|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Е. А. Лаврухина, Д. С. Пашин, А. В. Нежданов, К. В. Сидоренко, П. В. Волков, А. И. Бобров, “Оптимизация параметров кремниевого электрооптического фазовращателя, работающего на эффекте обеднения свободными носителями”, Физика и техника полупроводников, 59:1 (2025), 16–22  |
| 2. |
П. В. Волков, О. С. Вязанкин, А. И. Бобров, А. В. Нежданов, Д. А. Семиков, К. В. Сидоренко, “Исследование влияния маломодовой структуры поля на параметры $Y$-делителей фотонной интегральной схемы”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 19–22  |
|
2024 |
| 3. |
И. В. Самарцев, Н. В. Байдусь, С. Ю. Зубков, Д. М. Балясников, К. С. Жидяев, А. В. Здоровейщев, А. И. Бобров, К. В. Сидоренко, А. В. Нежданов, Д. С. Клементьев, “Метаморфный InGaAs-фотодиод на длине волны 1.55 мкм, выращенный на подложке GaAs”, Физика и техника полупроводников, 58:12 (2024), 709–713 |
|
2022 |
| 4. |
А. И. Бобров, Н. В. Байдусь, С. В. Хазанова, А. П. Горшков, К. В. Сидоренко, А. Н. Шушунов, Н. В. Малехонова, А. В. Нежданов, А. В. Здоровейщев, В. Н. Трушин, Е. В. Убыйвовк, А. И. Охапкин, Д. С. Клементьев, З. Ш. Гасайниев, А. В. Харламов, “Проектирование дизайна туннельно-связанных квантовых ям для создания модулятора по схеме Маха–Цендера”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 833–838 |
|
2016 |
| 5. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
| 6. |
О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 72–79 ; O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. O. Filatov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Forming dense arrays of gold nanoparticles in thin films of yttria stabilized zirconia by magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 36–39 |
13
|
|
2015 |
| 7. |
Д. В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, “Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1463–1468 ; D. V. Yurasov, A. I. Bobrov, V. M. Daniltsev, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, “Impact of growth and annealing conditions on the parameters of Ge/Si(001) relaxed layers grown by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1415–1420 |
24
|
| 8. |
Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1129–1135 ; N. A. Baidakova, A. I. Bobrov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Growth of light-emitting SiGe heterostructures on strained silicon-on-insulator substrates with a thin oxide layer”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1104–1110 |
3
|
| 9. |
Н. О. Кривулин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 160–162 ; N. O. Krivulin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire”, Semiconductors, 49:2 (2015), 154–156 |
1
|
| 10. |
Д. А. Павлов, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, “Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 98–101 ; D. A. Pavlov, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, “Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire”, Semiconductors, 49:1 (2015), 95–98 |
7
|
| 11. |
Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, А. И. Бобров, О. В. Вихрова, Е. И. Волкова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, Д. С. Сорокин, “Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 3–5 ; D. A. Pavlov, N. V. Baidus, A. I. Bobrov, O. V. Vikhrova, E. I. Volkova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, D. S. Sorokin, “Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium”, Semiconductors, 49:1 (2015), 1–3 |
2
|
| 12. |
О. Н. Горшков, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, А. И. Бобров, Д. О. Филатов, “Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота”, Письма в ЖТФ, 41:11 (2015), 62–70 ; O. N. Gorshkov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, A. I. Bobrov, D. O. Filatov, “Formation of Au$_4$Zr nanocrystals in yttria stabilized zirconia in the course of implantation of gold ions”, Tech. Phys. Lett., 41:6 (2015), 543–546 |
4
|
|
2014 |
| 13. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, Е. И. Малышева, “Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 2062–2065 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, N. V. Malekhonova, E. I. Malysheva, “Epitaxial growth of MnGa/GaAs layers for diodes with spin injection”, Phys. Solid State, 56:10 (2014), 2131–2134 |
3
|
| 14. |
Е. С. Демидов, М. В. Карзанова, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, А. И. Белов, Д. С. Королев, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, О. Н. Горшков, Н. Е. Демидова, Ю. И. Чигиринский, “Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb”, Физика твердого тела, 56:3 (2014), 607–610 ; E. S. Demidov, M. V. Karzanova, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, A. I. Belov, D. S. Korolev, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, O. N. Gorshkov, N. E. Demidova, Yu. I. Chigirinskii, “Effect of ion irradiation on the structure and luminescence characteristics of porous silicon impregnated with tungsten-telluride glass doped by Er and Yb impurities”, Phys. Solid State, 56:3 (2014), 631–634 |
1
|
| 15. |
