Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Дубровский Владимир Германович
доктор физико-математических наук
E-mail: ,

https://www.mathnet.ru/rus/person159476
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=13842
https://orcid.org/0000-0003-2088-7158

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2024
1. Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Влияние поверхностной энергии на рост и состав In$_x$Ga$_{1-x}$As нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 50:2 (2024),  6–9  mathnet  elib
2023
2. В. Г. Дубровский, “Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III–V с учетом потока реэмиссии”, Письма в ЖТФ, 49:13 (2023),  25–27  mathnet  elib
3. В. Г. Дубровский, “Лимитирующие факторы скорости роста при эпитаксии полупроводниковых соединений III–V”, Письма в ЖТФ, 49:8 (2023),  39–41  mathnet  elib
2022
4. Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках”, Письма в ЖТФ, 48:23 (2022),  14–17  mathnet  elib
5. В. Г. Дубровский, Е. Д. Лещенко, “Критерий селективного роста III–V и III–N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках”, Письма в ЖТФ, 48:22 (2022),  7–10  mathnet  elib
6. В. Г. Дубровский, С. В. Микушев, “Кинетика радиального роста нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III–V при газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:20 (2022),  35–38  mathnet  elib
7. Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в нитевидных нанокристаллах”, Письма в ЖТФ, 48:19 (2022),  20–23  mathnet  elib
8. Д. В. Лебедев, В. А. Школдин, А. М. Можаров, А. Е. Петухов, А. О. Голубок, А. В. Архипов, И. С. Мухин, В. Г. Дубровский, “Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе”, Письма в ЖТФ, 48:12 (2022),  15–18  mathnet  elib
9. В. Г. Дубровский, М. В. Рылькова, А. С. Соколовский, Ж. В. Соколова, С. В. Микушев, “Роль эффекта затенения в кинетике роста III–V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:11 (2022),  12–15  mathnet  elib
10. В. Г. Дубровский, М. В. Рылькова, А. С. Соколовский, Ж. В. Соколова, “Асимптотическая стадия роста автокаталитических III–V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:3 (2022),  17–20  mathnet  elib
2021
11. В. Г. Дубровский, “Изменение формы наноостровка при селективной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  43–46  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Nanoisland shape variation during selective epitaxy”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 701–704
12. В. Г. Дубровский, “Направление диффузионного потока галлия при осаждении на поверхность с регулярными массивами отверстий”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021),  27–30  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Gallium diffusion flow direction during deposition on the surface with regular hole arrays”, Tech. Phys. Lett., 47:8 (2021), 601–604 2
13. В. Г. Дубровский, “Зависимость скорости роста и структуры III–V нитевидных нанокристаллов от площади сбора адатомов на поверхности подложки”, Письма в ЖТФ, 47:9 (2021),  37–40  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “The dependence of the growth rate and structure of III–V nanowires on the adatom collection area on the substrate surface”, Tech. Phys. Lett., 47:6 (2021), 440–443
2020
14. V. G. Dubrovskii, R. R. Reznik, N. V. Kryzhanovskaya, I. V. Shtrom, E. D. Ubyivovk, I. P. Soshnikov, G. E. Cirlin, “MBE-grown In$_x$ Ga$_{1-x}$ As nanowires with 50% composition”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020),  542  mathnet; Semiconductors, 54:6 (2020), 650–653 2
15. В. Г. Дубровский, И. В. Штром, “Кинетика роста планарных нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 46:20 (2020),  15–18  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, I. V. Shtrom, “Growth kinetics of planar nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 1008–1011 1
16. В. Г. Дубровский, А. С. Соколовский, И. В. Штром, “Свободная энергия образования зародыша при росте III–V нитевидного нанокристалла”, Письма в ЖТФ, 46:18 (2020),  3–6  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, A. S. Sokolovskii, I. V. Shtrom, “Free energy of nucleus formation during growth of III–V semiconductor nanowires”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 889–892 1
