|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, А. И. Андрианов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Н. В. Байдусь, Д. В. Юрасов, А. В. Рыков, “Сравнение гетероструктур А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$, выращенных на платформах Ge/Si, Ge/SOI и GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 978–988   |
|
2020 |
| 2. |
С. В. Тихов, А. И. Белов, Д. С. Королев, И. Н. Антонов, А. А. Сушков, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, О. Н. Горшков, А. Н. Михайлов, “Электрофизические характеристики многослойных мемристивных наноструктур на основе стабилизированного иттрием диоксида циркония и оксида тантала”, ЖТФ, 90:2 (2020), 298–304 ; S. V. Tikhov, A. I. Belov, D. S. Korolev, I. N. Antonov, A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, O. N. Gorshkov, A. N. Mikhaylov, “Electrophysical characteristics of multilayer memristive nanostructures based on yttria-stabilized zirconia and tantalum oxide”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 284–290 |
5
|
| 3. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Р. Н. Крюков, Е. А. Питиримова, “Наращивание слоя Ge на структуру Si/SiO$_{2}$/Si (100) методом “горячей проволоки””, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1129–1133 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, R. N. Kriukov, E. A. Pitirimova, “Growth of a ge layer on a Si/SiO$_{2}$/Si (100) structure by the hot wire chemical vapor deposition”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1332–1335 |
2
|
| 4. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, В. Е. Милин, Ю. А. Данилов, “Циркулярно поляризованная электролюминесценция спиновых светодиодов c ферромагнитным инжектором (In,Fe)Sb”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020), 17–20 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, V. E. Milin, Yu. A. Danilov, “Circularly polarized electroluminescence of spin LEDs with a ferromagnetic (In,Fe)Sb injector”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 691–694 |
|
2019 |
| 5. |
А. А. Сушков, Д. А. Павлов, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Н. В. Байдусь, А. В. Рыков, Р. Н. Крюков, “Исследования поперечного среза и фотолюминесценции слоя GaAs, выращенного на подложке Si/Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1271–1274 ; A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 |
1
|
| 6. |
С. М. Планкина, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, С. Ю. Зубков, Р. Н. Крюков, А. В. Нежданов, Д. А. Павлов, И. Ю. Пашенькин, А. А. Сушков, “Комплексное применение спектроскопии комбинационного рассеяния света и фотолюминесценции для диагностики многослойных гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1233–1236 ; S. M. Plankina, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, S. Yu. Zubkov, R. N. Kriukov, A. V. Nezhdanov, D. A. Pavlov, I. Yu. Pashen'kin, A. A. Sushkov, “On the combined application of raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy for the diagnostics of multilayer heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210 |
1
|
| 7. |
М. В. Ведь, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, А. В. Кудрин, П. Б. Дёмина, А. В. Здоровейщев, Ю. А. Данилов, “Диодные структуры на основе магнитных гетеропереходов (In, Fe)Sb/GaAs”, Письма в ЖТФ, 45:13 (2019), 33–36 ; M. V. Ved, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, A. V. Kudrin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. A. Danilov, “Diode structures based on (In, Fe)Sb/GaAs magnetic heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 668–671 |
1
|
|
2018 |
| 8. |
С. Ю. Зубков, И. Н. Антонов, О. Н. Горшков, А. П. Касаткин, Р. Н. Крюков, Д. Е. Николичев, Д. А. Павлов, М. Е. Шенина, “Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия пленок стабилизированного диоксида циркония со встроенными наночастицами Au, сформированными в процессе облучения ионами золота”, Физика твердого тела, 60:3 (2018), 591–595 ; S. Yu. Zubkov, I. N. Antonov, O. N. Gorshkov, A. P. Kasatkin, R. N. Kriukov, D. E. Nikolichev, D. A. Pavlov, M. E. Shenina, “X-ray photoelectron spectroscopy of stabilized zirconia films with embedded Au nanoparticles formed under irradiation with gold ions”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 598–602 |
1
|
| 9. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, L. A. Istomin, S. B. Levichev, “Relation between the electronic properties and structure of InAs/GaAs quantum dots grown by vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528 |
