Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Галиев Галиб Бариевич
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 36
Научных статей: 36

Статистика просмотров:
Эта страница:387
Страницы публикаций:8100
Полные тексты:4328
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person186758
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2020
1. А. Н. Клочков, Е. А. Климов, П. М. Солянкин, М. Р. Конникова, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. П. Шкуринов, Г. Б. Галиев, “Терагерцовое излучение фотопроводящих антенн на основе сверхрешеточных структур $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  1004–1011  mathnet  elib; A. N. Klochkov, E. A. Klimov, P. M. Solyankin, M. R. Konnikova, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, A. P. Shkurinov, G. B. Galiev, “Thz radiation of photoconductive antennas based on $\{$LT-GaAs/GaAs:Si$\}$ superlattice structures”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 1010–1017 5
2. Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. А. Зайцев, С. С. Пушкарев, А. Н. Клочков, “Исследование морфологии поверхности, электрофизических характеристик и спектров фотолюминесценции эпитаксиальных плёнок GaAs на подложках GaAs (110)”, Оптика и спектроскопия, 128:7 (2020),  877–884  mathnet  elib; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. A. Zaitsev, S. S. Pushkarev, A. N. Klochkov, “Study of the surface morphology, electrophysical characteristics, and photoluminescence spectra of GaAs epitaxial films on GaAs (110) substrates”, Optics and Spectroscopy, 128:7 (2020), 877–884 1
3. Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. А. Зайцев, А. Н. Клочков, “Si-легированные эпитаксиальные пленки на подложках GaAs(110): морфология поверхности, электрофизические характеристики, спектры фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020),  1203–1210  mathnet  elib; G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. A. Zaitsev, A. N. Klochkov, “Silicon-doped epitaxial films grown on GaAs(110) substrates: the surface morphology, electrical characteristics, and photoluminescence spectra”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1417–1423 3
2019
4. Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, В. Б. Копылов, С. С. Пушкарев, “Электрофизические и фотолюминесцентные исследования сверхрешeток $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs с ориентацией (100) и (111)А”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019),  258–266  mathnet  elib; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, V. B. Kopylov, S. S. Pushkarev, “Electrical and photoluminescence studies of $\{\mathrm{LT}-\mathrm{GaAs/GaAs} : \mathrm{Si}\}$ superlattices grown by MBE on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates”, Semiconductors, 53:2 (2019), 246–254 2
2018
5. Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования легированных кремнием эпитаксиальных пленок GaAs, выращенных на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)А при пониженных температурах”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  395–401  mathnet  elib; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of Si-doped epitaxial GaAs films grown on (100)- and (111)A-oriented GaAs substrates at lowered temperatures”, Semiconductors, 52:3 (2018), 376–382 8
2017
6. Г. Б. Галиев, А. Н. Клочков, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, А. Н. Виниченко, Р. А. Хабибуллин, П. П. Мальцев, “Электронные свойства приповерхностных квантовых ям InGaAs/InAlAs с инвертированным легированием на подложках InP”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  792–797  mathnet  elib; G. B. Galiev, A. N. Klochkov, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, A. N. Vinichenko, R. A. Khabibullin, P. P. Maltsev, “Electron properties of surface InGaAs/InAlAs quantum wells with inverted doping on InP substrates”, Semiconductors, 51:6 (2017), 760–765
7. Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, А. М. Буряков, В. Р. Билык, Е. Д. Мишина, Е. А. Климов, И. С. Васильевский, П. П. Мальцев, “Генерация и детектирование терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках GaAs на подложках GaAs с ориентациями (100) и (111)A”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017),  529–534  mathnet  elib; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, A. M. Buryakov, V. R. Bilyk, E. D. Mishina, E. A. Klimov, I. S. Vasil'evskii, P. P. Maltsev, “Terahertz-radiation generation and detection in low-temperature-grown GaAs epitaxial films on GaAs (100) and (111)A substrates”, Semiconductors, 51:4 (2017), 503–508 18
8. Г. Б. Галиев, М. М. Грехов, Г. Х. Китаева, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, О. С. Коленцова, В. В. Корниенко, К. А. Кузнецов, П. П. Мальцев, С. С. Пушкарев, “Генерация терагерцевого излучения в низкотемпературных эпитаксиальных пленках InGaAs на подложках InP с ориентациями (100) и (411) A”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  322–330  mathnet  elib; G. B. Galiev, M. M. Grekhov, G. Kh. Kitaeva, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, O. S. Kolentsova, V. V. Kornienko, K. A. Kuznetsov, P. P. Maltsev, S. S. Pushkarev, “Terahertz-radiation generation in low-temperature InGaAs epitaxial films on (100) and (411) InP substrates”, Semiconductors, 51:3 (2017), 310–317 16