17. В. Г. Дубровский, А. С. Соколовский, H. Hijazi, “Лимитирующие режимы роста III–V нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 46:17 (2020),  26–29  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, A. S. Sokolovskii, H. Hijazi, “Limits of III–V nanowire growth”, Tech. Phys. Lett., 46:9 (2020), 859–863 2
18. В. Г. Дубровский, “Кинетика роста зародыша из нанофазы”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020),  3–6  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Kinetics of nucleus growth from a nanophase”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 357–360 2
2019
19. А. А. Корякин, Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Влияние упругих напряжений на формирование осевых гетеропереходов в трехкомпонентных нитевидных нанокристаллах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$”, Физика твердого тела, 61:12 (2019),  2437–2441  mathnet  elib 5
2017
20. Е. Д. Лещенко, В. Г. Дубровский, “Неоднородное распределение легирующей примеси в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1480–1483  mathnet  elib; E. D. Leshchenko, V. G. Dubrovskii, “Inhomogeneous dopant distribution in III–V nanowires”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1427–1430
21. В. Г. Дубровский, “Дисперсия масштабно-инвариантных функций распределения по размерам”, Письма в ЖТФ, 43:9 (2017),  3–9  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Dispersion of scale-invariant size-distribution functions”, Tech. Phys. Lett., 43:5 (2017), 413–415
2016
22. Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский, “Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016),  1592–1594  mathnet  elib; N. V. Sibirev, A. A. Koryakin, V. G. Dubrovskii, “On a new method of heterojunction formation in III–V nanowires”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1566–1568
23. В. Г. Дубровский, “Время инкубации гетерогенного роста островков в режиме неполной конденсации”, Письма в ЖТФ, 42:22 (2016),  9–15  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Incubation time of heterogeneous growth of islands in the mode of incomplete condensation”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1103–1106 3
24. Е. Д. Лещенко, М. А. Турчина, В. Г. Дубровский, “Начальный этап автокаталитического роста нитевидных нанокристаллов GaAs”, Письма в ЖТФ, 42:15 (2016),  95–102  mathnet  elib; E. D. Leshchenko, M. A. Turchina, V. G. Dubrovskii, “The initial stage of autocatalytic growth of GaAs filamentary nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 42:8 (2016), 818–821
25. В. Г. Дубровский, “Функция распределения полупроводниковых нитевидных нанокристаллов по длине”, Письма в ЖТФ, 42:13 (2016),  44–50  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “The length distribution function of semiconductor filamentary nanocrystals”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 682–685 1
26. В. Г. Дубровский, “Модель формирования осевых гетероструктур в III–V нитевидных нанокристаллах”, Письма в ЖТФ, 42:6 (2016),  104–110  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “A model of axial heterostructure formation in III–V semiconductor nanowires”, Tech. Phys. Lett., 42:3 (2016), 332–335 4
2015
27. В. Г. Дубровский, “Модель селективного роста III–V нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  49–53  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Model of selective growth of III–V nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1136–1138
28. В. Г. Дубровский, “Самосогласованная перенормировка в теории двумерной бинарной нуклеации в тройных растворах”, Письма в ЖТФ, 41:18 (2015),  102–110  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Self-consistent renormalization in the theory of binary nucleation in ternary solutions”, Tech. Phys. Lett., 41:9 (2015), 915–918
29. В. Г. Дубровский, Ж. В. Соколова, “Масштабная инвариантность континуального распределения по размерам при необратимом росте поверхностных островков”, Письма в ЖТФ, 41:11 (2015),  23–29  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, Zh. V. Sokolova, “Scale invariance of continuum size distribution upon irreversible growth of surface islands”, Tech. Phys. Lett., 41:6 (2015), 526–528 1