| 10. |
А. Н. Терещенко, Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, А. А. Никольская, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Э. А. Штейнман, “Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 702–707 ; A. N. Tereshchenko, D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, A. A. Nikolskaya, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. A. Steinman, “Effect of boron impurity on the light-emitting properties of dislocation structures formed in silicon by Si$^{+}$ ion implantation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 843–848 |
8
|
|
2017 |
| 11. |
А. В. Кудрин, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, О. В. Вихрова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Е. А. Питиримова, И. Н. Антонов, “Однофазные эпитаксиальные слои InFeSb с температурой Кюри выше комнатной”, Физика твердого тела, 59:11 (2017), 2200–2202 ; A. V. Kudrin, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, O. V. Vikhrova, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, E. A. Pitirimova, I. N. Antonov, “Single-phase epitaxial InFeSb layers with a Curie temperature above room temperature”, Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2220–2222 |
3
|
| 12. |
Д. А. Грачев, А. В. Ершов, И. А. Карабанова, А. В. Пирогов, А. В. Нежданов, А. И. Машин, Д. А. Павлов, “Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$”, Физика твердого тела, 59:5 (2017), 965–971 ; D. A. Grachev, A. V. Ershov, I. A. Karabanova, A. V. Pirogov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, D. A. Pavlov, “Influence of the deposition and annealing temperatures on the luminescence of germanium nanocrystals formed in GeO$_{x}$ films and multilayer Ge/SiO$_{2}$ structures”, Phys. Solid State, 59:5 (2017), 992–998 |
| 13. |
Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, А. В. Рыков, А. А. Сушков, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, А. Н. Яблонский, З. Ф. Красильник, “Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/ GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1579–1582 ; N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 |
5
|
| 14. |
И. Л. Калентьева, О. В. Вихрова, Ю. А. Данилов, Б. Н. Звонков, А. В. Кудрин, М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, М. Н. Дроздов, Ю. В. Усов, “Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1468–1472 ; I. L. Kalentyeva, O. V. Vikhrova, Yu. A. Danilov, B. N. Zvonkov, A. V. Kudrin, M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, M. N. Drozdov, Yu. V. Usov, “Features of the selective manganese doping of GaAs structures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1415–1419 |
2
|
| 15. |
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, П. Г. Воронин, А. В. Здоровейщев, Л. А. Истомин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, С. Б. Левичев, “Влияние состава покровного слоя на электронные характеристики квантовых точек InAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1447–1450 ; A. P. Gorshkov, N. S. Volkova, P. G. Voronin, A. V. Zdoroveyshchev, L. A. Istomin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, S. B. Levichev, “Effect of the cap-layer composition on the electronic properties of InAs/GaAs quantum dots”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1395–1398 |
| 16. |
Д. С. Королев, А. А. Никольская, Н. О. Кривулин, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Н. А. Соболев, M. Kumar, “Формирование гексагональной фазы кремния 9$R$ при ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 87–92 ; D. S. Korolev, A. A. Nikolskaya, N. O. Krivulin, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, N. A. Sobolev, M. Kumar, “Formation of hexagonal 9$R$ silicon polytype by ion implantation”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 767–769 |
9
|
|
2016 |
| 17. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, В. П. Лесников, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, “Кристаллическая структура и термоэлектрические свойства тонких слоев MnSi$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1473–1478 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, V. P. Lesnikov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, D. A. Pavlov, Yu. V. Usov, “On the crystal structure and thermoelectric properties of thin MnSi$_{x}$ films”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1453–1457 |
1
|
