Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Мынбаев Карим Джафарович
профессор
доктор физико-математических наук

https://www.mathnet.ru/rus/person183058
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Оптические свойства эпитаксиальных пленок Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te, легированных индием”, Физика твердого тела, 67:5 (2025),  805–809  mathnet  elib
2. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, А. М. Смирнов, В. В. Бельков, М. В. Томкович, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, Н. Н. Михайлов, “Термический отжиг HgCdTe с большим содержанием CdTe: структурные и оптические исследования”, Физика твердого тела, 67:1 (2025),  22–27  mathnet  elib
2024
3. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Д. Д. Фирсов, И. В. Чуманов, О. С. Комков, В. С. Варавин, М. В. Якушев, “Инфракрасное фотоотражение эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  544–547  mathnet  elib
2023
4. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Дорогов, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, И. Н. Ужаков, “Характеризация широкозонных слоев в лазерных структурах на основе CdHgTe”, Физика твердого тела, 65:3 (2023),  411–414  mathnet  elib 1
5. М. С. Ружевич, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев Hg$_{0.3}$Cd$_{0.7}$Te и Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  640–643  mathnet  elib
6. М. С. Ружевич, Д. Д. Фирсов, О. С. Комков, К. Д. Мынбаев, В. С. Варавин, М. В. Якушев, “Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd$_{0.3}$Hg$_{0.7}$Te, легированных мышьяком”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023),  491–494  mathnet  elib
2022
7. А. А. Семакова, М. С. Ружевич, В. В. Романов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, К. Д. Моисеев, “Стимулированное излучение в гетероструктурах InAs/InAsSb/InAsSbP с асимметричным электронным ограничением”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022),  876–881  mathnet  elib; A. A. Semakova, M. S. Ruzhevich, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Stimulated emission in the InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with asymmetric electronic confinement”, Semiconductors, 57:5 (2023), 263–267 1
8. Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова, Г. Г. Зегря, “Сравнительный анализ эффективности электролюминесценции в гетероструктурах I и II типа на основе узкозонных соединений А$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022),  479–485  mathnet  elib
2021
9. Д. А. Андрющенко, М. С. Ружевич, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, В. Г. Ремесник, “Оптические и структурные свойства эпитаксиальных слоев Hg$_{0.7}$Cd$_{0.3}$Te”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021),  1040–1044  mathnet  elib 1
10. А. А. Семакова, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Пивоварова, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  682–687  mathnet  elib
11. М. Г. Мынбаева, А. Н. Смирнов, К. Д. Мынбаев, “Оптические свойства квазиобъемных кристаллов нитрида галлия со структурой высокоориентированной текстуры”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  554–558  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, A. N. Smirnov, K. J. Mynbaev, “Optical properties of quasi-bulk gallium-nitride crystals with highly oriented texture structure”, Semiconductors, 55:7 (2021), 617–620 1
12. А. А. Семакова, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021),  502–506  mathnet  elib; A. A. Semakova, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. V. Chernyaev, S. S. Kizhaev, N. D. Stoyanov, “Study of the current–voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in the 4.2–300 K temperature range”, Semiconductors, 55:6 (2021), 557–561 1
13. А. А. Семакова, В. В. Романов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, К. Д. Моисеев, “Подавление температурной зависимости длины волны излучения в светодиодных структурах со ступенчатым гетеропереходом II типа InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021),  277–281  mathnet  elib; A. A. Semakova, V. V. Romanov, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, K. D. Moiseev, “Suppression of wavelength temperature dependence in heterostructures with staggered type II heterojunction InAsSb/InAsSbP”, Semiconductors, 55:3 (2021), 354–358 2
2020
14. К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. М. Смирнов, Н. Н. Михайлов, В. Г. Ремесник, М. В. Якушев, “Оптические и структурные свойства твердых растворов HgCdTe с большим содержанием CdTe”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1302–1308  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. M. Smirnov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, M. V. Yakushev, “Optical and structural properties of HgCdTe solid solutions with a high CdTe content”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1561–1566 3
15. А. А. Семакова, С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, С. С. Кижаев, А. В. Черняев, Н. Д. Стоянов, H. Lipsanen, “Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020),  51–54  mathnet  elib; A. A. Semakova, S. N. Lipnitskaya, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, S. S. Kizhaev, A. V. Chernyaev, N. D. Stoyanov, H. Lipsanen, “Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an inas active region”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 150–153 2
2019
16. Р. В. Левин, Б. В. Пушный, И. В. Федоров, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Н. В. Павлов, Г. Г. Зегря, “Исследование возможностей метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений для изготовления тонких слоев InAs/GaSb”, ЖТФ, 89:10 (2019),  1592–1597  mathnet  elib; R. V. Levin, B. V. Pushnii, I. V. Fedorov, A. A. Usikova, V. N. Nevedomskiy, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, N. V. Pavlov, G. G. Zegrya, “Examination of the capabilities of metalorganic vapor-phase epitaxy in fabrication of thin InAs/GaSb layers”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1509–1514 1
