep Levels in Semiconductors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2228–2229  mathnet
114. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, “Piezocapacity Spectroscopy of Radiation-Induced Defects in $p$-Type Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:12 (1987),  2149–2151  mathnet
115. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, V. Ekke, “Effect of Thermal Treatment on the Density of Radiation-Induced Defects in the Dielectric and on the Semiconductor Surface of Silicon MDS Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:5 (1987),  836–841  mathnet
116. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Effect of Uniaxial Pressure on Nonstationary Capacity Spectroscopy of Deep Levels in Si$\langle$Zn$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:2 (1987),  321–324  mathnet
117. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, V. Ekke, “Study of Electro physical Properties of Silicon MDS Structures Irradiated by $\gamma$-Quanta in the Presence of an Electric Field in the Dielectric”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  23–29  mathnet
118. A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Study of the Effect of $\gamma$-Irradiation on the Spectrum of Deep Levels in Zinc-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 21:1 (1987),  18–22  mathnet
119. L. S. Vlasenko, A. A. Lebedev, E. S. Taptygov, V. A. Khramcov, “New paramagnetic centers in nickel-alloyed silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:21 (1987),  1322–1326  mathnet
1986
120. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, A. L. Syrkin, A. V. Suvorov, “Capacity Spectroscopy of p${-}$n Junctions Based on Epitaxial $4H$-SiC Produced by Ionic Implantation of Al”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:12 (1986),  2169–2172  mathnet
121. E. V. Astrova, V. M. Volle, V. B. Voronkov, V. A. Kozlov, A. A. Lebedev, “Effect of Deep Levels on Breakdown Voltage of Diodes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:11 (1986),  2122–2125  mathnet
122. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Determination of Deep-Level Concentration in Semiconductor Bulk Using Nonstationary Capacity-Spectroscopy Data under Constant Capacity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:10 (1986),  1806–1810  mathnet
123. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Structures with Ionically Implanted p${-}$n Junction Based on Epitaxial $4H$-SiC with $S$-Like Current–Voltage Characteristic”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:9 (1986),  1654–1657  mathnet
124. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, A. M. Strel'chuk, A. V. Suvorov, A. L. Syrkin, V. E. Chelnokov, “Study of Current-Voltage Characteristics of Diode Structures Based on Silicon Carbide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986),  844–848  mathnet
125. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Capacity Spectroscopy of Deep Levels in Semiconductors under Photothermal Emission of Charge Carriers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986),  683–686  mathnet
126. K. P. Abdurakhmanov, K. S. Daliev, G. S. Kulikov, A. A. Lebedev, D. E. Nazirov, Sh. B. Utemuradova, “Study of Iron Interaction with Other Elements in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:1 (1986),  185–186  mathnet
1985
127. N. T. Bagraev, L. S. Vlasenko, A. A. Lebedev, “SOLID GOLD SOLUTION DECAY IN SILICON .2. DATA ON NUCLEAR MOMENT OPTICAL POLARIZATION STUDY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2162–2169  mathnet
128. N. T. Bagraev, L. S. Vlasenko, A. A. Lebedev, “SOLID GOLD SOLUTION DECAY IN SILICON .1. DATA ON NUCLEAR-SPIN-LATTICE RELAXATION STUDY”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:11 (1985),  2149–2161  mathnet
129. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Effect of Correlated Inhomogeneous Distribution of Surface Recombination Centers and Charges in Oxide on Minority Charge Carrier Generation under Capacitance Spectroscopy in MDS Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:11 (1985),  1971–1975  mathnet
130. A. A. Lebedev, V. Ekke, V. S. Yuferev, “Effect of Minority Charge Carrier Generation on the Capacity Spectroscopy of Surface States in MDS Structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:10 (1985),  1791–1795  mathnet
131. E. V. Astrova, V. B. Voronkov, A. A. Lebedev, B. M. Urunbaev, “Study of Thermal Defects in High-Resistance $n$-Type Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1709–1711  mathnet
132. K. P. Abdurakhmanov, K. S. Daliev, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, “DLTS Study of the $\gamma$-Irradiation Effect on the Properties of $n$-Туре Si$\langle$Mn$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:9 (1985),  1617–1619  mathnet
133. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, “Effect of Series Resistance of a Diode on Unsteady Capacitance Measurements of Deep-Level Parameters”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1382–1385  mathnet
134. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, “Capacitance Measurements of Deep-Impurity Distribution Profile and Surface Concentration in Thin Doped Layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:8 (1985),  1375–1381  mathnet
135. E. V. Astrova, V. M. Gontar, A. A. Lebedev, “Capacitance and Photoelectric Spectroscopy of Thallium Levels in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:7 (1985),  1273–1276  mathnet
136. Yu. F. Shulpyakov, A. A. Lebedev, K. P. Abdurakhmanov, Sh. B. Utemuradova, “Effect of High Hydrostatic Pressure on Activation Energy of Mn Levels in $n$-Туре Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1159–1161  mathnet
137. K. P. Abdurakhmanov, R. F. Vitman, K. S. Daliev, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, “Interaction of Oxygen with Manganese in $n$-Si”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1158–1159  mathnet
138. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, V. Ekke, “Evaluation of the Profile of Silicon Oxidation-Degree Distribution in Si$-$SiO$_{2}$ Transient Layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1156–1158  mathnet
139. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Study of Deep-Center Density in Cathode-Sputtered SiO$_x$ Films Depending on the Degree of Silicon Oxidation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  1087–1091  mathnet
140. Yu. F. Shulyshkov, R. F. Vitman, A. A. Lebedev, A. N. Dremin, “Effect of Plastic Deformation on the State of Oxygen and Carbon in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:6 (1985),  982–986  mathnet
141. E. V. Astrova, I. B. Bolshakov, A. A. Lebedev, O. A. Mikhno, “Photoconduction of Selenium-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  919–922  mathnet
142. E. V. Astrova, A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Capacity Spectroscopy of Deep Levels in $n$-Si(Cr)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  917–919  mathnet
143. A. A. Lebedev, V. Ekke, “Capacity Spectroscopy of Radiation-Induced Defects Produced in Si$-$SiO$_{2}$ Transient Layer under Cathode Sputterig”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  831–835  mathnet
144. E. V. Astrova, I. B. Bolshakov, A. A. Lebedev, O. A. Mikhno, “Energy Levels of Selenium in Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  597–600  mathnet
145. K. P. Abdurakhmanov, B. A. Kotov, Z. A. Salnik, A. A. Lebedev, Sh. B. Utemuradova, “Study of Fe in $n$-Type Si by ESR and Capacity Methods”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  349–350  mathnet
146. K. S. Daliev, A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, V. Ekke, “Parameters of Deep Levels in Si$\langle$V$\rangle$”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  338–340  mathnet
147. K. P. Abdurakhmanov, A. A. Lebedev, Z. A. Salnik, Sh. B. Utemuradova, “Deep Levels in Silicon Related with Manganese”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:2 (1985),  213–216  mathnet
148. L. M. Kapitonova, A. A. Lebedev, N. A. Sultanov, “Photoconduction of Chromium-Doped Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  162–164  mathnet
149. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, A. L. Syrkin, A. V. Suvorov, “Capacity-Spectroscopic Study of Deep Levels in SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:1 (1985),  114–117  mathnet
1984
150. Yu. F. Shulpyakov, R. F. Vitman, A. A. Lebedev, A. N. Dremin, “Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработке”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:7 (1984),  1306–1307  mathnet
151. M. M. Anikin, A. A. Lebedev, I. V. Popov, V. E. Sevastyanov, A. L. Sirkin, A. L. Suvorov, V. E. Chelnokov, G. P. Spynev, “RECTIFIER DIODE BASED ON SILICON-CARBIDE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:17 (1984),  1053–1056  mathnet
152. R. F. Vitman, N. B. Guseva, A. A. Lebedev, “FACTORS, CONTRIBUTING TO 2ND-PHASE FORMATIONS IN NONCRUCIBLE SILICON”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:14 (1984),  837–840  mathnet
1983
153. A. A. Lebedev, A. A. Lebedev, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней, возникающих в кремнии после диффузии серы”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:12 (1983),  2152–2155  mathnet
154. V. B. Voronkov, A. A. Lebedev, V. M. Rozhkov, “Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном $p{-}n$-переходе”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:7 (1983),  1344–1347  mathnet
2020
155. S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1383  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660 1

Organisations