| 18. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, В. П. Лесников, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, П. Б. Демина, Ю. В. Усов, Д. Е. Николичев, Р. Н. Крюков, С. Ю. Зубков, “Формирование контактов MnGa/GaAs для применений в оптоэлектронике и спинтронике”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016), 1463–1468 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, V. P. Lesnikov, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, P. B. Demina, Yu. V. Usov, D. E. Nikolichev, R. N. Kriukov, S. Yu. Zubkov, “Fabrication of MnGa/GaAs contacts for optoelectronics and spintronics applications”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1443–1448 |
| 19. |
Д. С. Королев, А. Н. Михайлов, А. И. Белов, В. К. Васильев, Д. В. Гусейнов, Е. В. Окулич, А. А. Шемухин, С. И. Суродин, Д. Е. Николичев, А. В. Нежданов, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Послойный состав и структура кремния, подвергнутого совместной ионной имплантации галлия и азота для ионного синтеза GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 274–278 ; D. S. Korolev, A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, V. K. Vasil'ev, D. V. Guseinov, E. V. Okulich, A. A. Shemukhin, S. I. Surodin, D. E. Nikolichev, A. V. Nezhdanov, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Layer-by-layer composition and structure of silicon subjected to combined gallium and nitrogen ion implantation for the ion synthesis of gallium nitride”, Semiconductors, 50:2 (2016), 271–275 |
7
|
| 20. |
О. Н. Горшков, И. Н. Антонов, Д. О. Филатов, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Формирование плотных массивов наночастиц золота в тонких пленках стабилизированного диоксида циркония методом магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 42:1 (2016), 72–79 ; O. N. Gorshkov, I. N. Antonov, D. O. Filatov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Forming dense arrays of gold nanoparticles in thin films of yttria stabilized zirconia by magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 36–39 |
13
|
|
2015 |
| 21. |
Д. В. Юрасов, А. И. Бобров, В. М. Данильцев, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, Е. В. Скороходов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, “Влияние условий роста и отжига на параметры релаксированных слоев Ge/Si(001), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 49:11 (2015), 1463–1468 ; D. V. Yurasov, A. I. Bobrov, V. M. Daniltsev, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, E. V. Skorokhodov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, “Impact of growth and annealing conditions on the parameters of Ge/Si(001) relaxed layers grown by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 49:11 (2015), 1415–1420 |
24
|
| 22. |
Н. А. Байдакова, А. И. Бобров, М. Н. Дроздов, А. В. Новиков, Д. А. Павлов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, З. Ф. Красильник, “Рост светоизлучающих SiGe-гетероструктур на подложках “напряженный кремний-на-изоляторе” с тонким слоем окисла”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015), 1129–1135 ; N. A. Baidakova, A. I. Bobrov, M. N. Drozdov, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Growth of light-emitting SiGe heterostructures on strained silicon-on-insulator substrates with a thin oxide layer”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1104–1110 |
3
|
| 23. |
Н. О. Кривулин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, “Исследование кристаллической структуры наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 160–162 ; N. O. Krivulin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, “Study of the crystal structure of silicon nanoislands on sapphire”, Semiconductors, 49:2 (2015), 154–156 |
1
|
| 24. |
Ю. Ю. Романова, Е. П. Додин, Ю. Н. Ноздрин, А. А. Бирюков, Н. В. Байдусь, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, “Структурные, оптические и токовые исследования сверхрешеток со сложной элементарной ячейкой на основе AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 122–127 ; Yu. Yu. Romanova, E. P. Dodin, Yu. N. Nozdrin, A. A. Biryukov, N. V. Baidus, D. A. Pavlov, N. V. Malekhonova, “Structural, optical, and current investigations of superlattices with a complex AlGaAs-based unit cell”, Semiconductors, 49:1 (2015), 118–123 |
2
|
| 25. |
Д. А. Павлов, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, “Эпитаксиальный рост гексагональных политипов кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 98–101 ; D. A. Pavlov, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, “Epitaxial growth of hexagonal silicon polytypes on sapphire”, Semiconductors, 49:1 (2015), 95–98 |