17. Н. В. Совтус, К. Д. Мынбаев, “Определение параметров латерального и нестационарного шнурового токов в цилиндрическом халькогенидном стеклообразном полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1669–1673  mathnet  elib; N. V. Sovtus, K. J. Mynbaev, “Parameters of lateral and unsteady cord currents in a cylindrical chalcogenide glassy semiconductor”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1651–1655 1
18. Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Семакова, Г. Г. Зегря, “Время жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках с близкими значениями запрещенной зоны и спин-орбитального отщепления”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019),  450–455  mathnet  elib; N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. A. Semakova, G. G. Zegrya, “Carrier lifetime in semiconductors with band-gap widths close to the spin-orbit splitting energies”, Semiconductors, 53:4 (2019), 428–433 2
19. В. И. Иванов-Омский, К. Д. Мынбаев, И. Н. Трапезникова, Д. А. Андрющенко, Н. Л. Баженов, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, В. Г. Ремесник, С. А. Дворецкий, М. В. Якушев, “Исследование разупорядочения в твердых растворах теллуридов кадмия-ртути оптическими методами”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  24–27  mathnet  elib; V. I. Ivanov-Omskii, K. J. Mynbaev, I. N. Trapeznikova, D. A. Andryushchenko, N. L. Bazhenov, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, V. G. Remesnik, S. A. Dvoretskii, M. V. Yakushev, “An optical study of disordering in cadmium mercury telluride solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 553–556 2
2017
20. А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Грешнов, “Влияние флуктуаций состава на излучательную рекомбинацию в узкозонных полупроводниковых твердых растворах”, ЖТФ, 87:3 (2017),  419–426  mathnet  elib; A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Greshnov, “Effect of composition fluctuations on radiative recombination in narrow-gap semiconductor solid solutions”, Tech. Phys., 62:3 (2017), 441–448 3
21. К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  247–252  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 5
2016
22. К. Д. Мынбаев, С. В. Заблоцкий, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016),  208–211  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, S. V. Zablotsky, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Defects in mercury-cadmium telluride heteroepitaxial structures grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 50:2 (2016), 208–211 7
23. М. Г. Мынбаева, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, “Формирование структур графит/SiC методом термического разложения карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016),  138–142  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, A. A. Lavrent'ev, K. J. Mynbaev, “Formation of graphite/SiC structures by the thermal decomposition of silicon carbide”, Semiconductors, 50:1 (2016), 138–142 8
2015
24. Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te: учет излучательной рекомбинации”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1206–1211  mathnet  elib; N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, G. G. Zegrya, “Temperature dependence of the carrier lifetime in narrow-gap Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te solid solutions: Radiative recombination”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1170–1175 8
25. Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Температурная зависимость времени жизни носителей заряда в узкощелевых твердых растворах Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te : учет оже-процессов”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  444–448  mathnet  elib; N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, G. G. Zegrya, “Temperature dependence of the carrier lifetime in Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te narrow-gap solid solutions with consideration for Auger processes”, Semiconductors, 49:4 (2015), 432–436 6
26. К. Д. Мынбаев, А. В. Шиляев, Н. Л. Баженов, А. И. Ижнин, И. И. Ижнин, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Акцепторные состояния в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015),  379–384  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, A. V. Shilyaev, N. L. Bazhenov, A. I. Izhnin, I. I. Izhnin, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Acceptor states in heteroepitaxial CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:3 (2015), 367–372 11
27. М. А. Швалева, Ю. В. Тузова, А. Е. Романов, В. А. Асеев, Н. В. Никоноров, К. Д. Мынбаев, В. Е. Бугров, “Оптические и термические свойства люминофоров на основе свинцово-силикатного стекла для мощных белых светодиодов”, Письма в ЖТФ, 41:21 (2015),  38–44  mathnet  elib; M. A. Shvaleva, Yu. V. Tuzova, A. E. Romanov, V. A. Aseev, N. V. Nikonorov, K. J. Mynbaev, V. E. Bugrov, “Optical and thermal properties of phosphors based on lead-silicate glass for high-power white LEDs”, Tech. Phys. Lett., 41:11 (2015), 1041–1043 3
2014
28. М. Г. Мынбаева, А. А. Головатенко, А. И. Печников, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, В. И. Николаев, “Особенности хлорид-гидридной эпитаксии нитридных материалов на подложке кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014),  1573–1577  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, A. A. Golovatenko, A. I. Pechnikov, A. A. Lavrent'ev, K. J. Mynbaev, V. I. Nikolaev, “Specific features of the hydride vapor-phase epitaxy of nitride materials on a silicon substrate”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1535–1538 1