30. В. Г. Дубровский, Ю. С. Бердников, Ж. В. Соколова, “Скейлинг-функции распределения гетерогенных кластеров по размерам в линейной модели коэффициентов захвата”, Письма в ЖТФ, 41:5 (2015),  74–83  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, Yu. S. Berdnikov, Zh. V. Sokolova, “Scaling size distribution functions of heterogeneous clusters in a linear capture coefficient model”, Tech. Phys. Lett., 41:3 (2015), 242–245 3
31. В. Г. Дубровский, “Теория нуклеации и политипизм III–V нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 41:4 (2015),  102–110  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “The theory of nucleation and polytypism of III–V semiconductor nanowires”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 203–207 4
2014
32. А. А. Корякин, Н. В. Сибирев, В. Г. Дубровский, “Начальная стадия роста самоиндуцированных нитевидных нанокристаллов GaN”, Письма в ЖТФ, 40:11 (2014),  45–52  mathnet  elib; A. A. Koryakin, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, “The initial stage of growth of self-induced GaN nanowires”, Tech. Phys. Lett., 40:6 (2014), 471–474 4
33. А. Д. Большаков, М. А. Тимофеева, В. Г. Дубровский, “Моделирование роста и формы нитевидных нанокристаллов в отсутствие катализатора”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014),  55–63  mathnet  elib; A. D. Bolshakov, M. A. Timofeeva, V. G. Dubrovskii, “Simulation of growth and shape of nanowires in the absence of a catalyst”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 389–392 4
34. В. Г. Дубровский, “О распределении Пойа и его асимптотике в теории нуклеации”, Письма в ЖТФ, 40:4 (2014),  79–86  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Pólya distribution and its asymptotics in nucleation theory”, Tech. Phys. Lett., 40:2 (2014), 177–180 4
2013
35. V. G. Dubrovskii, G. E. Cirlin, P. A. Brunkov, U. Perimetti, N. Akopyan, “Ultra-low density InAs quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013),  1335–1338  mathnet  elib; Semiconductors, 47:10 (2013), 1324–1327 1
36. В. Г. Дубровский, М. А. Тимофеева, M. Tchernycheva, А. Д. Большаков, “Радиальный рост и форма полупроводниковых нитевидных нанокристаллов”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013),  53–59  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, M. A. Timofeeva, M. Tchernycheva, A. D. Bolshakov, “Lateral growth and shape of semiconductor nanowires”, Semiconductors, 47:1 (2014), 50–57 18
37. А. Д. Большаков, В. Г. Дубровский, Xin Yan, Xia Zhang, Xiaomin Ren, “Моделирование формирования InAs квантовых точек на боковой поверхности GaAs нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 39:23 (2013),  39–50  mathnet  elib; A. D. Bolshakov, V. G. Dubrovskii, Xin Yan, Xia Zhang, Xiaomin Ren, “Modeling InAs quantum-dot formation on the side surface of GaAs nanowires”, Tech. Phys. Lett., 39:12 (2013), 1047–1052 4
38. В. Г. Дубровский, “Уточнение формул Вагнера–Эллиса для минимального радиуса и Гиваргизова–Чернова для скорости роста нитевидного нанокристалла”, Письма в ЖТФ, 39:3 (2013),  33–40  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Refinement of the Wagner–Ellis formula for the minimum radius and the Givargizov–Chernov formula for the growth rate of nanowire”, Tech. Phys. Lett., 39:2 (2013), 157–160 3
39. В. Г. Дубровский, М. А. Тимофеева, “Моделирование роста GaN нитевидных нанокристаллов на кремнии”, Письма в ЖТФ, 39:2 (2013),  61–67  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, M. A. Timofeeva, “Modeling GaN nanowire growth on silicon”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 127–129 4
2012
40. Н. В. Сибирёв, M. Tchernycheva, Г. Э. Цырлин, G. Patriarche, J. C. Harmand, В. Г. Дубровский, “Влияние диффузии с боковой поверхности на скорость роста нитевидных нанокристаллов GaN”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012),  857–860  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. Tchernycheva, G. È. Cirlin, G. Patriarche, J. C. Harmand, V. G. Dubrovskii, “Effect of diffusion from a lateral surface on the rate of gan nanowire growth”, Semiconductors, 46:6 (2012), 838–841 10