7
|
| 26. |
С. В. Хазанова, В. Е. Дегтярев, Н. В. Малехонова, Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, “Влияние технологических параметров роста на характеристики двойных туннельно-связанных ям InGaAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 58–62 ; S. V. Khazanova, V. E. Degtyarov, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, N. V. Baidus, “Influence of the technological parameters of growth on the characteristics of double tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells”, Semiconductors, 49:1 (2015), 55–59 |
1
|
| 27. |
Н. В. Дикарева, О. В. Вихрова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, С. М. Некоркин, А. В. Пирогов, Д. А. Павлов, “Влияние температурной обработки на излучательные свойства гетероструктур с квантово-размерным слоем GaAsSb”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 11–14 ; N. V. Dikareva, O. V. Vikhrova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, S. M. Nekorkin, A. V. Pirogov, D. A. Pavlov, “Effect of thermal annealing on the emission properties of heterostructures containing a quantum-confined GaAsSb layer”, Semiconductors, 49:1 (2015), 9–12 |
2
|
| 28. |
Д. А. Павлов, Н. В. Байдусь, А. И. Бобров, О. В. Вихрова, Е. И. Волкова, Б. Н. Звонков, Н. В. Малехонова, Д. С. Сорокин, “Исследование деформационных полей, возникающих при изовалентном легировании GaAs фосфором и индием”, Физика и техника полупроводников, 49:1 (2015), 3–5 ; D. A. Pavlov, N. V. Baidus, A. I. Bobrov, O. V. Vikhrova, E. I. Volkova, B. N. Zvonkov, N. V. Malekhonova, D. S. Sorokin, “Distribution of elastic strains appearing in gallium arsenide as a result of doping with isovalent impurities of phosphorus and indium”, Semiconductors, 49:1 (2015), 1–3 |
2
|
| 29. |
О. Н. Горшков, М. Е. Шенина, А. П. Касаткин, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, А. И. Бобров, Д. О. Филатов, “Формирование нанокристаллов Au$_4$Zr в стабилизированном диоксиде циркония в процессе имплантации ионов золота”, Письма в ЖТФ, 41:11 (2015), 62–70 ; O. N. Gorshkov, M. E. Shenina, A. P. Kasatkin, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, A. I. Bobrov, D. O. Filatov, “Formation of Au$_4$Zr nanocrystals in yttria stabilized zirconia in the course of implantation of gold ions”, Tech. Phys. Lett., 41:6 (2015), 543–546 |
4
|
|
2014 |
| 30. |
М. В. Дорохин, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, Ю. А. Данилов, П. Б. Дёмина, Б. Н. Звонков, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, Н. В. Малехонова, Е. И. Малышева, “Эпитаксиальное выращивание слоев MnGa/GaAs для диодов со спиновой инжекцией”, Физика твердого тела, 56:10 (2014), 2062–2065 ; M. V. Dorokhin, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, Yu. A. Danilov, P. B. Demina, B. N. Zvonkov, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, N. V. Malekhonova, E. I. Malysheva, “Epitaxial growth of MnGa/GaAs layers for diodes with spin injection”, Phys. Solid State, 56:10 (2014), 2131–2134 |
3
|
| 31. |
Е. С. Демидов, М. В. Карзанова, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, А. И. Белов, Д. С. Королев, Д. А. Павлов, А. И. Бобров, О. Н. Горшков, Н. Е. Демидова, Ю. И. Чигиринский, “Влияние ионного облучения на структуру и люминесцентные свойства пористого кремния, пропитанного вольфрам-теллуритным стеклом с примесями Er и Yb”, Физика твердого тела, 56:3 (2014), 607–610 ; E. S. Demidov, M. V. Karzanova, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, A. I. Belov, D. S. Korolev, D. A. Pavlov, A. I. Bobrov, O. N. Gorshkov, N. E. Demidova, Yu. I. Chigirinskii, “Effect of ion irradiation on the structure and luminescence characteristics of porous silicon impregnated with tungsten-telluride glass doped by Er and Yb impurities”, Phys. Solid State, 56:3 (2014), 631–634 |
1
|
| 32. |
А. Н. Михайлов, А. И. Белов, Д. С. Королев, А. О. Тимофеева, В. К. Васильев, А. Н. Шушунов, А. И. Бобров, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, Е. И. Шек, “Влияние ионного легирования на фотолюминесценцию в кремнии, связанную с дислокациями, сформированными путем имплантации ионов Si$^+$”, Физика и техника полупроводников, 48:2 (2014), 212–216 ; A. N. Mikhaylov, A. I. Belov, D. S. Korolev, A. O. Timofeeva, V. K. Vasil'ev, A. N. Shushonov, A. I. Bobrov, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, E. I. Shek, “Effect of ion doping on the dislocation-related photoluminescence in Si$^+$-implanted silicon”, Semiconductors, 48:2 (2014), 199–203 |