2016
9. Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, М. М. Грехов, С. С. Пушкарев, Д. В. Лаврухин, П. П. Мальцев, “Структурные и фотолюминесцентные свойства низкотемпературного GaAs, выращенного на подложках GaAs (100) и GaAs (111)A”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  195–203  mathnet  elib; G. B. Galiev, E. A. Klimov, M. M. Grekhov, S. S. Pushkarev, D. V. Lavrukhin, P. P. Maltsev, “Structural and photoluminescence properties of low-temperature GaAs grown on GaAs(100) and GaAs(111)A substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 195–203 8
2015
10. В. А. Гергель, И. В. Алтухов, А. В. Верховцева, Г. Б. Галиев, Н. М. Горшкова, А. П. Зеленый, Э. А. Ильичев, В. С. Минкин, С. К. Папроцкий, “Термоинжекционная электрическая неустойчивость в мультибарьерных гетероструктурах. Теоретическая модель и экспериментальные результаты”, ЖТФ, 85:7 (2015),  83–86  mathnet  elib; V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, “Electrical instability against thermal injection in multibarrier heterostructures: Theoretical model and experimental data”, Tech. Phys., 60:7 (2015), 1027–1030 1
11. Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные свойства модулированно-легированных структур In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As с напряженными нановставками InAs и GaAs в квантовой яме”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1243–1253  mathnet  elib; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence properties of modulation-doped In$_x$Al$_{1-x}$As/In$_y$Ga$_{1-y}$As/In$_x$Al$_{1-x}$As structures with strained inas and gaas nanoinserts in the quantum well”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1207–1217 5
12. Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, Г. Б. Галиев, И. П. Казаков, А. В. Червяков, “Оценка пространственной неоднородности гетерограниц в квантовых ямах GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1238–1242  mathnet  elib; L. P. Avakyants, P. Yu. Bokov, G. B. Galiev, I. P. Kazakov, A. V. Chervyakov, “Characterization of the spatial inhomogeneity of heterointerfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells by photoreflectance spectroscopy”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1202–1206 1
13. В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  942–950  mathnet  elib; V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As structures on GaAs substrates”, Semiconductors, 49:7 (2015), 921–929 7
14. Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, А. С. Бугаев, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, П. П. Мальцев, “Исследование оптических свойств GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах роста, с $\delta$-легированными слоями Si”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015),  932–935  mathnet  elib; D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, A. S. Bugaev, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, P. P. Maltsev, “Investigation of the optical properties of GaAs with $\delta$-Si doping grown by molecular-beam epitaxy at low temperatures”, Semiconductors, 49:7 (2015), 911–914 17
15. Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарёв, П. П. Мальцев, “Особенности фотолюминесценции HEMT-наногетероструктур с составной квантовой ямой InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  241–248  mathnet  elib; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs/InAs/InGaAs/InAlAs quantum well”, Semiconductors, 49:2 (2015), 234–241 12
16. В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, П. П. Мальцев, “Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015),  204–213  mathnet  elib; V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, P. P. Maltsev, “Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In$_x$Ga$_{1-x}$As quantum well with InAs inserts”, Semiconductors, 49:2 (2015), 199–208 16
2014
17. Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Применение спектроскопии фотолюминесценции для исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As”, Физика и техника полупроводников, 48:7 (2014),  909–916  mathnet  elib; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Application of photoluminescence spectroscopy to studies of In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Ga$_{0.62}$As/In$_{0.38}$Al$_{0.62}$As metamorphic nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:7 (2014), 883–890 4
18. Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, Д. В. Лаврухин, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Фотолюминесцентные исследования метаморфных наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  658–666  mathnet  elib; G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, D. V. Lavrukhin, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Photoluminescence studies of In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As metamorphic heterostructures on GaAs substrates”, Semiconductors, 48:5 (2014), 640–648 10