41. А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, В. В. Романов, Н. Т. Баграев, Е. С. Брилинская, Н. А. Лебедева, С. В. Новиков, H. Lipsanen, В. Г. Дубровский, “Формирование (Ga,Mn)As нитевидных нанокристаллов и изучение их магнитных свойств”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012),  188–193  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, G. È. Cirlin, V. V. Romanov, N. T. Bagraev, E. S. Brilinskaya, N. A. Lebedeva, S. V. Novikov, H. Lipsanen, V. G. Dubrovskii, “Formation of (Ga,Mn)As nanowires and study of their magnetic properties”, Semiconductors, 46:2 (2012), 179–183 11
42. А. Д. Буравлев, А. А. Зайцев, П. Н. Брунков, В. Ф. Сапега, А. И. Хребтов, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, В. Г. Дубровский, В. М. Устинов, “Исследование процессов формирования самоупорядоченных квантовых точек на основе (In,Mn)As”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012),  21–27  mathnet  elib; A. D. Bouravlev, A. A. Zaitsev, P. N. Brunkov, V. F. Sapega, A. I. Khrebtov, Yu. B. Samsonenko, G. È. Cirlin, V. G. Dubrovskii, V. M. Ustinov, “Studying the formation of self-assembled (In,Mn)As quantum dots”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 460–462 3
43. А. Д. Большаков, В. Г. Дубровский, “Расчет функции распределения GaAs полупроводниковых наноигл по размерам”, Письма в ЖТФ, 38:8 (2012),  10–16  mathnet  elib; A. D. Bolshakov, V. G. Dubrovskii, “Calculating GaAs semiconductor nanoneedle size distribution”, Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 358–360 1
44. В. Г. Дубровский, А. Д. Большаков, “О поверхностных энергиях и модах каталитического роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов”, Письма в ЖТФ, 38:7 (2012),  21–30  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, A. D. Bolshakov, “Surface energy and modes of catalytic growth of semiconductor nanowhiskers”, Tech. Phys. Lett., 38:4 (2012), 311–315 18
45. Н. В. Сибирёв, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский, “Смачивающий режим роста полупроводниковых нитевидных нанокристаллов: устойчивость и форма капли”, Письма в ЖТФ, 38:5 (2012),  41–48  mathnet  elib; N. V. Sibirev, M. V. Nazarenko, V. G. Dubrovskii, “Wetting regime of semiconductor nanowhisker growth: Stability and shape of catalyst droplet”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 221–224 2
46. В. Г. Дубровский, М. В. Назаренко, “Рост полупроводниковых нитевидных нанокристаллов при больших диффузионных длинах”, Письма в ЖТФ, 38:4 (2012),  18–25  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, M. V. Nazarenko, “Growth of semiconductor nanowires at large diffusion lengths”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 164–167 2
2011
47. М. В. Назаренко, Н. В. Сибирёв, В. Г. Дубровский, “Самосогласованная модель роста и кристаллической структуры нитевидных нанокристаллов с учетом диффузии адатомов”, ЖТФ, 81:2 (2011),  153–156  mathnet  elib; M. V. Nazarenko, N. V. Sibirev, V. G. Dubrovskii, “Self-consistent model of nanowire growth and crystal structure with regard to the adatom diffusion”, Tech. Phys., 56:2 (2011), 311–315 3
48. В. Г. Дубровский, М. В. Назаренко, “Поверхностная энергия образования монослоя при росте нитевидного нанокристалла по механизму “пар–жидкость–кристалл””, Письма в ЖТФ, 37:9 (2011),  75–82  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, M. V. Nazarenko, “Surface energy of monolayer formation during nanowire growth by vapor-liquid-solid mechanism”, Tech. Phys. Lett., 37:5 (2011), 427–430
49. М. А. Казанский, М. В. Назаренко, В. Г. Дубровский, “О расплывании функции распределения по размерам островков в теории нуклеации”, Письма в ЖТФ, 37:6 (2011),  78–87  mathnet  elib; M. A. Kazanskii, M. V. Nazarenko, V. G. Dubrovskii, “Blurring of island size distribution function in theory of nucleation”, Tech. Phys. Lett., 37:3 (2011), 282–286
50. В. Г. Дубровский, “Физические следствия эквивалентности условий стационарного роста нитевидных нанокристаллов и нуклеации на тройной линии”, Письма в ЖТФ, 37:2 (2011),  1–11  mathnet  elib; V. G. Dubrovskii, “Physical consequences of the equivalence of conditions for the steady-state growth of nanowires and the nucleation on triple phase line”, Tech. Phys. Lett., 37:1 (2011), 53–57
1990
51. В. Г. Дубровский, “О новых микроскопических моделях кинетики кластеризации”, Прикл. мех. техн. физ., 31:1 (1990),  3–9  mathnet; V. G. Dubrovskii, “New microscopic models of clustering kinetics”, J. Appl. Mech. Tech. Phys., 31:1 (1990), 1–8

Организации