7
|
| 33. |
А. В. Ершов, Д. А. Павлов, Д. А. Грачев, А. И. Бобров, И. А. Карабанова, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, “Эволюция структурно-морфологических свойств при отжиге многослойной нанопериодической системы SiO$_x$/ZrO$_2$, содержащей нанокластеры кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 44–48 ; A. V. Ershov, D. A. Pavlov, D. A. Grachev, A. I. Bobrov, I. A. Karabanova, I. A. Chugrov, D. I. Tetelbaum, “Annealing-induced evolution of the structural and morphological properties of a multilayer nanoperiodic SiO$_x$/ZrO$_2$ system containing Si nanoclusters”, Semiconductors, 48:1 (2014), 42–45 |
8
|
| 34. |
С. В. Тихов, О. Н. Горшков, Д. А. Павлов, И. Н. Антонов, А. И. Бобров, А. П. Касаткин, М. Н. Коряжкина, М. Е. Шенина, “Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота”, Письма в ЖТФ, 40:9 (2014), 9–16 ; S. V. Tikhov, O. N. Gorshkov, D. A. Pavlov, I. N. Antonov, A. I. Bobrov, A. P. Kasatkin, M. N. Koryazhkina, M. E. Shenina, “Capacitors with nonlinear characteristics based on stabilized zirconia with built-in gold nanoparticles”, Tech. Phys. Lett., 40:5 (2014), 369–371 |
13
|
|
2013 |
| 35. |
Д. С. Королев, А. Б. Костюк, А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Ю. А. Дудин, А. И. Бобров, Н. В. Малехонова, Д. А. Павлов, Д. И. Тетельбаум, “Влияние режимов ионного синтеза и ионного легирования на эффект сенсибилизации излучения эрбиевых центров нанокластерами кремния в пленках диоксида кремния”, Физика твердого тела, 55:11 (2013), 2243–2249 ; D. S. Korolev, A. B. Kostyuk, A. I. Belov, A. N. Mikhaylov, Yu. A. Dudin, A. I. Bobrov, N. V. Malekhonova, D. A. Pavlov, D. I. Tetelbaum, “Influence of the ion synthesis and ion doping regimes on the effect of sensitization of erbium emission by silicon nanoclusters in silicon dioxide films”, Phys. Solid State, 55:11 (2013), 2361–2367 |
| 36. |
Н. О. Кривулин, Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, “Модель роста наноостровков кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1621–1623 ; N. O. Krivulin, D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, “Growth model of silicon nanoislands on sapphire”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1595–1597 |
2
|
| 37. |
Д. А. Павлов, П. А. Шиляев, А. В. Пирогов, Н. О. Кривулин, А. И. Бобров, М. Д. Пегасина, “Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире”, Физика и техника полупроводников, 47:6 (2013), 854–858 ; D. A. Pavlov, P. A. Shilyaev, A. V. Pirogov, N. O. Krivulin, A. I. Bobrov, M. D. Pegasina, “Analysis of the growth dependences of silicon-on-sapphire heteroepitaxy”, Semiconductors, 47:6 (2013), 865–869 |
| 38. |
А. В. Ершов, И. А. Чугров, Д. И. Тетельбаум, А. И. Машин, Д. А. Павлов, А. В. Нежданов, А. И. Бобров, Д. А. Грачев, “Термическая эволюция морфологии, структуры и оптических свойств многослойных нанопериодических систем, полученных путем вакуумного испарения SiO и SiO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 47:4 (2013), 460–465 ; A. V. Ershov, I. A. Chugrov, D. I. Tetelbaum, A. I. Mashin, D. A. Pavlov, A. V. Nezhdanov, A. I. Bobrov, D. A. Grachev, “Thermal evolution of the morphology, structure, and optical properties of multilayer nanoperiodic systems produced by the vacuum evaporation of SiO and SiO$_2$”, Semiconductors, 47:4 (2013), 481–486 |
15
|
|
2012 |
| 39. |
С. В. Хазанова, Н. В. Байдусь, Б. Н. Звонков, Д. А. Павлов, Н. В. Малехонова, В. Е. Дегтярев, Д. С. Смотрин, И. А. Бобров, “Туннельно-связанные квантовые ямы InGaAs/GaAs: структура, состав и энергетический спектр”, Физика и техника полупроводников, 46:12 (2012), 1510–1514 ; S. V. Khazanova, N. V. Baidus, B. N. Zvonkov, D. A. Pavlov, N. V. Malekhonova, V. E. Degtyarov, D. S. Smotrin, I. A. Bobrov, “Tunnel-coupled InGaAs/GaAs quantum wells: Structure, composition, and energy spectrum”, Semiconductors, 46:12 (2012), 1476–1480 |
4
|
| 40. |
О. Н. Горшков, Д. А. Павлов, В. Н. Трушин, И. Н. Антонов, М. Е. Шенина, А. И. Бобров, А. С. Маркелов, А. Ю. Дудин, А. П. Касаткин, “Особенности формирования нанокристаллов золота в стабилизированном диоксиде циркония методом ионной имплантации”, Письма в ЖТФ, 38:4 (2012), 60–65 ; O. N. Gorshkov, D. A. Pavlov, V. N. Trushin, I. N. Antonov, M. E. Shenina, A. I. Bobrov, A. S. Markelov, A. Yu. Dudin, A. P. Kasatkin, “Peculiarities in the formation of gold nanoparticles by ion implantation in stabilized zirconia”, Tech. Phys. Lett., 38:2 (2012), 185–187 |
10
|
|