Е. С. Демидов, В. В. Подольский, В. П. Лесников, Е. Д. Павлова, А. И. Бобров, В. В. Карзанов, Н. В. Малехонова, А. А. Тронова, “Электронография высокотемпературного алмазоподобного ферромагнетика на основе кремния с самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси марганца”, Письма в ЖЭТФ, 100:11 (2014), 818–823 ; E. S. Demidov, V. V. Podol'skii, V. P. Lesnikov, E. D. Pavlova, A. I. Bobrov, V. V. Karzanov, N. V. Malekhonova, A. A. Tronova, “Electron diffraction study of a high-temperature diamond-like silicon ferromagnet with the self-organized superlattice distribution of manganese impurity”, JETP Letters, 100:11 (2014), 719–723   |
4
|
| 16. |
А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. О. Тимофеева, В. К. Васильев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Е. И. Шек, “Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 212–216 ; A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, D. S. Korolev, A. O. Timofeeva, V. K. Vasil'ev, A. N. Shushonov, A. I. Bobrov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. I. Shek, “Effect of ion doping on the dislocation-related photoluminescence in Si$^+$-implanted silicon”, Semiconductors, 48:2 (2014), 199–203 |
7
|
| 17. |
А. В. Ершов, Д. А. Павлов, Д. А. Грачев, А. И. Бобров, И. А. Карабанова, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, “Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 44–48 ; A. V. Ershov, D. A. Pavlov, D. A. Grachev, A. I. Bobrov, I. A. Karabanova, I. A. Chugrov, D. I. Tetelbaum, “Annealing-induced evolution of the structural and morphological properties of a multilayer nanoperiodic SiO$_x$/ZrO$_2$ system containing Si nanoclusters”, Semiconductors, 48:1 (2014), 42–45 |
8
|
| 18. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, А. И. Бобров, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, М. Е. Шенина, “Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 9–16 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, A. I. Bobrov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, M. E. Shenina, “Capacitors with nonlinear characteristics based on stabilized zirconia with built-in gold nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 369–371 |
13
|
|
2013 |
| 19. |
Д. С. Королев, А. Б. Костюк, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Ю. А. Дудин, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния”, Физика твердого тела, 55:11 (2013), 2243–2249 ; D. S. Korolev, A. B. Kostyuk, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, Yu. A. Dudin, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Influence of the ion synthesis and ion doping regimes on the effect of sensitization of erbium emission by silicon nanoclusters in silicon dioxide films”, Phys. Solid State, 55:11 (2013), 2361–2367 |
| 20. |
Е. Д. Павлова, А. П. Горшков, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Б. Н. Звонков, “Исследование гетероструктур с комбинированным слоем квантовых точек/квантовой ямы In(Ga)As/GaAs и $\delta$-слоем Mn”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1617–1620 ; E. D. Pavlova, A. P. Gorshkov, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, B. N. Zvonkov, “Study of heterostructures with a combined In(Ga)As/GaAs quantum dot/quantum well layer and a Mn $\delta$ layer”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1591–1594 |
3
|
| 21. |
А. И. Бобров, Е. Д. Павлова, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, “Исследования структуры ферромагнитного слоя GaMnSb”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1613–1616 ; A. I. Bobrov, E. D. Pavlova, A. V. Kudrin, N. V. Malekhonova, “Structural studies of a ferromagnetic GaMnSb layer”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1587–1590 |
7
|
| 22. |
Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, М. Д. Пегасина, “Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 854–858 ; D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, M. D. Pegasina, “Analysis of the growth dependences of silicon-on-sapphire heteroepitaxy”, Semiconductors, 47:6 (2013), 865–869 |
| 23. |
А. В. Ершов, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, А. И. Машин, Д. А. Павлов, А. В. Нежданов, А. И. Бобров, Д. А. Грачев, “Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 460–465 ; A. V. Ershov, I. A. Chugrov, D. I. Tetelbaum, A. I. Mashin, D. A. Pavlov, A. V. Nezhdanov, A. I. Bobrov, D. A. Grachev, “Thermal evolution of the morphology, structure, and optical properties of multilayer nanoperiodic systems produced by the vacuum evaporation of SiO and SiO$_2$”, Semiconductors, 47:4 (2013), 481–486 |
15
|
|
2012 |
| 24. |
Е. С. Демидов, Е. Д. Павлова, А. И. Бобров, “Высокотемпературный алмазоподобный ферромагнетик на основе Si с
самоорганизованным сверхрешеточным распределением примеси Mn”, Письма в ЖЭТФ, 96:11 (2012), 790–793 ; E. S. Demidov, E. D. Pavlova, A. I. Bobrov, “High-temperature diamond-like Si-based ferromagnet with self-organized superlattice distribution of Mn impurity”, JETP Letters, 96:11 (2012), 706–709 |
5
|
| 25. |
О. Н. Горшков, Д. А. Павлов, В. Н. Трушин, И. Н. Антонов, М. Е. Шенина, А. И. Бобров, А. С. Маркелов, А. Ю. Дудин, А. П. Касаткин, “Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 38:4 (2012), 60–65 ; O. N. Gorshkov, D. A. Pavlov, V. N. Trushin, I. N. Antonov, M. E. Shenina, A. I. Bobrov, A. S. Markelov, A. Yu. Dudin, A. P. Kasatkin, “Peculiarities in the formation of gold nanoparticles by ion implantation in stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 185–187 |
10
|
|