29. М. Г. Мынбаева, С. П. Лебедев, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, А. А. Головатенко, А. А. Лебедев, В. И. Николаев, “Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  364–368  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, S. P. Lebedev, A. A. Lavrent'ev, K. J. Mynbaev, A. A. Golovatenko, A. A. Lebedev, V. I. Nikolaev, “On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum”, Semiconductors, 48:3 (2014), 350–353
30. И. И. Ижнин, А. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, Е. И. Фицыч, М. В. Якушев, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Фотолюминесценция твeрдых растворов CdHgTe, подвергнутых обработке низкоэнергетическими ионами”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014),  207–211  mathnet  elib; I. I. Izhnin, A. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, E. I. Fitsych, M. V. Yakushev, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Photoluminescence of CdHgTe solid solutions subjected to low-energy ion treatment”, Semiconductors, 48:2 (2014), 195–198 6
31. К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, М. В. Якушев, Д. В. Марин, В. С. Варавин, Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, “Дефекты в гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe/Si и их поведение в условиях формирования имплантационных $p^+$–$n$-фотодиодных структур”, Письма в ЖТФ, 40:16 (2014),  65–72  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, V. S. Varavin, Yu. G. Sidorov, S. A. Dvoretskii, “Defects in heteroepitaxial CdHgTe/Si layers and their behavior under conditions of implanted $p^+$–$n$ photodiode structure formation”, Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 708–711 5
2013
32. К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, М. В. Якушев, В. Г. Ремесник, В. С. Варавин, “Высокотемпературная фотолюминесценция твердых растворов CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией”, ЖТФ, 83:10 (2013),  147–150  mathnet  elib; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, M. V. Yakushev, V. G. Remesnik, V. S. Varavin, “High-temperature photoluminescence of CdHgTe solid solutions grown by molecular-beam epitaxy”, Tech. Phys., 58:10 (2013), 1536–1539 5
33. С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, В. Е. Бугров, А. Р. Ковш, М. А. Одноблюдов, А. Е. Романов, “Влияние светорассеяния в оптических покрытиях на потери энергии в светодиодных устройствах”, Письма в ЖТФ, 39:24 (2013),  1–8  mathnet  elib; S. N. Lipnitskaya, K. J. Mynbaev, V. E. Bugrov, A. R. Kovsh, M. A. Odnoblyudov, A. E. Romanov, “Effects of light scattering in optical coatings on energy losses in LED devices”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1074–1077 9
2012
34. Н. Л. Баженов, М. Г. Мынбаева, К. Д. Мынбаев, “Анализ спектров фотопроводимости при большой инерционности фотоответа”, ЖТФ, 82:9 (2012),  119–122  mathnet  elib; N. L. Bazhenov, M. G. Mynbaeva, K. J. Mynbaev, “Analysis of photoconductivity spectra with a strongly delayed photoresponse”, Tech. Phys., 57:9 (2012), 1300–1303
35. И. И. Ижнин, К. Д. Мынбаев, М. В. Якушев, А. И. Ижнин, Е. И. Фицыч, Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, Г. В. Савицкий, R. Jakiela, А. В. Сорочкин, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, “Электрические и оптические свойства пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 46:10 (2012),  1363–1367  mathnet  elib; I. I. Izhnin, K. J. Mynbaev, M. V. Yakushev, A. I. Izhnin, E. I. Fitsych, N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, G. V. Savitskii, R. Jakiela, A. V. Sorochkin, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, “Electrical and optical properties of CdHgTe films grown by molecular-beam epitaxy on silicon substrates”, Semiconductors, 46:10 (2012), 1341–1345 5
36. Н. Л. Баженов, А. В. Шиляев, К. Д. Мынбаев, Г. Г. Зегря, “Оптические переходы в квантовых ямах на основе Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te и их анализ с учетом особенностей зонной структуры”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  792–797  mathnet  elib; N. L. Bazhenov, A. V. Shilyaev, K. J. Mynbaev, G. G. Zegrya, “Optical transitions in Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te-based quantum wells and their analysis with account for the actual band structure of the material”, Semiconductors, 46:6 (2012), 773–778 4
37. И. И. Ижнин, Г. В. Савицкий, Е. И. Фицыч, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, В. С. Варавин, К. Д. Мынбаев, “Релаксация радиационно-нарушенного слоя, формирующегося при ионно-плазменном травлении твердых растворов CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 38:24 (2012),  10–17  mathnet  elib; I. I. Izhnin, G. V. Savitskii, E. I. Fitsych, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, V. S. Varavin, K. J. Mynbaev, “Relaxation of a radiation-damaged layer formed during ion-beam milling of CdHgTe solid solutions”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 16–19
38. М. Г. Мынбаева, А. Е. Николаев, А. А. Ситникова, Р. В. Золотарева, К. Д. Мынбаев, “Коллективные эффекты в системе структурных дефектов нитрида галлия в условиях гомоэпитаксии на пористой подложке”, Письма в ЖТФ, 38:9 (2012),  31–36  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, A. E. Nikolaev, A. A. Sitnikova, R. V. Zolotareva, K. J. Mynbaev, “Collective effects in the system of structural defects in homoepitaxial GaN grown on porous substrates”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 412–414 1

Организации