19. В. А. Гергель, И. В. Алтухов, А. В. Верховцева, Г. Б. Галиев, Н. М. Горшкова, С. С. Жигальцов, А. П. Зеленый, Э. А. Ильичев, В. С. Минкин, С. К. Папроцкий, М. Н. Якупов, “Аналитическая модель механизма электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах с туннельно-непрозрачными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014),  481–486  mathnet  elib; V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, S. S. Zhigaltsov, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, M. N. Yakupov, “Analytical model of the electrical instability mechanism in multibarrier heterostructures with tunnel-opaque barriers”, Semiconductors, 48:4 (2014), 465–470 4
20. Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарёв, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, А. Н. Клочков, П. П. Мальцев, “Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014),  67–72  mathnet  elib; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, A. N. Klochkov, P. P. Maltsev, “Effect of GaAs (100) substrate misorientation on the electrical parameters and surface morphology of metamorphic In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As/In$_{0.75}$Ga$_{0.25}$As/In$_{0.7}$Al$_{0.3}$As HEMT nanoheterostructures”, Semiconductors, 48:1 (2014), 63–68 1
2013
21. Р. А. Хабибуллин, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский, П. Ю. Боков, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, П. П. Мальцев, “Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1215–1220  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, V. A. Kul'bachinskii, P. Yu. Bokov, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, P. P. Maltsev, “Electrical and optical properties of near-surface AlGaAs/InGaAs/AlGaAs quantum wells with different quantum-well depths”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1203–1208 8
22. Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, Р. М. Имамов, “Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  990–996  mathnet  elib; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, R. M. Imamov, “Study of new designs for the InAlAs metamorphic buffer on GaAs substrates with distributed compensation of elastic deformations”, Semiconductors, 47:7 (2013), 997–1002 8
23. В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, “Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013),  927–934  mathnet  elib; V. A. Kul'bachinskii, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, “Persistent photoconductivity and electron mobility in In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/InP quantum-well structures”, Semiconductors, 47:7 (2013), 935–942 5
24. Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, И. С. Васильевский, О. М. Жигалина, Е. А. Климов, В. Г. Жигалина, Р. М. Имамов, “Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013),  510–515  mathnet  elib; G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, I. S. Vasil'evskii, O. M. Zhigalina, E. A. Klimov, V. G. Zhigalina, R. M. Imamov, “Study of the influence of strained superlattices introduced into a metamorphic buffer on the electrophysical properties and the atomic structure of InAlAs/InGaAs MHEMT heterostructures”, Semiconductors, 47:4 (2013), 532–537 5
25. А. Л. Шиленас, Ю. К. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, С. С. Пушкарев, Е. А. Климов, “Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013),  348–352  mathnet  elib; A. L. Shilenas, Yu. K. Pozhela, K. Požela, V. Juciené, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, S. S. Pushkarev, E. A. Klimov, “Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts”, Semiconductors, 47:3 (2013), 372–375 11
2012
26. Д. С. Пономарев, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Р. А. Хабибуллин, В. А. Кульбачинский, Н. А. Юзеева, “Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  500–506  mathnet  elib; D. S. Ponomarev, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, R. A. Khabibullin, V. A. Kul'bachinskii, N. A. Yuzeeva, “Electron mobility and effective mass in composite InGaAs quantum wells with InAs and GaAs nanoinserts”, Semiconductors, 46:4 (2012), 484–490 20
2011
27. Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, Р. А. Лунин, В. А. Кульбачинский, “Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов”, Физика и техника полупроводников, 45:10 (2011),  1373–1378  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, R. A. Lunin, V. A. Kul'bachinskii, “Scattering and electron mobility in combination-doped HFET-structures AlGaAs/InGaAs/AlGaAs with high electron density”, Semiconductors, 45:10 (2011), 1321–1326 7
28. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, К. Пожела, Ю. Пожела, В. Юцене, А. Сужеделис, Н. Жураускене, С. Кершулис, В. Станкевич, “Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1214–1218  mathnet  elib; I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, K. Požela, Yu. Pozhela, V. Juciené, A. Sužiedélis, N. Zhurauskene, S. Keršulis, V. Stankevich, “Electron mobility and drift velocity in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures”, Semiconductors, 45:9 (2011), 1169–1172 6
29. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, А. Л. Кванин, С. С. Пушкарев, М. А. Пушкин, “Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76–100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011),  1203–1208  mathnet  elib; I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, A. L. Kvanin, S. S. Pushkarev, M. A. Pushkin, “Interrelation of the construction of the metamorphic InAlAs/InGaAs nanoheterostructures with the InAs content in the active layer of 76–100% with their surface morphology and electrical properties”, Semiconductors, 45:9 (2011), 1158–1163 9
30. Р. А. Хабибуллин, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, Д. С. Пономарев, В. П. Гладков, В. А. Кульбачинский, А. Н. Клочков, Н. А. Юзеева, “Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 45:5 (2011),  666–671  mathnet  elib; R. A. Khabibullin, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, D. S. Ponomarev, V. P. Gladkov, V. A. Kul'bachinskii, A. N. Klochkov, N. A. Yuzeeva, “Effect of the built-in electric field on optical and electrical properties of AlGaAs/InGaAs/GaAs P-HEMT nanoheterostructures”, Semiconductors, 45:5 (2011), 657–662 21
2010
31. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Ю. А. Матвеев, Е. А. Климов, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, Ч. Пашкевич, В. Юцене, “Транспорт электронов в квантовой яме In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As с $\delta$-легированным Si барьером в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 44:7 (2010),  928–933  mathnet  elib; I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, Yu. A. Matveev, E. A. Klimov, Yu. Pozhela, K. Požela, A. Sužiedélis, C. Pashkevich, V. Juciené, “Electron transport in an In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As quantum well with a $\delta$-Si doped barrier in high electric fields”, Semiconductors, 44:7 (2010), 898–903 5
2009
32. В. Г. Мокеров, И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич, “Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях”, Физика и техника полупроводников, 43:4 (2009),  478–482  mathnet  elib; V. G. Mokerov, I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, Yu. Pozhela, K. Požela, A. Sužiedélis, V. Juciené, C. Pashkevich, “Drift velocity of electrons in quantum wells in high electric fields”, Semiconductors, 43:4 (2009), 458–462 9
2008
33. И. С. Васильевский, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, С. С. Широков, Р. М. Имамов, И. А. Субботин, “Электрофизические и структурные свойства двусторонне $\delta$-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 42:9 (2008),  1102–1109  mathnet  elib; I. S. Vasil'evskii, G. B. Galiev, E. A. Klimov, V. G. Mokerov, S. S. Shirokov, R. M. Imamov, I. A. Subbotin, “Electrical and structural properties of PHEMT heterostructures based on AlGaAs/InGaAs/AlGaAs and $\delta$-doped on two sides”, Semiconductors, 42:9 (2008), 1084–1091 24
2007
34. Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, А. А. Черечукин, Р. М. Имамов, И. А. Субботин, Э. М. Пашаев, “Влияние температуры роста спейсерного слоя на электрофизические и структурные свойства PHEMT-структур”, ЖТФ, 77:4 (2007),  50–55  mathnet  elib; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, V. G. Mokerov, A. A. Cherechukin, R. M. Imamov, I. A. Subbotin, È. M. Pashaev, “Effect of the spacer growth temperature on the electrophysical and structural properties of PHEMTs”, Tech. Phys., 52:4 (2007), 440–445 1
2006
35. Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский, Е. А. Климов, В. Г. Мокеров, А. А. Черечукин, “Влияние температуры роста спейсерного слоя на подвижность двумерного электронного газа в PHEMT-структурах”, Физика и техника полупроводников, 40:12 (2006),  1479–1483  mathnet  elib; G. B. Galiev, I. S. Vasil'evskii, E. A. Klimov, V. G. Mokerov, A. A. Cherechukin, “The effect of spacer-layer growth temperature on mobility in a two-dimensional electron gas in PHEMT structures”, Semiconductors, 40:12 (2006), 1445–1449 22
36. Ю. В. Хабаров, В. В. Капаев, В. А. Петров, Г. Б. Галиев, “Исследования физических явлений в полупроводниковых наноструктурах с использованием планарно-неоднородных слоев. Фотолюминесценция структур с электронными $\delta$-легированными слоями”, Физика и техника полупроводников, 40:5 (2006),  572–583  mathnet  elib; Yu. V. Khabarov, V. V. Kapaev, V. A. Petrov, G. B. Galiev, “Studies of physical phenomena in semiconductor nanostructures using samples with laterally nonuniform layers. Photoluminescence of structures with $n$-type $\delta$-doped layers”, Semiconductors, 40:5 (2006), 558–569

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026