|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием”, Физика твердого тела, 67:5 (2025), 805–809   |
| 2. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, А. М. Смирнов, В. В. Бельков, М. В. Томкович, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования”, Физика твердого тела, 67:1 (2025), 22–27 |
|
2023 |
| 3. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, “Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe”, Физика твердого тела, 65:3 (2023), 411–414 |
1
|
| 4. |
М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023), 640–643 |
|
2022 |
| 5. |
А. А. Семакова, М. С. Ружевич, В. В. Романов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, К. Д. Моисеев, “Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 876–881 ; A. A. Semakova, M. S. Ruzhevich, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Stimulated emission in the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with asymmetric electronic confinement”, Semiconductors, 57:5 (2023), 263–267 |
1
|
| 6. |
Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова, Г. Г. Зегря, “Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 479–485 |
|
2021 |
| 7. |
Д. А. Андрющенко, М. С. Ружевич, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, В. Г. Ремесник, “Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1040–1044 |
1
|
| 8. |
А. А. Семакова, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Пивоварова, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687 |
| 9. |
А. А. Семакова, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 502–506 ; A. A. Semakova, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. V. Chernyaev, S. S. Kizhaev, N. D. Stoyanov, “Study of the current–voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in the 4.2–300 K temperature range”, Semiconductors, 55:6 (2021), 557–561 |
1
|
| 10. |
А. А. Семакова, В. В. Романов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, К. Д. Моисеев, “Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 277–281 ; A. A. Semakova, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Suppression of wavelength temperature dependence in heterostructures with staggered type II heterojunction InAsSb/InAsSbP”, Semiconductors, 55:3 (2021), 354–358 |
2
|
|
2020 |
| 11. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. М. Смирнов, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, “Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1302–1308 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. M. Smirnov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, “Optical and structural properties of HgCdTe solid solutions with a high CdTe content”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1561–1566 |
3
|
| 12. |
А. А. Семакова, С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, С. С. Кижаев, А. В. Черняев, Н. Д. Стоянов, H. Lipsanen, “Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020), 51–54 ; A. A. Semakova, S. N. Lipnitskaya, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, S. S. Kizhaev, A. V. Chernyaev, N. D. Stoyanov, H. Lipsanen, “Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an inas active region”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 150–153 |
2
|
|
2019 |
| 13. |
Р. В. Левин, Б. В. Пушный, И. В. Федоров, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1592–1597 ; R. V. Levin, B. V. Pushnii, I. V. Fedorov, A. A. Usikova, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Examination of the capabilities of metalorganic vapor-phase epitaxy in fabrication of thin InAs/GaSb layers”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1509–1514 |
1
|
| 14. |
Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова, Г. Г. Зегря, “Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 450–455 ; N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. A. Semakova, G. G. Zegrya, “Carrier lifetime in semiconductors with band-gap widths close to the spin-orbit splitting energies”, Semiconductors, 53:4 (2019), 428–433 |
2
|
| 15. |
Р. В. Левин, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, Б. В. Пушный, М. Н. Мизеров, “Исследование возможности изготовления напряженных сверхрешеток InAs/GaSb методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 273–276 ; R. V. Levin, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, G. G. Zegrya, B. V. Pushnii, M. N. Mizerov, “On the possibility of manufacturing strained InAs/GaSb superlattices by the mocvd method”, Semiconductors, 53:2 (2019), 260–263 |
1
|
| 16. |
В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, И. Н. Трапезникова, Д. А. Андрющенко, Н. Л. Баженов, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, “Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 24–27 ; V. I. Ivanov-Omskii, K. J. Mynbaev, I. N. Trapeznikova, D. A. Andryushchenko, N. L. Bazhenov, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, “An optical study of disordering in cadmium mercury telluride solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 553–556 |
2
|
|
2017 |
| 17. |
А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Грешнов, “Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах”, ЖТФ, 87:3 (2017), 419–426 ; A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Greshnov, “Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 441–448 |
3
|
| 18. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 |
5
|
|
2016 |
| 19. |
К. Д. Мынбаев, С. В. Заблоцкий, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 208–211 ; K. J. Mynbaev, S. V. Zablotsky, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 208–211 |
7
|
|
2015 |
| 20. |
Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te: учет излучательной рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1206–1211 ; N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, G. G. Zegrya, “Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te solid solutions: Radiative recombination”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1170–1175 |
8
|
| 21. |
Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 444–448 ; N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, G. G. Zegrya, “Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes”, Semiconductors, 49:4 (2015), 432–436 |
6
|
| 22. |
К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, А. И. Ижнин, И. И. Ижнин, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 379–384 ; K. J. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, A. I. Izhnin, I. I. Izhnin, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:3 (2015), 367–372 |
11
|
|
2014 |
| 23. |
И. И. Ижнин, А. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, Е. И. Фицыч, М. В. Якушев, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 207–211 ; I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, E. I. Fitsych, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Photoluminescence of CdHgTe solid solutions subjected to low-energy ion treatment”, Semiconductors, 48:2 (2014), 195–198 |
6
|
| 24. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур”, Письма в ЖТФ, 40:16 (2014), 65–72 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, Yu. G. Sidorov, S. A. Dvoretskii, “Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted $p^+$–$n$ photodiode structure formation”, Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 708–711 |
5
|
|
2013 |
| 25. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. Г. Ремесник, В. С. Варавин, “Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, ЖТФ, 83:10 (2013), 147–150 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, “High-temperature photoluminescence of CdHgTe solid solutions grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 58:10 (2013), 1536–1539 |
5
|
|
2012 |
| 26. |
Н. Л. Баженов, М. Г. Мынбаева, К. Д. Мынбаев, “Анализ спектров фотопроводимости при большой инерционности фотоответа”, ЖТФ, 82:9 (2012), 119–122 ; N. L. Bazhenov, M. G. Mynbaeva, K. J. Mynbaev, “Analysis of photoconductivity spectra with a strongly delayed photoresponse”, Tech. Phys., 57:9 (2012), 1300–1303 |
| 27. |
И. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, М. В. Якушев, А. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, Г. В. Савицкий, R. Jakiela, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012), 1363–1367 ; I. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, M. V. Yakushev, A. I. Izhnin, E. I. Fitsych, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, G. V. Savitskii, R. Jakiela, A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Electrical and optical properties of CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1341–1345 |
5
|
| 28. |
Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 792–797 ; N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, G. G. Zegrya, “Optical transitions in Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te-based quantum wells and their analysis with account for the actual band structure of the material”, Semiconductors, 46:6 (2012), 773–778 |
4
|
|
1991 |
| 29. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, К. Д. Мынбаев, “Темновые токи в $p{-}n$-переходах, созданных ионно-лучевым травлением
на кристаллах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991), 2196–2200 |
| 30. |
Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов, “Квантовый выход фотолюминесценции в твердых
растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($0.4<x<0.74$)”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 1103–1106 |
| 31. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. Ф. Мовилэ, “P$-$N переходы на основе эпитаксиальных слоев
Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te”, Письма в ЖТФ, 17:23 (1991), 48–51  |
| 32. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, “Избыточные обратные токи в $p{-}n$ переходах на основе
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te, обусловленные флуктуациями концентрации примесей”, Письма в ЖТФ, 17:6 (1991), 9–13 |
|
1990 |
| 33. |
Н. Л. Баженов, Б. Л. Гельмонт, В. И. Иванов-Омский, А. И. Ижнин, В. А. Смирнов, “Фотолюминесценция твердых растворов Cd$_{0.4}$Hg$_{0.6}$Te”, Физика и техника полупроводников, 24:1 (1990), 93–97 |
|
1988 |
| 34. |
Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, К. Е. Миронов, В. Ф. Мовилэ, “Электрические свойства эпитаксиальных слоев
Mn$_{x}$Cd$_{y}$Hg$_{1-x-y}$Te”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1258–1261 |
| 35. |
Н. Л. Баженов, С. И. Гасанов, В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, В. К. Огородников, В. И. Процык, “Туннельно-рекомбинационные токи в $p{-}n$-переходах на основе
Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te при ${T>80}$ K”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988), 333–335 |
|
1986 |
| 36. |
Н. Л. Баженов, Н. З. Жингарев, В. И. Иванов-Омский, С. Г. Конников, М. С. Никитин, В. К. Огородников, В. И. Процык, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур $Cd\,Te-Cd_{x}\,Hg_{1-x}\,Te$ (${x\sim0.6-0.7}$)”, Письма в ЖТФ, 12:16 (1986), 976–979 |
|
1985 |
| 37. |
Н. Л. Баженов, М. З. Жингарев, В. И. Иванов-Омский, М. С. Никитин, В. И. Процык, “Лавинные фотодиоды на основе эпитаксиальных слоев $Cd_x\,Hg_{1-x}\,Te$”, Письма в ЖТФ, 11:22 (1985), 1359–1362 |
|
1984 |
| 38. |
Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, В. К. Огородников, “Аномалия электрических и фотоэлектрических свойств
в $p$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984), 1458–1461 |
|
